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DF005S - DF10S - 桥式整流器
2007年10月
DF005S - DF10S
桥式整流器器
特点
浪涌过载评价:50安培峰值。
玻璃钝化结。
低漏。
UL认证, UL # E96005 。
~
~
+
-
SDIP
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F( AV )
I
FSM
T
英镑
T
J
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
最大RMS桥输入电压
DC反向电压(额定V
R
)
平均Recitified正向电流
@ T
A
= 40°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
存储温度范围
工作结温
价值
005S 01S
50
35
50
100
70
100
02S
200
140
200
04S
400
280
400
1.5
06S
600
420
600
08S
800
560
800
10S
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
50
-55到+150
-55到+150
A
°C
°C
*这些额定值的限制值以上的任何半导体器件的适用性可以通过削弱。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻,结到环境, *每腿
参数
价值
3.1
40
单位
W
° C / W
*设备安装在PCB与0.5
×
0.5” (13
×
13mm).
电气特性
符号
V
F
I
R
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
正向电压,每个元素@ 1.0A
反向电流,每个元素@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
I
2
T级的融合
吨< 8.35ms
总电容,每腿
V
R
= 4.0V , F = 1.0MHz的
价值
1.1
50
500
10
25
单位
V
μA
μA
A
2
s
pF
C
T
2007仙童半导体公司
DF005S - DF10S版本1.0.0
1
www.fairchildsemi.com
DF005S - DF10S - 桥式整流器
典型性能特性
图1 。
图2中。
平均正向电流整流,我
F
[A]
非重复浪涌电流
峰值正向浪涌电流,I
FSM
[A]
50
输出整流电流
1.5
40
1
30
20
0.5
10
转发
网络连接gure 3 。
反向电流,I
R
[μA]
正向电流I
F
[A]
Forwar
0
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
0
20
40
60
80
100
120
140
环境温度( C)
160
图4中。
正向特性
10
反向特性
10
T
A
= 100
C
1
1
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 200μS
0.1
T
A
= 25
C
2007仙童半导体公司
DF005S - DF10S版本1.0.0
2
转发
反C
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
正向电压( V)
1.4
0.01
0
20
40
60
80
100 120
归一反向电压(%)
140
www.fairchildsemi.com
DF005S - DF10S
DF005S - DF10S桥式整流器
商标
以下是注册和未注册的商标和服务标记飞兆半导体拥有或授权使用,
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
构建它现在
COREPLUS
CROSSVOLT
CTL
电流传输逻辑
EcoSPARK
飞兆半导体
飞兆半导体
FACT静音系列
FACT
FastvCore
FPS
FRFET
全球功率资源
SM
绿色FPS
绿色FPS E- Series系列
GTO
我罗
的IntelliMAX
等平面
MegaBuck
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
运动-SPM
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
PDP- SPM
Power220
Power247
POWEREDGE
电源-SPM
的PowerTrench
可编程有源下垂
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
电源特许经营
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyLogic
TINYOPTO
TinyPower
TinyPWM
TinyWire
SerDes
UHC
的UniFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改,恕不另行通知任何产品的权利
此处为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任引起的
应用或使用任何产品和电路本文描述的;它也不会转让任何许可
根据其专利权,也没有他人的权利。这些规格不扩大的条款
飞兆半导体的全球条款和条件,特别是THEREIN保证,其中包括这些
产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.
生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到体内,或
(二)支持或维持生命,和(c) ,其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签,可合理预期会导致
在显著伤害到用户。
2.
