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DF2B6.8M1ACT
ESD保护二极管
硅外延平面
DF2B6.8M1ACT
1.应用
ESD保护
本产品设计用于防止静电放电（ESD ） ，但不适合用于任何其它
用途，包括，但不限于，电压调节。
注意：
2.包装与内部电路
1 ： 1针
2 ： 2针
CST2
25
3.绝对最大额定值（注） （除特别注明外，T
a
= 25
)
特征
静电放电电压（ IEC61000-4-2 ） （联系方式）
结温
储存温度
符号
V
ESD
T
j
T
英镑
等级
±8
150
-55到150
单位
kV
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
1
2012-07-03
Rev.2.0
DF2B6.8M1ACT
4.电气特性（除非另有规定，T
a
= 25
)
25
V
RWM
：工作峰值反向
电压
V
BR
：反向击穿电压
I
BR
：反向击穿电流
I
R
：反向电流
V
C
：钳位电压
I
PP
：峰值脉冲电流
R
DYN
：动态性
图。电气特性的4.1定义
特征
工作峰值反向电压
反向击穿电压
反向电流
钳位电压
动态电阻
总电容
符号
V
RWM
V
BR
I
R
V
C
R
DYN
C
t
记
I
BR
= 1毫安
测试条件
民
6.0
典型值。
12
0.8
0.3
最大
5.0
0.5
0.5
单位
V
V
A
V
pF
V
RWM
= 5 V
（注1 ）I
PP
= 1 A
（注2 ）
（注3 ）V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
注1 ：根据IEC61000-4-5 8/20
s
脉搏。
注2 ： TLP参数： Z0 = 50
， TP = 100纳秒， TR = 300 ps的，平均的窗口： T1 = 30 ns至T2 = 60纳秒，
采用最小二乘方拟合的TLP的特征在I动态电阻的萃取
PP
A A. 3至8
注3 ：设计保证。
5.保证ESD保护（注）
测试条件
IEC61000-4-2 （接触放电）
ESD保护
±8
kV
注意：
标准：无损坏设备。
2
2012-07-03
Rev.2.0
DF2B6.8M1ACT
6.标记
图。 6.1标识
标识代码
NB
产品型号
DF2B6.8M1ACT
7.焊盘图案尺寸（仅供参考）
图。 7.1盘图形尺寸（单位：毫米）
3
2012-07-03
Rev.2.0
DF2B6.8M1ACT
8.特性曲线（注）
图。 8.1 I - V
图。 8.2我
R
- V
R
图。 8.3
t
- V
R
注意：
图。 8.4
t
- f
上述特性曲线呈现仅供参考，不生产测试保障，
除非另有说明。
4
2012-07-03
Rev.2.0
DF2B6.8M1ACT
9.钳位电压（V
C
） - 峰值脉冲电流（I
PP
） （注）
图。 9.1 V
C
- I
PP
注意：
图。 9.2基于IEC61000-4-5 8/20
脉搏。
上述特性曲线呈现仅供参考，不生产测试保障，
除非另有说明。
10.插入损耗（ S21 ） （注）
图。 10.1 S21 - F
注意：
上述特性曲线呈现仅供参考，不生产测试保障，
除非另有说明。
5
2012-07-03
Rev.2.0
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