DFM600BXS17-A000
快恢复二极管模块
2007年PDS5798-1.2月（ LN25343 ）
特点
低反向恢复电荷
高开关速度
低正向压降
孤立的铜基板
主要参数
V
RRM
V
F
I
F
I
FM
（典型值）
（最大）
（最大）
1700V
2.0V
600A
1200A
应用
菜刀二极管
升压和降压转换器
自由轮电路
缓冲电路
谐振转换器
多级开关逆变器
该DFM600BXS17 - A000是单1700V ，
快恢复二极管（ FRD ）模块。专为低
的功率损耗，该模块适用于各种
在电机驱动和功率高电压应用
转换。
较快的开关速度和低反向恢复
损失允许高频运作使得
设备适用于最新的驱动器设计
采用的PWM高频开关。
该模块集成了电气隔离
底板和低电感结构使
电路设计人员优化电路布局和
利用接地的散热片以保证安全。
图。 1电路图
订购信息
订单号：
DFM600BXS17-A000
注：订货时请使用整个零件编号。
外形类型代码： B
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 2包
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序。
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DFM600BXS17-A000
半导体
绝对最大额定值
条件超过上述“绝对最大额定值” ，即可能对器件造成永久性损坏。在
极端条件下，与所有的半导体，这可以包括封装的潜在危险的破裂。
适当的安全预防措施，应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响
器件的可靠性。
温度上限= 25°C除非另有说明
符号
V
RRM
I
F
I
FM
参数
反向重复峰值电压
正向电流
马克斯。正向电流
浪涌（非重复）正向
当前
I
2
吨价熔断器的额定电流
最大功率耗散
隔离电压 - 每个模块
T
vj
= 125°C
测试条件
马克斯。
1700
600
1200
单位
V
A
A
DC ，T
例
= 65°C ，T
vj
= 125°C
T
例
= 110 ° C，T
p
为1ms
I
FSM
I
2
t
P
最大
V
ISOL
3674
A
kA
2
s
W
V
V
R
= 0, t
P
= 10毫秒，T
vj
= 125°C
T
例
= 25 ° C，T
vj
= 125°C
Commoned端子到基板上。 AC RMS ， 1分钟，50赫兹
67.5
2000
4000
热学和力学额定值
内部绝缘材料：
底板材料：
爬电距离：
通关：
CTI （严重漏电起痕指数） ：
Al
2
O
3
铜
20mm
11mm
425
符号
参数
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
R
日（J -C ）
热阻
连续耗散 -
结到外壳
-
-
50
C /千瓦
R
个（ C-H）
热电阻 - 案件散热器
安装扭矩5Nm的
（带安装脂）
-
-
15
C /千瓦
T
j
T
英镑
-
结温
存储温度范围
螺杆转矩
-
-
安装 - M6
电气连接 - M6
-
-40
3
2.5
-
-
-
-
125
125
5
5
°C
°C
Nm
Nm
注意：此设备是静电放电敏感。用户应遵循ESD处理程序
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DFM600BXS17-A000
半导体
静态电气特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明。
符号
I
RM
V
F
参数
峰值反向电流
正向电压
测试条件
V
R
= 1200V ，T
vj
= 125°C
I
F
= 600A
I
F
= 600A ，T
vj
= 125°C
L
M
电感
-
-
分钟。
-
典型值。
-
2.0
2.05
20
-
马克斯。
15
单位
mA
V
V
nH
动态电气特性
T
例
= 25℃ ，除非另有说明。
符号
t
rr
I
rr
Q
rr
E
REC
参数
反向恢复时间
I
F
= 600A,
峰值反向恢复电流
dI
F
/ DT = 4500A / μs的，
反向恢复电荷
V
R
= 900V
反向恢复能量
-
105
-
mJ
-
150
-
C
-
345
-
A
测试条件
分钟。
典型值。
1.4
马克斯。
单位
s
T
例
= 125℃ ，除非另有说明。
符号
t
rr
I
rr
Q
rr
E
REC
参数
反向恢复时间
峰值反向恢复电流
反向恢复电荷
反向恢复能量
I
F
= 600A,
dI
F
/ DT = 3800A / μs的，
V
R
= 900V
-
-
-
测试条件
分钟。
典型值。
2.0
330
255
150
-
-
-
马克斯。
单位
s
A
C
mJ
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DFM600BXS17-A000
半导体
典型特征
1600
V
F
处测得的功率母线
而不是辅助端子
100
1400
二极管
1200
FOWARD电流，
F
- (A)
I
T
j
= 25
C
瞬态热阻抗，
日（J -C ）
- (
Z
C /千瓦）
1000
T
j
= 125
C
10
800
600
1
400
200
二极管
R
i
（ C / KW ）
i
（女士）
1
1.14
0.10
2
6.32
3.21
3
18.56
38.58
4
22.51
113.97
0
0
0.5
2.0
1.0
1.5
2.5
FOWARD电压，V - （ V）
F
二极管的典型正向特性
3.0
3.5
0.1
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度，
p
- (s)
t
1
10
图3二极管的典型正向特性
图4瞬态热阻抗
2500
900
800
2000
700
功耗 - （ W）
正向电流，
F
- (A)
I
25
50
75
100
125
600
500
400
300
1500
1000
500
200
100
0
0
外壳温度
c
牛逼℃，
-
0
0
25
50
75
外壳温度
c
T (
- C)
100
125
图5功耗
图6额定直流电流VS外壳温度
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DFM600BXS17-A000
半导体
800
700
反向恢复电流，I
rr
- (A)
600
500
400
300
200
1000
T
j
= 125C
0
0
400
1200
800
反向电压， V
R
- (V)
1600
2000
图7 RBSOA
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