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DF3A3.3FV

为保护儿童不受ESD外延平面型二极管东芝

DF3A3.3FV

产品仅用于为防止静电防护

放电（ESD ）。

0.22±0.05

1.2±0.05

0.8±0.05

0.32±0.05

0.13±0.05

单位：mm

1.2±0.05

0.8±0.05

0.4

0.5±0.05

本产品是用于防止静电放电（ ESD ）仅

并且不能用于任何其他用途，包括但不限于

稳压二极管的应用。

两款器件的超小型封装的安装降低了

零件的数量并降低了组装成本。

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

功耗

结温

存储温度范围

符号

英镑

等级

150

~ 150

单位

°C

VESM

1. Cathode1

2. Cathode2

3.阳极

注：在重负载下连续使用的（如高的应用

JEDEC

温度/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

JEITA

可靠性显著即使工作条件下（即

东芝

1-1Q1B

工作温度/电流/电压等）内的绝对

最大额定值。

重量0.0015克（典型值）。

请在审查设计相应的可靠性

东芝半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告，

估计的故障率，等）。

安装在FR4电路板（25.4毫米

25.4 mm

1.6万吨）

0.5mm

0.45mm

0.4mm

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

齐纳电压

动态阻抗

反向电流

终端电容

（在阴极和阳极）

符号

5毫安

1.5 V

= 0中，f = 1MHz的

测试条件

民

3.1

―

典型值。

3.3

―

115

最大

3.5

130

100

―

单位

μA

2007-11-01

DF3A3.3FV

ESD抗扰性的保证水平

测试条件

IEC61000-4-2

（接触放电）

静电放电抗扰度

30千伏

标准：不损坏器件的元素

记号

3.3

等效电路

（ TOP VIEW ）

IZ - VZ

100

Ta=25°C

齐纳电流IZ （毫安）

0.1

0.01

0.001

齐纳电压Vz （ V）

总电容CT （ pF）的

1000

CT - VR

f=1MHz

Ta=25°C

100

反向电压VR （ V）

2007-11-01

DF3A3.3FV

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701-EN

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节

兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品

该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任

如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2007-11-01

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