关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统,其不履行可以合理
预期造成生命支持设备的故障或
系统,或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范网络阳离子进行产品开发。
产品规格可能会以任何方式更改,恕不另行通知。
该数据表包含的初步数据;补充数据将被酒吧 -
lished在稍后的日期。飞兆半导体保留做出正确的
恕不另行通知,随时变更,以改进设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体保留
有权在任何时候更改,恕不另行通知,以改进设计。
该数据表包含在产品的规格已经discontin-
由仙童半导体UED 。数据表打印出来作为参考Infor公司
仅息。
修订版I30
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
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3
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2007年10月
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桥式整流器器
特点
浪涌过载评价:50安培峰值。
玻璃钝化结。
低漏。
UL认证, UL # E96005 。
~
~
+
-
SDIP
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F( AV )
I
FSM
T
英镑
T
J
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
最大RMS桥输入电压
DC反向电压(额定V
R
)
平均Recitified正向电流
@ T
A
= 40°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
存储温度范围
工作结温
价值
005S 01S
50
35
50
100
70
100
02S
200
140
200
04S
400
280
400
1.5
06S
600
420
600
08S
800
560
800
10S
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
50
-55到+150
-55到+150
A
°C
°C
*这些额定值的限制值以上的任何半导体器件的适用性可以通过削弱。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻,结到环境, *每腿
参数
价值
3.1
40
单位
W
° C / W
*设备安装在PCB与0.5
×
0.5” (13
×
13mm).
电气特性
符号
V
F
I
R
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
正向电压,每个元素@ 1.0A
反向电流,每个元素@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
I
2
T级的融合
吨< 8.35ms
总电容,每腿
V
R
= 4.0V , F = 1.0MHz的
价值
1.1
50
500
10
25
单位
V
μA
μA
A
2
s
pF
C
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DF005S - DF10S版本1.0.0
1
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DF005S - DF10S - 桥式整流器
典型性能特性
图1 。
图2中。
平均正向电流整流,我
F
[A]
非重复浪涌电流
峰值正向浪涌电流,I
FSM
[A]
50
输出整流电流
1.5
40
1
30
20
0.5
10
转发
网络连接gure 3 。
反向电流,I
R
[μA]
正向电流I
F
[A]
Forwar
0
1
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5
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20
50
循环次数在60Hz
100
0
20
40
60
80
100
120
140
环境温度( C)
160
图4中。
正向特性
10
反向特性
10
T
A
= 100
C
1
1
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 200μS
0.1
T
A
= 25
C
2007仙童半导体公司
DF005S - DF10S版本1.0.0
2
转发
反C
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
正向电压( V)
1.4
0.01
0
20
40
60
80
100 120
归一反向电压(%)
140
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DF005S - DF10S
DF005S - DF10S桥式整流器
商标
以下是注册和未注册的商标和服务标记飞兆半导体拥有或授权使用,
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
构建它现在
COREPLUS
CROSSVOLT
CTL
电流传输逻辑
EcoSPARK
飞兆半导体
飞兆半导体
FACT静音系列
FACT
FastvCore
FPS
FRFET
全球功率资源
SM
绿色FPS
绿色FPS E- Series系列
GTO
我罗
的IntelliMAX
等平面
MegaBuck
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
运动-SPM
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
PDP- SPM
Power220
Power247
POWEREDGE
电源-SPM
的PowerTrench
可编程有源下垂
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
电源特许经营
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyLogic
TINYOPTO
TinyPower
TinyPWM
TinyWire
SerDes
UHC
的UniFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改,恕不另行通知任何产品的权利
此处为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任引起的
应用或使用任何产品和电路本文描述的;它也不会转让任何许可
根据其专利权,也没有他人的权利。这些规格不扩大的条款
飞兆半导体的全球条款和条件,特别是THEREIN保证,其中包括这些
产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.
生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到体内,或
(二)支持或维持生命,和(c) ,其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签,可合理预期会导致
在显著伤害到用户。
2.
