二极管
（三相桥式）
DF200BA40/80
UL ; E76102 M）
（
功率二极管模块
DF200BA
被设计为三相全波整流，其
有六个二极管连接成三相桥式结构。的安装基座
模块被电从简单的散热片的半导体元件分离
建设。输出直流电流200Amp
（Tc＝102℃）
反向重复峰值
电压高达800V 。
安装底座
●
通过独特的玻璃钝化高可靠性
（应用程序）
AC，DC电机驱动器/ AVR /开关
- 对于三相整流
1 2 3
110±0.5
93±0.5
25±0.2 25±0.2
5±0.2
5±0.2
25±0.2
50±0.5
＋
2-φ
5.
5±
0.
2
●
隔离
13
●
TjMax＝150℃
12±0.3
25±0.2
5-M5
5±0.2
铭牌
＋4
5
单位：A
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
符号
I
D
I
FSM
I
2
t
Tj
TSTG
V
ISO
项
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
项
输出电流（ D.C ）。
正向电流浪涌
I
2
t
工作结温
储存温度
绝缘击穿电压
（均方根）
交流1分钟
MOUNTING
力矩
块
Mounting（M5）
Terminal（M5）
推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
典型的价值
评级
DF200BA40
400
480
条件
三相全波，T
C
＝102℃
（ TJ = 25 ℃除非另有规定）
DF200BA80
800
960
评级
200
1850/2000
17000
-40到+150
-40到+125
2500
2.7（28）
2.7（28）
360
单位
V
V
单位
A
A
A
2
S
℃
℃
V
N½m
（㎏f½B）
g
1个循环，50 / 60H
Z
，峰值，非重复性
用于浪涌电流的一个周期的值
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
RRM
V
FM
项
重复峰值反向电流，最大。
正向压降，最大。
TJ = 150 ℃在V
RRM
T
j
＝25℃，I
FM
＝200A,
中国科学院测量
结到外壳
条件
评级
20.0
1.20
0.10
单位
mA
V
℃/W
RTH J- C）热阻抗，最大。
（
三社电机
50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
23.5±0.5
6.7±0.3
29
＋1
0.5
DF200BA40/80
10
3
５
最大正向特性
６０
０
输出电流与功率耗散
２
５
２
１
２
０
功耗帕乌W）
（
正向电流I（A ）
F
４０
０
三相
１
１
０
５
２
Tj＝25℃
２０
０
０６
．
０８
．
１０
．
１２
．
１４
．
１６
．
１８
．
２０
．
０
０
１０
０
２０
０
正向压降V（V ）
F
输出电流I
D
A）
（
允许外壳温度Tc
（℃）
１０
５
１０
４
１０
３
１０
２
１０
１
１０
０
９
０
输出电流与允许外壳温度
２０
００
周期正向电流浪涌额定值
（不重复）
每一个元素
TJ = 25℃时开始
浪涌正向电流I（A ）
F
１０
００
60Hz
50Hz
三相
０
１０
０
２０
０
３０
０
０
0
１
０
２
５
１
1
０
２
５
１
2
０
输出电流I
D
A）
（
瞬态热阻抗
θ
（℃/W）
J-
时间
（周期）
０５
．
１
瞬态热阻抗
（最大）
００
．
１
结到外壳
０５
．
０
０
５ １
-1
０
２
０
５ １
0
时间
t
秒）
（
２
０
５ １
1
２
５
三社电机
50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
二极管
（三相桥式）
DF200BA40/80
UL ; E76102 M）
（
功率二极管模块
DF200BA
被设计为三相全波整流，其
有六个二极管连接成三相桥式结构。的安装基座
模块被电从简单的散热片的半导体元件分离
建设。输出直流电流200Amp
（Tc＝102℃）
反向重复峰值
电压高达800V 。
安装底座
●
通过独特的玻璃钝化高可靠性
（应用程序）
AC，DC电机驱动器/ AVR /开关
- 对于三相整流
1 2 3
110±0.5
93±0.5
25±0.2 25±0.2
5±0.2
5±0.2
25±0.2
50±0.5
＋
2-φ
5.
5±
0.
2
●
隔离
13
●
TjMax＝150℃
12±0.3
25±0.2
5-M5
5±0.2
铭牌
＋4
5
单位：A
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
符号
I
D
I
FSM
I
2
t
Tj
TSTG
V
ISO
项
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
项
输出电流（ D.C ）。
正向电流浪涌
I
2
t
工作结温
储存温度
绝缘击穿电压
（均方根）
交流1分钟
MOUNTING
力矩
块
Mounting（M5）
Terminal（M5）
推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
典型的价值
评级
DF200BA40
400
480
条件
三相全波，T
C
＝102℃
（ TJ = 25 ℃除非另有规定）
DF200BA80
800
960
评级
200
1850/2000
17000
-40到+150
-40到+125
2500
2.7（28）
2.7（28）
360
单位
V
V
单位
A
A
A
2
S
℃
℃
V
N½m
（㎏f½B）
g
1个循环，50 / 60H
Z
，峰值，非重复性
用于浪涌电流的一个周期的值
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
RRM
V
FM
项
重复峰值反向电流，最大。
正向压降，最大。
TJ = 150 ℃在V
RRM
T
j
＝25℃，I
FM
＝200A,
中国科学院测量
结到外壳
条件
评级
20.0
1.20
0.10
单位
mA
V
℃/W
RTH J- C）热阻抗，最大。
（
三社电机
50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
23.5±0.5
6.7±0.3
29
＋1
0.5
DF200BA40/80
10
3
５
最大正向特性
６０
０
输出电流与功率耗散
２
５
２
１
２
０
功耗帕乌W）
（
正向电流I（A ）
F
４０
０
三相
１
１
０
５
２
Tj＝25℃
２０
０
０６
．
０８
．
１０
．
１２
．
１４
．
１６
．
１８
．
２０
．
０
０
１０
０
２０
０
正向压降V（V ）
F
输出电流I
D
A）
（
允许外壳温度Tc
（℃）
１０
５
１０
４
１０
３
１０
２
１０
１
１０
０
９
０
输出电流与允许外壳温度
２０
００
周期正向电流浪涌额定值
（不重复）
每一个元素
TJ = 25℃时开始
浪涌正向电流I（A ）
F
１０
００
60Hz
50Hz
三相
０
１０
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３０
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０
0
１
０
２
５
１
1
０
２
５
１
2
０
输出电流I
D
A）
（
瞬态热阻抗
θ
（℃/W）
J-
时间
（周期）
０５
．
１
瞬态热阻抗
（最大）
００
．
１
结到外壳
０５
．
０
０
５ １
-1
０
２
０
５ １
0
时间
t
秒）
（
２
０
５ １
1
２
５
三社电机
50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
QQ：2880707522 复制
