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DF3A8.2LFU
为保护儿童不受ESD外延平面型二极管东芝
DF3A8.2LFU
二极管，用于保护儿童不受ESD
单位：mm
·
因为两个设备被安装在一个超紧凑的封装，它是
可以允许减少部件的数量和安装
成本。
齐纳电压对应E24系列。
低总电容：C
T
= 5.0 pF的（典型值）。
·
·
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
功耗
结温
存储温度范围
符号
P
T
j
T
英镑
等级
200
125
-55
到125
单位
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
1-2P1A
电气特性
（大
=
25°C)
特征
齐纳电压
动态阻抗
膝关节动态阻抗
反向电流
总电容
符号
V
Z
Z
Z
Z
ZK
I
R
C
T
I
Z
=
5毫安
I
Z
=
5毫安
I
Z
=
0.5毫安
V
R
=
5 V
V
R
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
民
7.8
典型值。
8.2
5.0
最大
8.6
60
100
0.5
单位
V
W
W
mA
pF
ESD抗扰性的保证水平
记号
等效电路
（ TOP VIEW ）
测试条件
IEC61000-4-2
（接触放电）
静电放电抗扰度
±6
kV
FU
Q1
Q2
1
2002-01-16
DF3A8.2LFU
I
Z
– V
Z
100 m
100
I
F
– V
F
(A)
1 m
正向电流I
F
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
齐纳电流
I
Z
（MA ）
10
10 m
100
m
10
m
1
m
5
1
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
齐纳电压V
Z
(V)
正向电压
V
F
(V)
C
T
– V
R
10
Ta
=
25°C
f
=
1兆赫
总电容
C
T
1
0
（PF ）
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
反向电压V
R
(V)
2
2002-01-16
DF3A8.2LFU
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
3
2002-01-16
查看更多DF3A8.2LFUPDF信息
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DVFL2815SDL-XXX
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