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DF3A8.2FV
为保护儿童不受ESD外延平面型二极管东芝
DF3A8.2FV
产品仅用于为防止静电防护
放电(ESD )
0.22±0.05
1.2±0.05
0.8±0.05
0.32±0.05
3
0.13±0.05
单位:mm
1.2±0.05
0.8±0.05
0.4
0.4
0.5±0.05
*
本产品是用于防止静电放电( ESD )仅
并且不能用于任何其他用途,包括但不限于
稳压二极管的应用。
结合两个设备在一个超紧凑的封装降低了
部件的数目,降低了安装成本。
1
2
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
功耗
结温
存储温度范围
符号
P*
T
j
T
英镑
等级
150
150
55~150
单位
mW
°C
°C
1. Cathode1
2. Cathode2
3.阳极
VESM
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下(即
工作温度/电流/电压等)内的绝对
最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册( “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ )和个人
可靠性数据(即可靠性试验报告,估计故障率,
等)。
*:
安装在FR4电路板(25.4毫米
×
25.4 mm
×
1.6万吨)
0.5mm
0.45mm
0.45mm
0.4mm
JEDEC
JEITA
东芝
1-1Q1B
重量: 0.0015克(典型值)。
电气特性
( TA = 25°C )
特征
齐纳电压
动态阻抗
反向电流
终端电容
(在阴极和阳极)
符号
V
Z
Z
Z
I
R
C
T
I
Z
=
5毫安
I
Z
=
5毫安
V
R
=
6.5 V
V
R
= 0中,f = 1MHz的
测试条件
7.7
典型值。
8.2
最大
8.7
20
0.5
单位
V
Ω
μA
pF
38
1
2007-11-01
DF3A8.2FV
ESD抗扰性的保证水平
测试条件
IEC61000-4-2
(接触放电)
静电放电抗扰度
±
30kV
标准:不损坏器件的元素
记号
8.2
等效电路
( TOP VIEW )
I
Z
– V
Z
100 m
CT - VR
100
总电容CT ( pF)的
Ta=25°C
f=1MHz
10 m
齐纳电流I
Z
(A)
1 m
100
μ
10
μ
1
μ
5
10
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
2
4
6
8
10
齐纳电压
V
Z
(V)
反向电压VR ( V)
2
2007-11-01
DF3A8.2FV
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
3
2007-11-01
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