三相二极管+晶闸管
DFA150AA80/160
三社电机
电源模块，
DFA150AA,
是复杂的孤立
它被设计为皮疹电流电路模块。
它包含六个二极管连接成三相桥
配置，并连接到直流线路的可控硅。
●
这
１８
０
９± ．
３ ０３
２
２
２ １．
２ ５５
１． ２
３５ ０
M
４
８
深度1毫米
０
１
２
R
２
R
２
＋
＋
４φ .
- ５８
二极管模块和晶闸管放在一起。
●
这
模块还分离electorode的类型
R2
G
＋
端子和安装基地。所以，你可以把这个
模块共同另一个在同一个散热片。
（应用程序）
●
逆变器的AC或DC电机控制，电流稳定
电源，开关电源。
６ ６
-M
深度1毫米
０
R
R
S
S
T
T
２
８
４
２
２
２
２
２
１
２．
８５
７
２± ．
７ ０３
单位： ㎜
●二极管
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
符号
I
D
I
FSM
Tj
TSTG
V
ISO
项
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
项
输出电流（直流）
正向电流浪涌
工作结温
储存温度
绝缘击穿电压（均方根）
MOUNTING
力矩
块
MOUNTING
（M5）
Terminal（M6）
Terminal（M4）
交流1分钟
推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
推荐值2.5-3.9 （ 25-40 ）
推荐值1.0-1.4 （ 10-14）
典型的价值
评级
DFA150AA80
800
960
条件
三相全波， TC = 93 ℃
（ TJ = 25 ℃除非另有规定）
DFA150AA160
1600
1700
评级
150
1460/1600
40
to
＋150
40
to
＋125
2500
2.7（28）
4.7（48）
1.5（15）
460
N½m
（kgf½B）
g
单位
V
V
单位
A
A
℃
℃
V
回循环，
50/60H
Z
，峰值，非重复性
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
RRM
V
FM
项
反向重复峰值电流，最大值
正向压降，最大。
条件
T
j
＝150℃，V
R
=V
RRM
I
F
＝150A，Inst.
测量
结到外壳（ TOTAL ）
案件翅
评级
15
1.35
0.14
0.07
单位
mA
V
℃/W
℃/W
RTH J- C）热阻抗，最大。
（
RTH C-F ）的热阻抗，最大。
（
三社电机
50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
１
８ ２
３
４ ．± ．
８０ ０３
６
２
２．
４５
模块设计非常紧凑。因为
G
DFA150AA80/160
●晶闸管
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
V
DRM
符号
（
I
牛逼AV）
（ TJ = 25 ℃除非另有规定）
项
评级
DFA150AA80
800
960
800
条件
SINGL相半波。 180 °
传导，TC ： 93 ℃
回循环，
50/60H
Z
，峰值，非重复性
I
G
＝100mA，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.1A/
V
／
di
μs
交流1分钟
DFA150AA160
1600
1700
1600
评级
150
1460/1600
10670
150
2500
40
to
＋135
40
to
＋125
推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
推荐值2.5-3.9 （ 25-40 ）
推荐值1.0-1.4 （ 10-14）
典型的价值
2.7（28）
4.7（48）
1.5（15）
460
N½m
（㎏f½B）
g
单位
V
V
V
单位
A
A
A
2
S
A/
μs
V
℃
℃
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
重复峰值断态电压
项
平均通态电流
浪涌通态电流
I
2
T（用于热熔）
通态电流临界上升率
绝缘击穿电压（均方根）
工作结温
储存温度
MOUNTING
力矩
块
MOUNTING
（M5）
终端M6 ）
（
终端M4 ）
（
I
TSM
I
2
t
的di / dt
V
ISO
Tj
TSTG
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
