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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第401页 > DG180
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
提供双通道SPST开关JFET高速驱动器
特点
D
恒定导通电阻
整个模拟范围
D
低漏
D
低串扰
D
拉德硬度
好处
D
D
D
D
D
低失真
消除大信号错误
精度高
高带宽能力
故障保护
应用
D
D
D
D
D
音频切换
视频切换
采样/保持
制导与控制系统
航天
描述
该DG180 /一百八十二分之一百八十一是精密双路单刀,
单掷(SPST )模拟开关设计成提供
视频和音频信号的准确转换。该系列产品是
非常适用于需要一个恒定的应用
的导通电阻在整个模拟范围。
导通电阻的包括音频切换,视频切换,并且
数据采集。
在设备的主要区别是在导通电阻
(DG180—10
W
, DG181-30
W
, DG182-75
W).
减少
误差通过低漏电流达到(我
D(上)
< 2 NA) 。应用程序从所述平坦的JFET这有利于
来实现快速和精确的开关性能,每个设备
包括四个n沟道JFET晶体管和一个TTL
兼容双极驱动器。在导通状态,每个开关导通
电流同样在任一方向。在关断状态下,
交换机将堵塞到20V的峰 - 峰值,与穿通线
小于-60分贝在10 MHz 。
功能框图及引脚配置
S
1
D
1
NC
NC
IN
1
V+
V
L
1
2
3
4
5
6
7
双列直插式
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
S
2
D
2
NC
NC
IN
2
V–
V
R
S
1
D
1
NC
NC
IN
1
V+
V
L
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
包11
顶视图10
9
8
S
2
D
2
NC
NC
IN
2
V–*
V
R
IN
1
D
1
2
3
4
请参阅JAN38510信息,军工板块
V+
S
1
S
2
D
2
9
IN
2
8
7
6
5
V
L
V
R
V–
10
1
金属罐
顶视图
*常见于基板和CASE
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.0 V
20
文档编号: 70031
S- 52895 -REV 。 D, 16军97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
开关
ON
关闭
4-1
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
-25至+85 C
10引脚金属罐
14引脚Sidebraze
10引脚金属罐
10裨呒L C
DG181BA
DG180BP
产品型号
DG180AA / 883 , 5962-8767301IA
DG181AA / 883 , JM38510 / 11101BIA
DG182AA / 883 , JM38510 / 11102BIA
DG180AP / 883 , 5962-8767301CA
-55 125℃
55 125_C
14引脚Sidebraze
14皮希德B
DG181AP / 883 , JM38510 / 11101BCA
DG182AP / 883 , JM38510 / 11102BCA
5962-8767301XA
14针扁平pk信息
14皮FL包
JM38510/11101BXA
JM38510/11102BXA
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
V +到V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 V
V
D
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33 V
V
D
到V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
"22
V
V
L
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
V
L
到V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
L
到V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
IN
到V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
R
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 V
V
R
到V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 V
电流( S或D)的DG180 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
电流(S或D ) DG181 , DG182 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
电流(所有其他引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
功耗
a
10引脚金属罐
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
14引脚Sidebraze
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 825毫瓦
14引脚扁平封装
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
注意事项:
一。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
B 。减免6毫瓦/ _C上述75°C
。减免11毫瓦/ _C上述75°C
。减免10毫瓦/ _C上述75°C
原理图(典型值CHANNEL )
V
L
V+
IN
S
D
V
R
V–
图1 。
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S
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文档编号: 70031
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DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
FOR DG180
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S
= -10毫安,V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S( OFF)
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D(关闭)
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
I
D(上)
I
DSS
V
D
= V
S
=
"7.5
V
2毫秒脉冲持续时间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
7.5
0.05
0.05
0.04
0.03
–0.1
300
–2
–200
–7.5
15
10
20
10
1000
10
1000
10
1000
10
1000
–10
–200
mA
–7.5
15
15
25
15
300
15
300
15
300
15
300
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
饱和漏极电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道上
电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
OIRR
MH
F = 1 MHz的
V
S
= -5 V,I
D
= 0
V
D
= -5 V,I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时,R
L
= 75
W
房间
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
140
21
17
17
>55
dB
pF
200
250
240
400
600
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
文档编号: 70031
S- 52895 -REV 。 D, 16军97
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S
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4-3