关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统,其不履行可以合理
预期造成生命支持设备的故障或
系统,或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范网络阳离子进行产品开发。
产品规格可能会以任何方式更改,恕不另行通知。
该数据表包含的初步数据;补充数据将被酒吧 -
lished在稍后的日期。飞兆半导体保留做出正确的
恕不另行通知,随时变更,以改进设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体保留
有权在任何时候更改,恕不另行通知,以改进设计。
该数据表包含在产品的规格已经discontin-
由仙童半导体UED 。数据表打印出来作为参考Infor公司
仅息。
修订版I30
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
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DF005S - DF10S - 桥式整流器
2007年10月
DF005S - DF10S
桥式整流器器
特点
浪涌过载评价:50安培峰值。
玻璃钝化结。
低漏。
UL认证, UL # E96005 。
~
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+
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SDIP
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F( AV )
I
FSM
T
英镑
T
J
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
最大RMS桥输入电压
DC反向电压(额定V
R
)
平均Recitified正向电流
@ T
A
= 40°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
存储温度范围
工作结温
价值
005S 01S
50
35
50
100
70
100
02S
200
140
200
04S
400
280
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1.5
06S
600
420
600
08S
800
560
800
10S
1000
700
1000
单位
V
V
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A
50
-55到+150
-55到+150
A
°C
°C
*这些额定值的限制值以上的任何半导体器件的适用性可以通过削弱。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻,结到环境, *每腿
参数
价值
3.1
40
单位
W
° C / W
*设备安装在PCB与0.5
×
0.5” (13
×
13mm).
电气特性
符号
V
F
I
R
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
正向电压,每个元素@ 1.0A
反向电流,每个元素@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
I
2
T级的融合
吨< 8.35ms
总电容,每腿
V
R
= 4.0V , F = 1.0MHz的
价值
1.1
50
500
10
25
单位
V
μA
μA
A
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C
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2007仙童半导体公司
DF005S - DF10S版本1.0.0
1
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DF005S - DF10S - 桥式整流器
典型性能特性
图1 。
图2中。
平均正向电流整流,我
F
[A]
非重复浪涌电流
峰值正向浪涌电流,I
FSM
[A]
50
输出整流电流
1.5
40
1
30
20
0.5
10
转发
网络连接gure 3 。
反向电流,I
R
[μA]
正向电流I
F
[A]
Forwar
0
1
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20
50
循环次数在60Hz
100
0
20
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120
140
环境温度( C)
160
图4中。
正向特性
10
反向特性
10
T
A
= 100
C
1
1
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 200μS
0.1
T
A
= 25
C
2007仙童半导体公司
DF005S - DF10S版本1.0.0
2
转发
反C
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
正向电压( V)
1.4
0.01
0
20
40
60
80
100 120
归一反向电压(%)
140
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DF005S - DF10S桥式整流器
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以下是注册和未注册的商标和服务标记飞兆半导体拥有或授权使用,
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
构建它现在
COREPLUS
CROSSVOLT
CTL
电流传输逻辑
EcoSPARK
飞兆半导体
飞兆半导体
FACT静音系列
FACT
FastvCore
FPS
FRFET
全球功率资源
SM
绿色FPS
绿色FPS E- Series系列
GTO
我罗
的IntelliMAX
等平面
MegaBuck
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
运动-SPM
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
PDP- SPM
Power220
Power247
POWEREDGE
电源-SPM
的PowerTrench
可编程有源下垂
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
电源特许经营
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyLogic
TINYOPTO
TinyPower
TinyPWM
TinyWire
SerDes
UHC
的UniFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改,恕不另行通知任何产品的权利
此处为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任引起的
应用或使用任何产品和电路本文描述的;它也不会转让任何许可
根据其专利权,也没有他人的权利。这些规格不扩大的条款
飞兆半导体的全球条款和条件,特别是THEREIN保证,其中包括这些
产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.
生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到体内,或
(二)支持或维持生命,和(c) ,其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签,可合理预期会导致
在显著伤害到用户。
2.