V
GT
dv / dt的
项
重复峰值断态电流，最大。
反向重复峰值电流，最大值
峰值通态电压，最大。
门极触发电流，最大。
门极触发电压，最大。
场外的临界上升率
态电压，分。
条件
Tj＝135℃，V
D
＝V
DRM
Tj＝135℃，V
D
＝V
RRM
Tj＝25℃，I
TM
＝150A，
，研究所。
测量
Tj＝25℃，V
D
＝6V，I
T
＝1A
Tj＝25℃，V
D
＝6V，I
T
＝1A
Tj＝125℃，V
D
＝
2 3
V
DRM
／
结到外壳
案件翅
评级
100
100
1.35
70
3
500
0.21
0.07
单位
mA
mA
V
mA
V
V/
μs
℃/W
℃/W
RTH J- C）热阻抗，最大。
（
RTH C-F ）的热阻抗，最大。
（
１０
００
二极管的最大正向特性
功耗帕乌W）
（
马克斯。
４０
５
４０
０
３０
５
３０
０
２０
５
２０
０
１０
５
二极管输出电流与功率耗散
正向电流I（A ）
F
５０
０
２０
０
１０
０
５
０
三相
Ｔ= ５
½２ ℃
１０
０
５
０
０
０
２
０
４
０
６
０
８
０
１０
０
１０
２
１０
４
１０
６
２
０
１
０
０５
．
１０
．
１５
．
２０
．
２５
．
正向压降V（V ）
F
输出电流I
D
A）
（
三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
DFA150AA80/160
允许外壳温度Tc
（℃）
三相
浪涌正向电流I
FSM
（A）
１０
５
１０
４
１０
３
１０
２
１０
１
１０
０
９
０
二极管输出电流 -
允许外壳温度
正向浪涌电流额定值
（不重复）
１０
８０
１０
６０
１０
４０
１０
２０
１０
００
８０
０
６０
０
４０
０
２０
０
０
１
２
５
１
０
２
０
５
０
１０
０
5赫兹
０
Ｓ½½ ½ ½ ½½½ ½ ½
½½½ ½ ½ ½ ½ ½
½
T = 5开始
½２ ℃
6赫兹
０
每一个元素
８
０
０
２
０
４
０
６
０
８
０
１０
０
１０
２
１０
４
１０
６
输出电流I
D
A）
（
瞬态热阻抗
θ
（℃/W）
J-
时间
（周期）
１
０
０
５
２
１
１
０
５
２
１
２
０
５
２
１
３
０
５
２
１
４
０
５
２
１
５ ー６
０
１ ２
０
１
２
２
０
二极管瞬态热阻抗
１０
０
５
０
GATE特性
栅极电压
（V）
结到外壳
２
０
１
０
５
２
１
０５
．
０２
．
０１
．
１
０
２
０
峰值正向栅极电压
（10V）
Av
ê RA
Pe
ak
ow
ge
Ga
te
e（
r１
０W
）
Po
we
（３
r
W）
１ ℃
０
１５
３℃
２℃
５
最大栅极非触发电压
最大
５ １
ー５
２
０
５ １
１
２
０
时间
t
秒）
（
０
５ １
ー４
２
５ １
０
２
０
５ １
ー３
２
０
５ １
１
０
０
５ １
ー２
５ １０ ２０
０ ０
０
５０ １０ ２０
０ ００ ００
５０ １００
００ ００
栅电流
（MA ）
１０
００
SCR最大正向特性
马克斯。
２０
５
SCR输出电流与功率耗散
通态峰值电流I（A ）
T
５０
０
２０
０
１０
０
５
０
Ｔ= ５
½２ ℃
功耗帕乌W）
（
２０
０
１０
５
１０
０
５
０
２
０
１
０
０５
．
１０
．
１５
．
２０
．
２５
．
０
０
２
０
４
０
６
０
８
０
１０ １０ １０ １０ １０
０
２
４
６
８
导通状态电压降V
TM
（V）
Maximam允许外壳温度
（℃）
瞬态热阻抗
θ
（℃/W）
J-
输出电流
（A）
１０
６
１０
４
１０
２
１０
０
８
０
６
０
４
０
２
０
SCR输出电流 -
最大允许外壳温度
０
０
２
０
４
０
６
０
８
０
１０ １０ １０ １０ １０
０
２
４
６
８
输出电流
（A）
１
０
０
５
２
１
１
０
５
２
１
２
０
５
２
１
３
０
５
２
１
４
０
５
２
１
５ ー６
０
１ ２
０
１
２
２
０
SCR瞬态热阻抗
结到外壳
最大
５ １
ー５
２
０
５ １
１
２
０
时间
t
秒）
（
０
５ １
ー４
２
５ １
０
２
０
５ １
ー３
２
０
５ １
１
０
栅极峰值电流3
（ A）
Ga
TE P
０
５ １
ー２
三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
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