DFM600FXS12-A000
快恢复二极管模块
2007年DS5847-1.1月（ LN25319 ）
特点
低反向恢复电荷
高开关速度
低正向压降
孤立的铜基板
双二极管可以并联以1200A评级
无铅建设
主要参数
V
RRM
V
F
I
F
I
FM
（典型值）
（最大）
（最大）
1200V
1.9V
600A
1200A
应用
菜刀二极管
升压和降压转换器
自由轮电路
缓冲电路
谐振转换器
感应加热
多级开关逆变器
图。 1电路图
该DFM600FXS12 - A000是一款双1200V ，快
恢复二极管（ FRD ）模块。专为低
的功率损耗，该模块适用于各种
在电机驱动和功率高电压应用
转换。
较快的开关速度和低反向恢复
损失允许高频运作使得
设备适用于最新的驱动器设计
采用的PWM高频开关。
该模块集成了电气隔离
底板和低电感结构使
电路设计人员优化电路布局和
利用接地的散热片以保证安全。
订购信息
订单号：
DFM600FXS12-A000
（见包的详细信息以获取更多信息）
注：订货时请使用整个零件编号。
图。 2包
外形类型代码：F
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DFM600FXS12-A000
半导体
绝对最大额定值 - 每个ARM
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在
极端条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。
适当的安全预防措施，应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响
器件的可靠性。
温度上限= 25° ，除非另有说明
C
符号
V
RRM
I
F
I
FM
I
2
t
P
最大
V
ISOL
参数
反向重复峰值电压
正向电流（每组）
马克斯。正向电流
I
2
吨价熔断器的额定电流
最大功率耗散
隔离电压 - 每个模块
T
vj
= 125°
C
测试条件
马克斯。
1200
600
1200
100
2500
2500
单位
V
A
A
kA
2
s
W
V
DC ，T
例
= 75° T
vj
= 125°
C,
C
T
例
=110° t
p
为1ms
C,
V
R
= 0, t
P
= 10毫秒，T
vj
= 125°
C
T
例
= 25° T
vj
= 125°
C,
C
Commoned端子到基板上。 AC RMS ， 1分钟，50赫兹
热学和力学额定值
内部绝缘材料：
底板材料：
爬电距离：
通关：
CTI （严重漏电起痕指数） ：
Al
2
O
3
铜
32mm
20mm
175
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
R
日（J -C ）
热电阻 - 二极管（每组）
连续耗散 -
结到外壳
-
-
40
°
C /千瓦
R
个（ C-H）
热电阻 - 案件散热器
（每个模块）
安装扭矩5Nm的
（带安装脂）
-
-
安装 - M6
电气连接 - M8
-
-
8
°
C /千瓦
T
j
T
英镑
-
结温
存储温度范围
螺杆转矩
-
-40
-
-
-
-
-
-
125
125
5
10
°
C
°
C
Nm
Nm
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序
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DFM600FXS12-A000
半导体
静态电气特性 - 每个ARM
T
例
= 25° ，除非另有说明。
C
符号
I
RM
V
F
参数
峰值反向电流
正向电压
测试条件
V
R
= 1200V ，T
vj
= 125°
C
I
F
= 600A
I
F
= 600A ，T
vj
= 125°
C
L
M
电感
-
分钟。
-
-
-
-
典型值。
-
1.9
2.1
20
马克斯。
15
2.2
2.4
-
单位
mA
V
V
nH
静态电气特性
T
例
= 25° ，除非另有说明。
C
符号
L
M
参数
模电感
（外部连接的并联）
测试条件
-
分钟。
-
典型值。
15
马克斯。
-
单位
nH
动态电气特性 - 每个ARM
T
例
= 25° ，除非另有说明。
C
符号
I
rr
Q
rr
E
REC
参数
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复能量
测试条件
分钟。
-
-
-
典型值。
400
100
40
马克斯。
-
-
-
单位
A
C
mJ
I
F
= 600A,
dI
F
/ DT = 4500A / μs的，
V
R
= 600V
T
例
= 125℃ ，除非另有说明。
C
符号
I
rr
Q
rr
E
REC
参数
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复能量
测试条件
分钟。
-
-
-
典型值。
475
150
70
马克斯。
-
-
-
单位
A
C
mJ
I
F
= 600A,
dI
F
/ DT = 4200A / μs的，
V
R
= 600V
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序
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DFM600FXS12-A000
半导体
典型特征 - 每个ARM
图3二极管的典型正向特性
图4瞬态热阻抗
图5功耗
图6额定直流电流VS外壳温度
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序
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半导体
图7 RBSOA
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