DF005S THRU DF10S
特点
·玻璃钝化片建设
·扩散结
·低正向压降，高电流能力
·浪涌过载额定值为50A峰值
·专为表面贴装应用
·塑料材料 - UL可燃性分类94V- 0
L
当前1.0安培
电压50到1000伏特
G
A B
D E
H
J
C
DF -S
暗淡
民
7.40
6.20
0.22
0.076
1.02
8.13
2.40
5.00
1.00
最大
7.90
6.50
0.30
0.33
10.40
1.53
8.51
2.60
5.20
1.20
机械数据
·案例：模压塑料
·码头：焊接镀信息，
每MIL -STD- 202方法208
·极性：标示案例
·大约重量： 0.38克
·安装位置：任意
·标记：型号数量
K
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
一ll梦诗离子毫米
最大额定值和电气特性
（在25℃环境温度，除非另有规定等级，单相半波60赫兹，电阻或电感
负载。对于容性负载， 20％减免）
符号
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@ T
A
=40
℃
V
RMM
V
RWM
V
R
V
RMS
Io
I
FSM
V
FM
I
RM
I
2
t
C
j
Rθ
JA
T
j
T
英镑
DF
005S
50
35
DF
01S
100
70
DF
02S
200
140
DF
04S
400
280
1.0
50
1.1
10
500
10.4
25
40
-65到+150
DF
06S
600
420
DF
08S
800
560
DF
10S
1000
700
单位
伏
伏
AMP
AMP
伏
μA
A
2S
pF
℃/W
℃
非重复性峰值正向浪涌电流，
8.3ms单半正弦波叠加
在额定负荷（ JEDEC的方法）
正向电压（每件）
@ I
F
=1.0 A
@ T
A
=25℃
额定峰值反向电流
（元元） @ T阻断电压DC
A
=100℃
I
2
T级的融合（ t<8.3ms ）
典型结电容
每个元素（注1 ）
典型热阻，
结到环境（注2 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
（ 1 ）测得1.0MHz和4.0V DC应用反向电压。
（ 2 ）热阻，结点到环境，在PC板5.0测量
2
毫米（ 0.03毫米厚）土地面积。
额定值和特性曲线DF005S THRU DF10S
(A)
1.0
(A)
60赫兹电阻或
感性负载
10
T
j
= 25°C
脉冲宽度= 300μS
2 ％的占空比
I
F
， INST ANT FOR ANEOUS当前WARD
FOR WARD CURRENT
1.0
0.5
I
（AV）
，平均
0.1
0
40
60
80
100
120
140
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T
A
，周围的环境温度（ ° C）
网络克。 1输出电流Deratin克曲线
V
F
， INST ANT FOR ANEOUS病房VOL TAGE （ V）
网络克。 2典型正向特性（每件）
100
(A)
60
单半正弦波-W AVE
（ JEDEC的方法）
当前
50
C
J
， CAP ACIT ANCE （PF ）
T
j
= 25°c
F = 1.0 MHz的
V
SIG
= 50毫伏峰 - 峰值
I
FSM
，峰WARD SURGE
40
30
10
20
10
0
1
10
100
1
1
10
100
循环次数在60赫兹
网络克。 3最大非重复性峰值正向苏尔GE电流
100
V
R
，反VOL TAGE （ V）
网络克。 4典型结电容（每件）
(A)
当前
T
j
= 125°C
10
I
R
， INST ANT ANEOUS REVERSE
1.0
0.1
T
j
= 25°C
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
RA的TED峰值反向VOL TAGE百分比（％ ）
网络克。 5典型反向特性（每件）
DF005S - DF10S
分立功率&信号
技术
DF005S - DF10S
0.255 (6.477)
0.245 (6.223)
0.042 (1.067)
0.038 (0.965)
浪涌过载评价： 50安培
高峰期。
玻璃钝化结。
+
特点
0.205 (5.207)
0.195 (4.953)
0.335 (8.509)
0.320 (8.128)
SDIP
低漏电。
LOW PROFILE参见网站
BODY - - 0.102 （ 2.591 ） *
0.095 (2.413)*
外型尺寸是：
英寸（毫米）
0.009 (0.229)
典型
0.310 (7.874)
0.290 (7.366)
0.135 (3.429)*
0.115 (2.921)*
0.060 (1.524)
0.040 (1.016)
0.008 (0.203)
0.004 (0.102)
1.5安培桥式整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F（浪涌）
P
D
R
θJA
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
0.410 (10.414)
0.360 ( 9.144)
参数
平均整流电流
@ T
A
= 40°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境， **每腿