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
FOR DG181
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S
= -10毫安,V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S( OFF)
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D(关闭)
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
I
D(上)
V
D
= V
S
=
"7.5
V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
18
0.05
0.07
0.5
0.6
–0.02
–2
–200
–7.5
15
30
60
1
100
1
100
1
100
1
100
–10
–200
–7.5
15
50
75
5
100
5
100
5
100
5
100
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
OIRR
F = 1 MHz的
MH
V
S
= -5 V,I
D
= 0
V
D
= -5 V,I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时,R
L
= 75
W
房间
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
95
9
6
14
>50
dB
pF
F
130
150
85
150
180
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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S
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4-4
文档编号: 70031
S- 52895 -REV 。 D, 16军97
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
FOR DG182
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S
= -10毫安,V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S( OFF)
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D(关闭)
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
I
D(上)
V
D
= V
S
=
"10
V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
0.05
0.07
0.4
0.5
–0.02
–2
–200
–10
15
75
150
1
100
1
100
1
100
1
100
–10
–200
–10
15
100
150
5
100
5
100
5
100
5
100
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
d
最大
d
单位
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
OIRR
F = 1 MHz的
MH
房间
见开关时间测试电路
V
S
= -5 V,I
D
= 0
V
D
= -5 V,I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时,R
L
= 75
W
房间
房间
房间
房间
房间
120
100
9
6
14
>50
dB
pF
F
250
130
300
150
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
文档编号: 70031
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S
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DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
提供双通道SPST开关JFET高速驱动器
特点
D
恒定导通电阻
整个模拟范围
D
低漏
D
低串扰
D
拉德硬度
好处
D
D
D
D
D
低失真
消除大信号错误
精度高
高带宽能力
故障保护
应用
D
D
D
D
D
音频切换
视频切换
采样/保持
制导与控制系统
航天
描述
该DG180 /一百八十二分之一百八十一是精密双路单刀,
单掷(SPST )模拟开关设计成提供
视频和音频信号的准确转换。该系列产品是
非常适用于需要一个恒定的应用
的导通电阻在整个模拟范围。
导通电阻的包括音频切换,视频切换,并且
数据采集。
在设备的主要区别是在导通电阻
(DG180—10
W
, DG181-30
W
, DG182-75
W).
减少
误差通过低漏电流达到(我
D(上)
< 2 NA) 。应用程序从所述平坦的JFET这有利于
来实现快速和精确的开关性能,每个设备
包括四个n沟道JFET晶体管和一个TTL
兼容双极驱动器。在导通状态,每个开关导通
电流同样在任一方向。在关断状态下,
交换机将堵塞到20V的峰 - 峰值,与穿通线
小于-60分贝在10 MHz 。
功能框图及引脚配置
S
1
D
1
NC
NC
IN
1
V+
V
L
1
2
3
4
5
6
7
双列直插式
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
S
2
D
2
NC
NC
IN
2
V–
V
R
S
1
D
1
NC
NC
IN
1
V+
V
L
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
包11
顶视图10
9
8
S
2
D
2
NC
NC
IN
2
V–*
V
R
IN
1
D
1
2
3
4
请参阅JAN38510信息,军工板块
V+
S
1
S
2
D
2
9
IN
2
8
7
6
5
V
L
V
R
V–
10
1
金属罐
顶视图
*常见于基板和CASE
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.0 V
20
文档编号: 70031
S- 52895 -REV 。 D, 16军97
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
开关
ON
关闭
4-1
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
-25至+85 C
10引脚金属罐
14引脚Sidebraze
10引脚金属罐
10裨呒L C
DG181BA
DG180BP
产品型号
DG180AA / 883 , 5962-8767301IA
DG181AA / 883 , JM38510 / 11101BIA
DG182AA / 883 , JM38510 / 11102BIA
DG180AP / 883 , 5962-8767301CA
-55 125℃
55 125_C
14引脚Sidebraze
14皮希德B
DG181AP / 883 , JM38510 / 11101BCA
DG182AP / 883 , JM38510 / 11102BCA
5962-8767301XA
14针扁平pk信息
14皮FL包
JM38510/11101BXA
JM38510/11102BXA
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
V +到V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 V
V
D
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33 V
V
D
到V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
"22
V
V
L
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
V
L
到V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
L
到V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
IN
到V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
R
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 V
V
R
到V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 V