关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统,其不履行可以合理
预期造成生命支持设备的故障或
系统,或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范网络阳离子进行产品开发。
产品规格可能会以任何方式更改,恕不另行通知。
该数据表包含的初步数据;补充数据将被酒吧 -
lished在稍后的日期。飞兆半导体保留做出正确的
恕不另行通知,随时变更,以改进设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体保留
有权在任何时候更改,恕不另行通知,以改进设计。
该数据表包含在产品的规格已经discontin-
由仙童半导体UED 。数据表打印出来作为参考Infor公司
仅息。
修订版I30
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2007仙童半导体公司
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3
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DF005S - DF10S - 桥式整流器
2007年10月
DF005S - DF10S
桥式整流器器
特点
浪涌过载评价:50安培峰值。
玻璃钝化结。
低漏。
UL认证, UL # E96005 。
~
~
+
-
SDIP
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F( AV )
I
FSM
T
英镑
T
J
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
最大RMS桥输入电压
DC反向电压(额定V
R
)
平均Recitified正向电流
@ T
A
= 40°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
存储温度范围
工作结温
价值
005S 01S
50
35
50
100
70
100
02S
200
140
200
04S
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800
10S
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
50
-55到+150
-55到+150
A
°C
°C
*这些额定值的限制值以上的任何半导体器件的适用性可以通过削弱。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻,结到环境, *每腿
参数
价值
3.1
40
单位
W
° C / W
*设备安装在PCB与0.5
×
0.5” (13
×
13mm).
电气特性
符号
V
F
I
R
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
正向电压,每个元素@ 1.0A
反向电流,每个元素@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
I
2
T级的融合
吨< 8.35ms
总电容,每腿
V
R
= 4.0V , F = 1.0MHz的
价值
1.1
50
500
10
25
单位
V
μA
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A
2
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C
T
2007仙童半导体公司
DF005S - DF10S版本1.0.0
1
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DF005S - DF10S - 桥式整流器
典型性能特性
图1 。
图2中。
平均正向电流整流,我
F
[A]
非重复浪涌电流
峰值正向浪涌电流,I
FSM
[A]
50
输出整流电流
1.5
40
1
30
20
0.5
10
转发
网络连接gure 3 。
反向电流,I
R
[μA]
正向电流I
F
[A]
Forwar
0
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
0
20
40
60
80
100
120
140
环境温度( C)
160
图4中。
正向特性
10
反向特性
10
T
A
= 100
C
1
1
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 200μS
0.1
T
A
= 25
C
2007仙童半导体公司
DF005S - DF10S版本1.0.0
2
转发
反C
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
正向电压( V)
1.4
0.01
0
20
40
60
80
100 120
归一反向电压(%)
140
www.fairchildsemi.com
DF005S - DF10S
DF005S - DF10S桥式整流器
商标
以下是注册和未注册的商标和服务标记飞兆半导体拥有或授权使用,
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
构建它现在
COREPLUS
CROSSVOLT
CTL
电流传输逻辑
EcoSPARK
飞兆半导体
飞兆半导体
FACT静音系列
FACT
FastvCore
FPS
FRFET
全球功率资源
SM
绿色FPS
绿色FPS E- Series系列
GTO
我罗
的IntelliMAX
等平面
MegaBuck
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
运动-SPM
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
PDP- SPM
Power220
Power247
POWEREDGE
电源-SPM
的PowerTrench
可编程有源下垂
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
电源特许经营
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyLogic
TINYOPTO
TinyPower
TinyPWM
TinyWire
SerDes
UHC
的UniFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改,恕不另行通知任何产品的权利
此处为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任引起的
应用或使用任何产品和电路本文描述的;它也不会转让任何许可
根据其专利权,也没有他人的权利。这些规格不扩大的条款
飞兆半导体的全球条款和条件,特别是THEREIN保证,其中包括这些
产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.
生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到体内,或
(二)支持或维持生命,和(c) ,其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签,可合理预期会导致
在显著伤害到用户。
2.
