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DF2B6.8M1ACT

ESD保护二极管

硅外延平面

DF2B6.8M1ACT

1.应用

ESD保护

本产品设计用于防止静电放电（ESD ），但不适合用于任何其它

用途，包括，但不限于，电压调节。

注意：

2.包装与内部电路

1 ： 1针

2 ： 2针

CST2

3.绝对最大额定值（注）（除特别注明外，T

= 25

)

特征

静电放电电压（ IEC61000-4-2 ）（联系方式）

结温

储存温度

符号

ESD

英镑

等级

±8

150

-55到150

单位

注意：

在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大

收视率。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ "Handling Precautions" / "Derating概念和Methods" ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

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4.电气特性（除非另有规定，T

= 25

)

RWM

：工作峰值反向

电压

：反向击穿电压

：反向击穿电流

：反向电流

：钳位电压

：峰值脉冲电流

DYN

：动态性

图。电气特性的4.1定义

特征

工作峰值反向电压

反向击穿电压

反向电流

钳位电压

动态电阻

总电容

符号

RWM

DYN

记

= 1毫安

测试条件

民

6.0

典型值。

0.8

0.3

最大

5.0

0.5

单位

RWM

= 5 V

（注1 ）I

= 1 A

（注2 ）

（注3 ）V

= 0 V ， F = 1兆赫

注1 ：根据IEC61000-4-5 8/20

脉搏。

注2 ： TLP参数： Z0 = 50

， TP = 100纳秒， TR = 300 ps的，平均的窗口： T1 = 30 ns至T2 = 60纳秒，

采用最小二乘方拟合的TLP的特征在I动态电阻的萃取

A A. 3至8

注3 ：设计保证。

5.保证ESD保护（注）

测试条件

IEC61000-4-2 （接触放电）

ESD保护

±8

注意：

标准：无损坏设备。

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6.标记

图。 6.1标识

标识代码

产品型号

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7.焊盘图案尺寸（仅供参考）

图。 7.1盘图形尺寸（单位：毫米）

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8.特性曲线（注）

图。 8.1 I - V

图。 8.2我

- V

图。 8.3

- V

注意：

图。 8.4

- f

上述特性曲线呈现仅供参考，不生产测试保障，

除非另有说明。

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9.钳位电压（V

） - 峰值脉冲电流（I

）（注）

图。 9.1 V

- I

注意：

图。 9.2基于IEC61000-4-5 8/20

脉搏。

上述特性曲线呈现仅供参考，不生产测试保障，

除非另有说明。

10.插入损耗（ S21 ）（注）

图。 10.1 S21 - F

注意：

上述特性曲线呈现仅供参考，不生产测试保障，

除非另有说明。

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