电流( S或D)的DG180 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
电流(S或D ) DG181 , DG182 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
电流(所有其他引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
功耗
a
10引脚金属罐
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
14引脚Sidebraze
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 825毫瓦
14引脚扁平封装
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
注意事项:
一。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
B 。减免6毫瓦/ _C上述75°C
。减免11毫瓦/ _C上述75°C
。减免10毫瓦/ _C上述75°C
原理图(典型值CHANNEL )
V
L
V+
IN
S
D
V
R
V–
图1 。
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S
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文档编号: 70031
S- 52895 -REV 。 D, 16军97
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
FOR DG180
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S
= -10毫安,V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S( OFF)
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D(关闭)
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
I
D(上)
I
DSS
V
D
= V
S
=
"7.5
V
2毫秒脉冲持续时间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
7.5
0.05
0.05
0.04
0.03
–0.1
300
–2
–200
–7.5
15
10
20
10
1000
10
1000
10
1000
10
1000
–10
–200
mA
–7.5
15
15
25
15
300
15
300
15
300
15
300
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
饱和漏极电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道上
电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
OIRR
MH
F = 1 MHz的
V
S
= -5 V,I
D
= 0
V
D
= -5 V,I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时,R
L
= 75
W
房间
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
140
21
17
17
>55
dB
pF
200
250
240
400
600
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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S
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Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
FOR DG181
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S
= -10毫安,V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S( OFF)
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D(关闭)
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
I
D(上)
V
D
= V
S
=
"7.5
V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
18
0.05
0.07
0.5
0.6
–0.02
–2
–200
–7.5
15
30
60
1
100
1
100
1
100
1
100
–10
–200
–7.5
15
50
75
5
100
5
100
5
100
5
100
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
OIRR
F = 1 MHz的
MH
V
S
= -5 V,I
D
= 0
V
D
= -5 V,I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时,R
L
= 75
W
房间
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
95
9
6
14
>50
dB
pF
F
130
150
85
150
180
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
www.vishay.com
S
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文档编号: 70031
S- 52895 -REV 。 D, 16军97
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
FOR DG182
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S
= -10毫安,V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S( OFF)
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D(关闭)
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
I
D(上)
V
D
= V
S
=
"10
V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
0.05
0.07
0.4
0.5
–0.02
–2
–200
–10
15
75
150
1
100
1
100
1
100
1
100
–10
–200
–10
15
100
150
5
100
5
100
5
100
5
100
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
d
最大
d
单位
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
OIRR
F = 1 MHz的
MH
房间
见开关时间测试电路
V
S
= -5 V,I
D
= 0
V
D
= -5 V,I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时,R
L
= 75
W
房间
房间
房间
房间
房间
120
100
9
6
14
>50
dB
pF
F
250
130
300
150
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
文档编号: 70031
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S
FaxBack 408-970-5600
4-5
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
提供双通道SPST开关JFET高速驱动器
特点
D
恒定导通电阻
整个模拟范围
D
低漏
D
低串扰
D
拉德硬度
好处
D
D
D
D
D
低失真
消除大信号错误
精度高
高带宽能力
故障保护
应用
D
D
D
D
D
音频切换
视频切换
采样/保持
制导与控制系统
航天
描述
该DG180 /一百八十二分之一百八十一是精密双路单刀,
单掷(SPST )模拟开关设计成提供
视频和音频信号的准确转换。该系列产品是
非常适用于需要一个恒定的应用
的导通电阻在整个模拟范围。
导通电阻的包括音频切换,视频切换,并且
数据采集。
在设备的主要区别是在导通电阻
(DG180—10
W
, DG181-30
W
, DG182-75
W).