关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统,其不履行可以合理
预期造成生命支持设备的故障或
系统,或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范网络阳离子进行产品开发。
产品规格可能会以任何方式更改,恕不另行通知。
该数据表包含的初步数据;补充数据将被酒吧 -
lished在稍后的日期。飞兆半导体保留做出正确的
恕不另行通知,随时变更,以改进设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体保留
有权在任何时候更改,恕不另行通知,以改进设计。
该数据表包含在产品的规格已经discontin-
由仙童半导体UED 。数据表打印出来作为参考Infor公司
仅息。
修订版I30
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2007仙童半导体公司
DF005S - DF10S版本1.0.0
3
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DF005S - DF10S - 桥式整流器
2007年10月
DF005S - DF10S
桥式整流器器
特点
浪涌过载评价:50安培峰值。
玻璃钝化结。
低漏。
UL认证, UL # E96005 。
~
~
+
-
SDIP
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F( AV )
I
FSM
T
英镑
T
J
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
最大RMS桥输入电压
DC反向电压(额定V
R
)
平均Recitified正向电流
@ T
A
= 40°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
存储温度范围
工作结温
价值
005S 01S
50
35
50
100
70
100
02S
200
140
200
04S
400
280
400
1.5
06S
600
420
600
08S
800
560
800
10S
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
50
-55到+150
-55到+150
A
°C
°C
*这些额定值的限制值以上的任何半导体器件的适用性可以通过削弱。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻,结到环境, *每腿
参数
价值
3.1
40
单位
W
° C / W
*设备安装在PCB与0.5
×
0.5” (13
×
13mm).
电气特性
符号
V
F
I
R
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
正向电压,每个元素@ 1.0A
反向电流,每个元素@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
I
2
T级的融合
吨< 8.35ms
总电容,每腿
V
R
= 4.0V , F = 1.0MHz的
价值
1.1
50
500
10
25
单位
V
μA
μA
A
2
s
pF
C
T
2007仙童半导体公司
DF005S - DF10S版本1.0.0
1
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DF005S - DF10S - 桥式整流器
典型性能特性
图1 。
图2中。
平均正向电流整流,我
F
[A]
非重复浪涌电流
峰值正向浪涌电流,I
FSM
[A]
50
输出整流电流
1.5
40
1
30
20
0.5
10
转发
网络连接gure 3 。
反向电流,I
R
[μA]
正向电流I
F
[A]
Forwar
0
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
0
20
40
60
80
100
120
140
环境温度( C)
160
图4中。
正向特性
10
反向特性
10
T
A
= 100
C
1
1
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 200μS
0.1
T
A
= 25
C
2007仙童半导体公司
DF005S - DF10S版本1.0.0
2
转发
反C
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
正向电压( V)
1.4
0.01
0
20
40
60
80
100 120
归一反向电压(%)
140
www.fairchildsemi.com
DF005S - DF10S
DF005S - DF10S桥式整流器
商标
以下是注册和未注册的商标和服务标记飞兆半导体拥有或授权使用,
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
构建它现在
COREPLUS
CROSSVOLT
CTL
电流传输逻辑
EcoSPARK
飞兆半导体
飞兆半导体
FACT静音系列
FACT
FastvCore
FPS
FRFET
全球功率资源
SM
绿色FPS
绿色FPS E- Series系列
GTO
我罗
的IntelliMAX
等平面
MegaBuck
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
运动-SPM
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
PDP- SPM
Power220
Power247
POWEREDGE
电源-SPM
的PowerTrench
可编程有源下垂
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
电源特许经营
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyLogic
TINYOPTO
TinyPower
TinyPWM
TinyWire
SerDes
UHC
的UniFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改,恕不另行通知任何产品的权利
此处为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任引起的
应用或使用任何产品和电路本文描述的;它也不会转让任何许可
根据其专利权,也没有他人的权利。这些规格不扩大的条款
飞兆半导体的全球条款和条件,特别是THEREIN保证,其中包括这些
产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.
生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到体内,或
(二)支持或维持生命,和(c) ,其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签,可合理预期会导致
在显著伤害到用户。
2.