存储温度范围
工作结温
价值
1.5
单位
A
50
3.1
25
40
-55到+150
-55到+150
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
**
设备安装在PCB与0.5× 0.5" （ 13 ×13毫米）。
电气特性
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
005S
01S
100
70
100
02S
200
140
200
04S
400
280
400
5.0
500
1.1
10
25
06S
600
420
600
08S
800
560
800
10S
1000
700
1000
50
35
50
单位
V
V
V
A
A
V
2
几秒钟之内
pF
反向重复峰值电压
最大RMS桥输入电压
采用直流反接电压
（额定V
R
)
最大反向漏电流
共有桥@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
最大正向电压降，
每个桥
@ 1.0 A
2
I T额定值融合
吨< 8.35毫秒
典型结电容，每腿
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
1998
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
DF005S - DF10S ，版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
DF005S - DF10S
DF005S - DF10S
特点
浪涌过载评价： 50安培
高峰期。
玻璃钝化结。
低漏电。
UL认证， UL ＃ E111753 。
+
-
~
~
SDIP
桥式整流器器
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
005S
最高重复反向电压
最大RMS桥输入电压
采用直流反接电压
（额定V
R
)
平均正向电流整流，
@ T
A
= 40°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
50
35
50
01S
100
70
100
02S
200
140
200
价值
04S
400
280
400
1.5
50
-55到+150
-55到+150
06S
600
420
600
08S
800
560
800
10S
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
参数
功耗
热阻，结到环境， *
每腿
价值
3.1
40
单位
W
° C / W
*
设备安装在PCB与0.5× 0.5" （ 13 ×13毫米）。
电气特性
符号
V
F
I
R
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
正向电压，每桥@ 1.0
反向电流，总桥@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
I
2
T级的融合
吨< 8.35毫秒
总电容，每腿
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
设备
1.1
5.0
500
10
25
单位
V
A
A
A
2
s
pF
C
T
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
DF005S - DF10S ，版本C
DF005S - DF10S
桥式整流器器
（续）
典型特征
40
平均正向电流整流，我
F
[A]
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
50
1.5
1
30
20
0.5
10
0
1
2
5
10
20
循环次数在60Hz
50
100
0
20
40
60
80
100
120
环境温度[摄氏度]
140
160
图1.不重复浪涌电流
图2.正向电流降额曲线
10
10
T
A
= 100
C
正向电流I
F
[A]
1
反向电流，I
R
[马]
1
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 200μS
0.1
T
A
= 25
C
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
正向电压，V
F
[V]
1.4
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
额定峰值反向电压（％）百分比
图3.正向电压特性
图4.反向电流与反向电压
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
DF005S - DF10S ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
CE
陈毅电子
DF005S THRU DF10S
单相玻璃
钝化表面贴装整流桥
电压： 50至1000V电流： 1.0A
特点
对于表面安装应用程序
可靠的低造价，利用模压塑料
技术
浪涌过载额定值： 50A峰值
机械数据
.
终奌站：
每焊镀信息
MIL- STD 202E ，方法208C
.
案例：
UL - 94 V-0级公认的阻燃环氧树脂
.
极性：
极性符号标记体
.
