DFM200PXM33-A000
绝对最大额定值
条件超过上述“绝对最大额定值” ,即可能对器件造成永久性损坏。在极端
条件下,与所有的半导体,这可以包括封装的潜在危险的破裂。适当的安全
预防措施应始终遵循。暴露在绝对最大额定值可能会影响器件的可靠性。
T
例
= 25℃ ,除非另有说明
符号
V
RRM
I
F
I
FM
I
2
t
P最高
V
ISOL
Q
pd
参数
反向重复峰值电压
正向电流(每组)
马克斯。正向电流
I
2
吨价熔断器的额定电流
最大功率耗散
隔离电压
局部放电
T
vj
= 125C
DC ,T
例
= 70C
T
例
= 115C ,T
p
为1ms
V
R
= 0, t
p
= 10毫秒,T
vj
= 125C
T
例
= 25 ° C,T
vj
= 125C
Commoned端子到基板上。 AC RMS , 1分钟,50赫兹
IEC1287 。 V
1
= 2450V, V
2
= 1800V , 50Hz的RMS
测试条件
马克斯。
3300
200
400
20
925
6.0
10
单位
V
A
A
kA
2
s
W
kV
pC
热学和力学额定值
内部绝缘:
底板材料:
爬电距离:
通关:
CTI (严重漏电起痕指数) :
氮化铝
铝碳化硅
20mm
10mm
175
测试条件
连续耗散 -
结到外壳
R
个( C-H)
热电阻 - 案件散热器
(每个模块)
T
j
T
英镑
-
结温
存储温度范围
螺杆转矩
安装 - M6
电气连接 - M5
安装扭矩5Nm的
(带安装脂)
-
-
-
–40
-
-
-
-
-
-
125
125
5
4
C
C
Nm
Nm
-
-
16
C /千瓦
分钟。
-
典型值。
-
符号
R
日(J -C )
参数
热电阻 - 二极管(每组)
马克斯。
108
单位
C /千瓦
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DFM200PXM33-A000
典型特征
400
T
j
= 25C
T
j
= 125C
350
瞬态热阻抗,Z
日(J -C )
- ( ° C /千瓦)
V
F
处测得的功率母线
而不是辅助端子
1000
300
正向电流I
F
- (A)
100
二极管
250
200
150
10
100
50
R
i
( C / KW )
τ
i
(女士)
0.01
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
正向电压,V
F
- (V)
1
0.001
1
2
3
4
2.9545 15.6459 22.2515 67.3233
0.0843 3.7205 33.2138 236.5275
1
10
0.1
脉冲宽度,T
p
- (s)
图。 2二极管的典型正向特性
1000
900
300
800
功耗,P
合计
- (W)
图。 4瞬态热阻抗
350
600
500
400
300
200
直流正向电流,I
F
- (A)
700
250
200
150
100
50
100
0
0
0
25
50
75
100
外壳温度,T
例
- (°C)
125
150
0
25
50
75
100
外壳温度,T
例
- (°C)
125
150
图。 5功耗
图。 6DC额定电流VS外壳温度
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