减少
误差通过低漏电流达到(我
D(上)
< 2 NA) 。应用程序从所述平坦的JFET这有利于
来实现快速和精确的开关性能,每个设备
包括四个n沟道JFET晶体管和一个TTL
兼容双极驱动器。在导通状态,每个开关导通
电流同样在任一方向。在关断状态下,
交换机将堵塞到20V的峰 - 峰值,与穿通线
小于-60分贝在10 MHz 。
功能框图及引脚配置
S
1
D
1
NC
NC
IN
1
V+
V
L
1
2
3
4
5
6
7
双列直插式
顶视图
14
13
12
11
10
9
8
S
2
D
2
NC
NC
IN
2
V–
V
R
S
1
D
1
NC
NC
IN
1
V+
V
L
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
包11
顶视图10
9
8
S
2
D
2
NC
NC
IN
2
V–*
V
R
IN
1
D
1
2
3
4
请参阅JAN38510信息,军工板块
V+
S
1
S
2
D
2
9
IN
2
8
7
6
5
V
L
V
R
V–
10
1
金属罐
顶视图
*常见于基板和CASE
真值表
逻辑
0
1
逻辑“0”的
v
0.8 V
逻辑“1”的
w
2.0 V
20
文档编号: 70031
S- 52895 -REV 。 D, 16军97
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S
FaxBack 408-970-5600
开关
ON
关闭
4-1
DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
订购信息
温度范围
-25至+85 C
10引脚金属罐
14引脚Sidebraze
10引脚金属罐
10裨呒L C
DG181BA
DG180BP
产品型号
DG180AA / 883 , 5962-8767301IA
DG181AA / 883 , JM38510 / 11101BIA
DG182AA / 883 , JM38510 / 11102BIA
DG180AP / 883 , 5962-8767301CA
-55 125℃
55 125_C
14引脚Sidebraze
14皮希德B
DG181AP / 883 , JM38510 / 11101BCA
DG182AP / 883 , JM38510 / 11102BCA
5962-8767301XA
14针扁平pk信息
14皮FL包
JM38510/11101BXA
JM38510/11102BXA
绝对最大额定值
V +至V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
V +到V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33 V
V
D
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 33 V
V
D
到V
D
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
"22
V
V
L
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
V
L
到V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
L
到V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
IN
到V
R
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 V
V
R
到V- 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 27 V
V
R
到V
IN
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 V
电流( S或D)的DG180 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 200毫安
电流(S或D ) DG181 , DG182 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
电流(所有其他引脚) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 30毫安
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65到150_C
功耗
a
10引脚金属罐
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 450毫瓦
14引脚Sidebraze
c
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 825毫瓦
14引脚扁平封装
d
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 900毫瓦
注意事项:
一。所有引线焊接,或焊接到印刷电路板。
B 。减免6毫瓦/ _C上述75°C
。减免11毫瓦/ _C上述75°C
。减免10毫瓦/ _C上述75°C
原理图(典型值CHANNEL )
V
L
V+
IN
S
D
V
R
V–
图1 。
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文档编号: 70031
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DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
FOR DG180
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S
= -10毫安,V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S( OFF)
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D(关闭)
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
I
D(上)
I
DSS
V
D
= V
S
=
"7.5
V
2毫秒脉冲持续时间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
房间
7.5
0.05