安装位置：
任何
最大额定值和电气特性
（单相半波，60赫兹，电阻或电感的在25
对于容性负载，减免电流20 ％ ）
符号DF005S
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
目前在TA = 40
峰值正向浪涌电流8.3ms单
半正弦波叠加在额定负荷
最大正向电压在
正向电流1.0A
最大直流反向电压TA = 25
额定阻断电压DC TA = 125
典型结电容
工作温度范围
存储和工作结温
注意：
1.测量在1MHz和应用4.0伏的反向电压
Ir
Cj
Tj
TSTG
Vf
1.1
10.0
500
25
-55到+125
-55到+150
V
A
mA
pF
IFSM
50
A
IF （ AV ）
1
A
VRRM
VRMS
VDC
50
35
50
DF01S
100
70
100
DF02S
200
140
200
DF04S
400
280
400
DF06S
600
420
600
DF08S
800
560
800
DF10S
1000
700
1000
单位
v
v
v
中，除非另有说明，否则
版权所有@ 2000上海陈毅ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
第1页2
CE
陈毅电子
DF005S THRU DF10S
单相玻璃
钝化表面贴装整流桥
电压： 50至1000V电流： 1.0A
额定值和特性曲线DF005S THRU DF10S
图1 -最大非重复正向
浪涌电流
图2 ，典型正向电流
降额曲线
图3 - 典型正向
特征
图4 - 典型的反向特性
版权所有@ 2000上海陈毅ELECTRONICS CO 。 ， LTD。
第2页2
DF005S - DF10S
DF005S - DF10S
特点
浪涌过载评价： 50安培
高峰期。
玻璃钝化结。
低漏电。
UL认证， UL ＃ E111753 。
+
-
~
~
SDIP
桥式整流器器
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F（ AV ）
I
FSM
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
005S
最高重复反向电压
最大RMS桥输入电压
采用直流反接电压
（额定V
R
)
平均正向电流整流，
@ T
A
= 40°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
存储温度范围
工作结温
50
35
50
01S
100
70
100
02S
200
140
200
价值
04S
400
280
400
1.5
50
-55到+150
-55到+150
06S
600
420
600
08S
800
560
800
10S
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
热特性
符号
P
D
R
θJA
参数
功耗
热阻，结到环境， *
每腿
价值
3.1
40
单位
W
° C / W
*
设备安装在PCB与0.5× 0.5" （ 13 ×13毫米）。
电气特性
符号
V
F
I
R
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
正向电压，每桥@ 1.0
反向电流，总桥@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
I
2
T级的融合
吨< 8.35毫秒
总电容，每腿
V
R
= 4.0 V，F = 1.0 MHz的
设备
1.1
5.0
500
10
25
单位
V
A
A
A
2
s
pF
C
T
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
DF005S - DF10S ，版本C
DF005S - DF10S
桥式整流器器
（续）
典型特征
40
平均正向电流整流，我
F
[A]
峰值正向浪涌电流，I
FSM
[A]
50
1.5
1
30
20
0.5
10
0
1
2
5
10
20
循环次数在60Hz
50
100
0
20
40
60
80
100
120
环境温度[摄氏度]
140
160
图1.不重复浪涌电流
图2.正向电流降额曲线
10
10
T
A
= 100
C
正向电流I
F
[A]
1
反向电流，I
R
[马]
1
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 200μS
0.1
T
A
= 25
C
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
正向电压，V
F
[V]
1.4
0.01
0
20
40
60
80
100
120
140
额定峰值反向电压（％）百分比
图3.正向电压特性
图4.反向电流与反向电压
2001
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
DF005S - DF10S ，版本C
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
TM
EnSigna
TM
FACT
FACT静音系列
放弃
快
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SILENT SWITCHER
SMART START
* STAR POWER
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
支持设备或系统，其故障执行能
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
可以合理预期造成的生命的失败
不履行时，按照正确使用
支持设备或系统，或影响其安全性或
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
H4牧师
DF005S THRU DF10S
单相玻璃
钝化表面贴装桥
整流器器
电压： 50 1000V
电流： 1.0A
特征
对于表面安装应用程序
可靠的低造价，利用模压塑料
技术
浪涌过载额定值： 50 A峰
DFS
机械数据
终端：每焊镀信息
MIL- STD 202E ，方法208C
案例： UL - 94 V-0级公认的阻燃环氧树脂
极性：极性符号标记体
安装位置：任意
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
（单相，半波，60HZ，电阻或电感的在25℃ ，除非另有说明，否则
对于容性负载，减免电流20 ％ ）
符号
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流网络版
目前在TA = 40℃
峰值正向浪涌电流8.3ms单
半正弦波叠加在额定负荷
最大正向电压在
