【一般整流ダイオード整流器器二极管面実装デバイス単½型表面贴装器件单二极管■外&frac】,IC型号DG0R7V60,DG0R7V60 PDF资料,DG0R7V60经销商,ic,电子元器件-51电子网

一般整流ダイオード

整流器器二极管

面実装デバイス単½型

表面贴装器件单二极管

■外½寸法図OUTLINE

尺寸

Package：G1F

单位：mm

Weight：0.011g

（典型值）。

DG0R7V60

600V 1.0A

特長

●耐湿性に優れ高信頼

●自動実装対応

品名略号

型号

3.50

±0.15

2.60

±0.10

ロット記号

（例）

日期代码

①

②

½ルダーリングパッドの参考パターン

焊接区

②

①

（2.80）

V 96

カ½ードマーク

阴极标记

（1.20）

特征

●高可靠性

●对于自动安装

0.15

±0.05

1.2

±0.10

＋0.15

1.6

0.10

（½品上の表示については、捺印仕様をご確認ください）

■定格表

评级

項目

项

記号

条件

符号条件

英镑

TA = 29 ℃ *

●絶対最大定格

绝对最大额定值（

指定のない場合は

TL = 25 ℃ /

除非另有说明

）

品名

型号

0.80

±0.1

0.3

±0.1

DG0R7V60

55150

150

600

0.55

0.7

1.0

単½

单位

℃

保存温度

储存温度

接合部温度

工作结温

せん頭逆電圧

最大反向电压

出力電流

平均正向电流整流

50Hz的正弦波，抵抗负荷

50Hz正弦波，负载电阻

TA = 59 ℃ *

TL = 126 ℃

せん頭サージ順電流

峰值正向电流浪涌

電流二乗時間積

电流的平方时间

FSM

50Hz的正弦波，非缲り返し1サイクルせん头値， TJ = 25 ℃

50Hz正弦波，不重复回循环峰值， TJ = 25 ？

为1ms ≦吨\u003c 10ms的TJ = 25 ℃

●电気的·热的特性电气

特性（

指定のない場合は

TL = 25 ℃ /

除非另有说明

）

順電圧

正向电压

逆電流

反向电流

θJA

θJL

0.7A,

R =

600V,

パルス測定

脉冲测量

パルス測定

脉冲测量

最大

1.1

210

120

μA

熱抵抗

热阻

接合部周囲間

结到环境

接合部リード間，アルミナ基板実装

交界处领导，在氧化铝基板

最大

1：ガラエポ基板実装（1インチ基板）銅箔パターン総面積32.6mm

）

测得的1英寸酚基片上（图案区域： 32.6毫米

2：ガラエポ基板実装（1インチ基板）銅箔パターン総面積160mm

）

测得的1英寸酚基片上（图案区域： 160毫米

186

（J

514 - 6）

www.shindengen.co.jp/product/semi/

DG0R7V60

■特性図特性

图表

順方向特性

順電力損失曲線

せん頭サージ電流耐量

正向电压

前向功率耗散

1.2

峰值正向电流浪涌能力

峰值正向电流浪涌

FSM

〔A〕

正向功耗P

W〕

〔

正向电流I

〔A〕

TL = 150 ℃

typ

TL = 25 ℃

typ

0.1

〔

正弦波

TJ = 150 °

〔

0.8

0.6

正弦波

FSM

10毫秒10毫秒

0.4

0.0.1

0.001

〔

0.5

脉冲测量

1.5

〔

0.2

〔

1cycle

不重复

Tj＝25℃

〔

100

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

正向电压V

〔V〕

平均整流器ED正向电流I

〔A〕

周期数

ディ

レーティ

ングカーブー钽木卫一

ディ

レーティ

ングカーブー钽木卫一

ディ

レーティ

ングカーブー铊木卫一

降额曲线的Taー木卫一

平均整流器ED正向电流I

〔A〕

降额曲线的Taー木卫一

平均整流器ED正向电流I

〔A〕

降额曲线铊

= 10

平均整流器ED正向电流I

〔A〕

1.2

0.8

焊接土地： 1.2毫米

导体层： 35μ

模式区： 32.6毫米

0.8

0.6

0.4

在玻璃环氧基板

0.2

焊接土地： 1.2毫米

导体层： 35μ

模式区： 160毫米

0.2

100

120

140

160

100

120

140

160

环境温度Ta ℃〕

〔

环境温度Ta ℃〕

〔

铅温度TL ℃〕

〔

·正弦波50赫兹はで测定しています。

* 50Hz正弦波用于测量。

半導½½品の特性は一般的にバラツキを持っております。Typicalは統計的な実力を表しています。

·半导体产品通常都具有的特性变化。典型的是一个统计平均

的设备的能力。

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〔

正弦波

的R - 负载

〔

在玻璃环氧基板

〔

正弦波

的R - 负载

〔

正弦波

的R - 负载

〔

100

120

140

160

（J

514 - 6）

187

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