【DF6F6.8MCTCESD保护二极管硅外延平面DF6F6.8MCTC1.应用ESD保护本产品设计用】,IC型号DF6F6.8MCTC,DF6F6.8MCTC PDF资料,DF6F6.8MCTC经销商,ic,电子元器件-51电子网

DF6F6.8MCTC

ESD保护二极管

硅外延平面

DF6F6.8MCTC

1.应用

ESD保护

本产品设计用于防止静电放电（ESD ），但不适合用于任何其它

用途，包括，但不限于，电压调节。

注意：

2.特点

(1)

(2)

(3)

ESD保护达4个高速数据线和1个公交线路。

超小型封装中任何ESD保护电路配置简单。

低输入/输出对地的电容：C

T- GND

（ 1 ） = 0.6 pF的（典型值）。

3.包装和内部电路引脚分配

1 ： I / O 1

2 ： GND

3 ： I / O 2

4 ： I / O 3

5: V

公共汽车

6 ： I / O 4

CST6C

4.绝对最大额定值（注）（除特别注明外，T

= 25

)

特征

结温

储存温度

符号

英镑

记

等级

150

-55到150

单位

注意：

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

2012-05-24

Rev.2.0

DF6F6.8MCTC

5.电气特性（除非另有规定，T

= 25

)

特征

工作峰值反向电压

反向击穿电压

符号

RWM

(1)

(2)

反向电流

(1)

(2)

输入/输出线对地

电容

T- GND

(1)

T- GND

(2)

输入/输出线对地

电容差

总电容

T- GND

注1

记

= 5毫安

（ I / O之间 - GND引脚）

= 5毫安

（在V

公共汽车

- GND引脚）

RWM

= 5 V

（ I / O之间 - GND引脚）

RWM

= 5 V

（在V

公共汽车

- GND引脚）

= 0 V ， F = 1兆赫

（ I / O之间 - GND引脚）

= 0 V ， F = 1兆赫

（在V

公共汽车

- GND引脚）

= 0 V ， F = 1兆赫

（ I / O之间 - GND引脚）

= 0 V ， F = 1兆赫

（ I / O之间 - I / O引脚）

测试条件

民

6.0

6.8

典型值。

0.6

0.01

0.3

最大

5.0

0.5

1.0

单位

注1 ：通过设计保证。

6.保证ESD保护（注）

测试条件

IEC61000-4-2 （接触放电）

ESD保护

±8

注意：

标准：无损坏设备。

7，打标

图。 7.1标志

标识代码

产品型号

DF6F6.8MCTC

2012-05-24

Rev.2.0

DF6F6.8MCTC

8.焊盘图形尺寸仅供参考

图。 8.1盘图形尺寸仅供参考（单位：毫米）

2012-05-24

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DF6F6.8MCTC

9.特性曲线（注）

图。 9.1我

- V

（ I / O之间 - GND引脚）

图。 9.2我

- V

（ I / O之间 - GND引脚）

图。 9.3

- V

（ I / O之间 - GND引脚）

图。 9.4 V

- I

（ I / O之间 - GND引脚）

注意：

上述特性曲线呈现仅供参考，不生产测试保障，

除非另有说明。

2012-05-24

Rev.2.0

DF6F6.8MCTC

包装尺寸

单位：mm

重量： 2.0毫克（典型值）。

套餐名称（S ）

昵称： CST6C

2012-05-24

Rev.2.0

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