正向电流1.0A
反向电流最大DC
TA = 25_C
在额定阻断电压DC
TA = 125℃
典型结电容
工作温度范围
存储和工作结温
注意：
VRRM
VRMS
VDC
IF （ AV ）
IFSM
Vf
Ir
Cj
Tj
TSTG
DF
005S
50
35
50
DF
01S
100
70
100
DF
02S
200
140
200
DF
04S
400
280
400
1.0
50.0
1.1
DF
06S
600
420
600
DF
08S
800
560
800
DF
10S
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
V
A
mA
Pf
°C
°C
10.0
500.0
25.0
-55到+125
-55到+150
1.测得1.0 MHz和应用4.0伏电压
Rev.4
www.gulfsemi.com
额定值和特性曲线DF005S THRU DF10S
1
Rev.4
www.gulfsemi.com
表面贴装桥
DB101S THRU DB107S
DF005S THRU DB10S
特点
电压范围
当前
50到1000伏特
1.0安培
DFS
玻璃钝化结
非常适合表面安装应用程序
低漏
高正向浪涌电流能力
高温焊接保证：
260 ℃ / 10秒码头
0.205
(
5.2
)
0.195
(
5.0
)
0.404
(
10.3
)
0.386
(
9.80
)
0.255
(
6.5
)
0.245
(
6.2
)
-
+
-
0.047
(
1.20
)
0.040
(
1.02
)
-
0.060
(
1.524
)
0.040
(
1.016
)
0.013
(
0.330
)
0.003
(
0.076
)
0.013
(
0.330
)
0.009
(
0.241
)
机械数据
案例：模压塑料机身
环氧树脂： UL94V- 0率阻燃
极性：模压身体上
LeadP ：每MIL -STD- 202E镀金端子焊
方法208C
重量0.04盎司， 1.0克
0.335
(
8.51
)
0.320
(
8.13
)
45
O
.135
(
3.4
)
.115
(
2.9
)
尺寸以英寸
（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级
单相半波， 60HZ，电阻或电感性负载
对于容性负载电流20％
DB102S
符号
DB101S
DF005S
DF01S
最大反向峰值重复电压
V
RRM
50
100
最大RMS电压
V
RMS
35
70
最大直流阻断电压
V
DC
50
100
最大正向平均整流输出
目前， 0.06 “ （ 1.5毫米）引线长度在T
A
=40℃
（注2 ）
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
额定值融合（T \u003c 8.3ms的）
最大正向电压降
每桥元素1.0A
T
A
=25℃
额定最大反向电流
每个元素阻断电压DC
T
A
=125℃
典型结电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
工作和存储温度范围
DB103S
DF02S
DB104S
DF04S
DB105S
DF06S
DB106S
DF08S
DB107S
DF10S
200
140
200
400
280
400
1.0
50
10
1.1
5
0.5
25
40
（ -55到+150 ）
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
单位
伏
伏
伏
安培
安培
A
2
s
伏
μAMPS
毫安
℃
/W
I
（AV）
I
FSM
I
2
t
V
F
I
R
C
J
R
θJA
T
J
,T
英镑
V
AC
℃
注意事项：
1.Measured得1.0MHz和应用4.0伏特的反向电压。
2.Unit安装在P.C.B.与0.51 “× 0.51 ” （ 13 × 13毫米）铜焊盘。
电子信箱：
sales@cnmic.com
网站： www.cnmic.com
BL
特点
银河电子
DF005S---DF10S
表面贴装
玻璃钝化桥式整流器
反向电压
- 50
to
1000
伏
正向电流
- 1.0
安培
DF -S
等级达到1000V PRV
理想的印刷电路板
低正向压降高电流能力。
可靠的低造价，利用模压塑料
技术导致廉价的产品
铅铅/锡铜
塑料材料具有UL易燃性分类
94V-0
UL认可文件
A
I
D
B
J
G
C
DIM 。
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
DF -S
分钟。
8.20
6.20
7.40
2.40
5.00
1.14
.076
0.22
1.02
马克斯。
8.50
6.50
10.30
7.90
2.60
5.20
.330
0.30
1.53
机械数据
极性：对人体标示
重量0.02盎司， 0.38克
安装位置：任意
E
F
H
在毫米波所有尺寸
最大额定值和电气特性
25评分
℃
环境温度，除非另有规定。
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％
特征
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流
符号
DF005S
DF01S
DF02S
DF04S
400
280
400
1.0
50
1.1
10
500
10.4
25
40
-55到+150
-55到+150
DF06S
600
420
600
DF08S
800
560
800
DF10S
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F
（AV）
50
35
50
100
70
100
200
140
200
@T
A
=
40 C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
最大正向电压在1.0A DC
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
我T级的融合（T < 8.3ms的）
典型结
每个单元的电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
2
I
FSM
V
F
I
R
余吨
C
J
R
0JA
2
A
V
@T
J
=25 C
@T
J
=125 C
A
AS
pF
C / W
2
T
J
T
英镑
C
C
www.galaxycn.com
注： 1.Measured得1.0MHz和应用4.0V DC反向电压。
到环境安装在PCB结2.Thermal性
与0.5x0.5" （ 13x13mm ）铜焊盘。
文档编号0287083
BL
银河电子
1
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