关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统,其不履行可以合理
预期造成生命支持设备的故障或
系统,或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范网络阳离子进行产品开发。
产品规格可能会以任何方式更改,恕不另行通知。
该数据表包含的初步数据;补充数据将被酒吧 -
lished在稍后的日期。飞兆半导体保留做出正确的
恕不另行通知,随时变更,以改进设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体保留
有权在任何时候更改,恕不另行通知,以改进设计。
该数据表包含在产品的规格已经discontin-
由仙童半导体UED 。数据表打印出来作为参考Infor公司
仅息。
修订版I30
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2007仙童半导体公司
DF005S - DF10S版本1.0.0
3
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DF005S - DF10S - 桥式整流器
2007年10月
DF005S - DF10S
桥式整流器器
特点
浪涌过载评价:50安培峰值。
玻璃钝化结。
低漏。
UL认证, UL # E96005 。
~
~
+
-
SDIP
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F( AV )
I
FSM
T
英镑
T
J
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
最大RMS桥输入电压
DC反向电压(额定V
R
)
平均Recitified正向电流
@ T
A
= 40°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
存储温度范围
工作结温
价值
005S 01S
50
35
50
100
70
100
02S
200
140
200
04S
400
280
400
1.5
06S
600
420
600
08S
800
560
800
10S
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
50
-55到+150
-55到+150
A
°C
°C
*这些额定值的限制值以上的任何半导体器件的适用性可以通过削弱。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻,结到环境, *每腿
参数
价值
3.1
40
单位
W
° C / W
*设备安装在PCB与0.5
×
0.5” (13
×
13mm).
电气特性
符号
V
F
I
R
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
正向电压,每个元素@ 1.0A
反向电流,每个元素@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
I
2
T级的融合
吨< 8.35ms
总电容,每腿
V
R
= 4.0V , F = 1.0MHz的
价值
1.1
50
500
10
25
单位
V
μA
μA
A
2
s
pF
C
T
2007仙童半导体公司
DF005S - DF10S版本1.0.0
1
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DF005S - DF10S - 桥式整流器
典型性能特性
图1 。
图2中。
平均正向电流整流,我
F
[A]
非重复浪涌电流
峰值正向浪涌电流,I
FSM
[A]
50
输出整流电流
1.5
40
1
30
20
0.5
10
转发
网络连接gure 3 。
反向电流,I
R
[μA]
正向电流I
F
[A]
Forwar
0
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
0
20
40
60
80
100
120
140
环境温度( C)
160
图4中。
正向特性
10
反向特性
10
T
A
= 100
C
1
1
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 200μS
0.1
T
A
= 25
C
2007仙童半导体公司
DF005S - DF10S版本1.0.0
2
转发
反C
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
正向电压( V)
1.4
0.01
0
20
40
60
80
100 120
归一反向电压(%)
140
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DF005S - DF10S
DF005S - DF10S桥式整流器
商标
以下是注册和未注册的商标和服务标记飞兆半导体拥有或授权使用,
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
构建它现在
COREPLUS
CROSSVOLT
CTL
电流传输逻辑
EcoSPARK
飞兆半导体
飞兆半导体
FACT静音系列
FACT
FastvCore
FPS
FRFET
全球功率资源
SM
绿色FPS
绿色FPS E- Series系列
GTO
我罗
的IntelliMAX
等平面
MegaBuck
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
运动-SPM
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
PDP- SPM
Power220
Power247
POWEREDGE
电源-SPM
的PowerTrench
可编程有源下垂
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
电源特许经营
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyLogic
TINYOPTO
TinyPower
TinyPWM
TinyWire
SerDes
UHC
的UniFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改,恕不另行通知任何产品的权利
此处为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任引起的
应用或使用任何产品和电路本文描述的;它也不会转让任何许可
根据其专利权,也没有他人的权利。这些规格不扩大的条款
飞兆半导体的全球条款和条件,特别是THEREIN保证,其中包括这些
产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.
生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到体内,或
(二)支持或维持生命,和(c) ,其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签,可合理预期会导致
在显著伤害到用户。
2.