0.05
0.04
0.03
–0.1
300
–2
–200
–7.5
15
10
20
10
1000
10
1000
10
1000
10
1000
–10
–200
mA
–7.5
15
15
25
15
300
15
300
15
300
15
300
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
饱和漏极电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道上
电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
OIRR
MH
F = 1 MHz的
V
S
= -5 V,I
D
= 0
V
D
= -5 V,I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时,R
L
= 75
W
房间
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
140
21
17
17
>55
dB
pF
200
250
240
400
600
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
文档编号: 70031
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DG180/181/182
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特定网络阳离子
a
FOR DG181
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S
= -10毫安,V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S( OFF)
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D(关闭)
V
S
=
"7.5
V, V
D
=
#7.5
V
I
D(上)
V
D
= V
S
=
"7.5
V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
18
0.05
0.07
0.5
0.6
–0.02
–2
–200
–7.5
15
30
60
1
100
1
100
1
100
1
100
–10
–200
–7.5
15
50
75
5
100
5
100
5
100
5
100
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
d
最大
d
单位
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
OIRR
F = 1 MHz的
MH
V
S
= -5 V,I
D
= 0
V
D
= -5 V,I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时,R
L
= 75
W
房间
见开关时间测试电路
房间
房间
房间
房间
房间
95
9
6
14
>50
dB
pF
F
130
150
85
150
180
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值,用于该数据片。
。通过设计保证,不受生产测试。
f.
V
IN
=输入电压来执行适当的功能。
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DG180/181/182
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
a
FOR DG182
测试条件
除非指定
参数
模拟开关
模拟信号范围
e
漏源
导通电阻
V
类似物
r
DS ( ON)
I
S
= -10毫安,V
D
= –7.5 V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
S( OFF)
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
V+ = 10 V, V– = –20 V
I
D(关闭)
V
S
=
"10
V, V
D
=
#10
V
I
D(上)
V
D
= V
S
=
"10
V
房间
房间
房间
房间
房间
房间
35
0.05
0.07
0.4
0.5
–0.02
–2
–200
–10
15
75
150
1
100
1
100
1
100
1
100
–10
–200
–10
15
100
150
5
100
5
100
5
100
5
100
nA
A
V
W
后缀
-55到125°C
B后缀
-25至+85 C
d
最大
d
单位
符号
V+ = 15 V, V– = –15 V, V
L
= 5 V
V
R
= 0 V, V
IN
= 2 V, 0.8 V
f
温度
b
典型值
c
d
最大
d
SOURCE OFF
漏电流
L·K
C
t
流掉
漏电流
L·K
C
t
通道上
漏电流
数字输入
输入电流
输入电压高
输入电流
输入电压低
I
INH
I
INL
V
IN
= 5 V
V
IN
= 0 V
房间
<0.01
10
20
–250
–250
10
20
mA
–30
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
源关断电容
汲极关断电容
通道导通电容
关断隔离
t
on
t
关闭
C
S( OFF)
C
D(关闭)
C
D(上)
OIRR
F = 1 MHz的
MH
房间
见开关时间测试电路
V
S
= -5 V,I
D
= 0
V
D
= -5 V,I
S
= 0
V
D
= V
S
= 0 V
F = 1 MHz时,R
L
= 75
W
房间
房间
房间
房间
房间
120
100
9
6
14
>50
dB
pF
F
250
130
300
150
ns
电源
正电源电流
负电源电流
逻辑电源电流
参考电源电流
I+
I–
I
L
I
R
V
IN
= 0 V或5 V
V
房间
房间
房间
房间
0.6
–2.7
3.1
–1
–2
–5
4.5
–2
1.5
–5
mA
A
4.5
1.5
注意事项:
一。请参阅过程的期权流程图。
B 。房间= 25_C ,全部=由操作温度决定的后缀。
。典型值是用于辅助设计参考,不保证也不提供生产测试。
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