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DF2S5.6S
为保护儿童不受ESD外延平面型二极管东芝
DF2S5.6S
产品仅用于为防止静电防护
放电(ESD ) 。
*
本产品是用于防止静电放电( ESD )
只,不适合用于任何其它用途,包括但不
的限制,稳压二极管的应用。
2terminal超小型封装,适合于安装在小的空间。
阴极标记
单位:mm
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
功耗
结温
存储温度范围
符号
P
T
j
T
英镑
等级
150*
150
55~150
单位
mW
°C
°C
注:在重负载下连续使用的(如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
JEDEC
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下(即
JEITA
工作温度/电流/电压等)内的
东芝
1-1K1A
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
重量:0.0001克(典型值)。
东芝半导体可靠性手册( “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ )和个人
可靠性数据(即可靠性测试报告和估计故障率等)。
*:
安装在20×20毫米, 4× 4毫米焊盘尺寸的玻璃环氧电路板。
电气特性
( TA = 25°C )
特征
齐纳电压
动态阻抗
反向电流
总电容
符号
V
Z
Z
Z
I
R
C
T
测试条件
I
Z
= 5毫安
I
Z
= 5毫安
V
R
= 3.5 V
V
R
=
0 V,F
=
1兆赫
5.3
典型值。
5.6
40
最大
6.0
30
1
单位
V
μA
pF
ESD抗扰性的保证水平
测试条件
IEC61000-4-2
(接触放电)
静电放电抗扰度
记号
6.
等效电路
( TOP VIEW )
± 30千伏
标准:不损坏器件的元素
1
2007-11-01
DF2S5.6S
CT - VR
100
F = 1MHz的
TA = 25°C
100
TA = 25°C
齐纳电流IZ (毫安)
10
IZ - VZ
总电容CT ( pF)的
10
1
0
0.1
1
0
1
2
3
4
5
6
0.01
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
反向电压VR ( V)
齐纳电压Vz ( V)
2
2007-11-01
DF2S5.6S
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
3
2007-11-01
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