关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统,其不履行可以合理
预期造成生命支持设备的故障或
系统,或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范网络阳离子进行产品开发。
产品规格可能会以任何方式更改,恕不另行通知。
该数据表包含的初步数据;补充数据将被酒吧 -
lished在稍后的日期。飞兆半导体保留做出正确的
恕不另行通知,随时变更,以改进设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体保留
有权在任何时候更改,恕不另行通知,以改进设计。
该数据表包含在产品的规格已经discontin-
由仙童半导体UED 。数据表打印出来作为参考Infor公司
仅息。
修订版I30
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2007仙童半导体公司
DF005S - DF10S版本1.0.0
3
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DF005S - DF10S - 桥式整流器
2007年10月
DF005S - DF10S
桥式整流器器
特点
浪涌过载评价:50安培峰值。
玻璃钝化结。
低漏。
UL认证, UL # E96005 。
~
~
+
-
SDIP
绝对最大额定值*
符号
V
RRM
V
RMS
V
R
I
F( AV )
I
FSM
T
英镑
T
J
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
最高重复反向电压
最大RMS桥输入电压
DC反向电压(额定V
R
)
平均Recitified正向电流
@ T
A
= 40°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波
存储温度范围
工作结温
价值
005S 01S
50
35
50
100
70
100
02S
200
140
200
04S
400
280
400
1.5
06S
600
420
600
08S
800
560
800
10S
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
50
-55到+150
-55到+150
A
°C
°C
*这些额定值的限制值以上的任何半导体器件的适用性可以通过削弱。
热特性
符号
P
D
R
θJA
功耗
热阻,结到环境, *每腿
参数
价值
3.1
40
单位
W
° C / W
*设备安装在PCB与0.5
×
0.5” (13
×
13mm).
电气特性
符号
V
F
I
R
T
C
= 25 ° C除非另有说明
参数
正向电压,每个元素@ 1.0A
反向电流,每个元素@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
I
2
T级的融合
吨< 8.35ms
总电容,每腿
V
R
= 4.0V , F = 1.0MHz的
价值
1.1
50
500
10
25
单位
V
μA
μA
A
2
s
pF
C
T
2007仙童半导体公司
DF005S - DF10S版本1.0.0
1
www.fairchildsemi.com
DF005S - DF10S - 桥式整流器
典型性能特性
图1 。
图2中。
平均正向电流整流,我
F
[A]
非重复浪涌电流
峰值正向浪涌电流,I
FSM
[A]
50
输出整流电流
1.5
40
1
30
20
0.5
10
转发
网络连接gure 3 。
反向电流,I
R
[μA]
正向电流I
F
[A]
Forwar
0
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
0
20
40
60
80
100
120
140
环境温度( C)
160
图4中。
正向特性
10
反向特性
10
T
A
= 100
C
1
1
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 200μS
0.1
T
A
= 25
C
2007仙童半导体公司
DF005S - DF10S版本1.0.0
2
转发
反C
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
正向电压( V)
1.4
0.01
0
20
40
60
80
100 120
归一反向电压(%)
140
www.fairchildsemi.com
DF005S - DF10S
DF005S - DF10S桥式整流器
商标
以下是注册和未注册的商标和服务标记飞兆半导体拥有或授权使用,
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
构建它现在
COREPLUS
CROSSVOLT
CTL
电流传输逻辑
EcoSPARK
飞兆半导体
飞兆半导体
FACT静音系列
FACT
FastvCore
FPS
FRFET
全球功率资源
SM
绿色FPS
绿色FPS E- Series系列
GTO
我罗
的IntelliMAX
等平面
MegaBuck
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
运动-SPM
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
PDP- SPM
Power220
Power247
POWEREDGE
电源-SPM
的PowerTrench
可编程有源下垂
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
电源特许经营
TinyBoost
TinyBuck一体化
TinyLogic
TINYOPTO
TinyPower
TinyPWM
TinyWire
SerDes
UHC
的UniFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时更改,恕不另行通知任何产品的权利
此处为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任引起的
应用或使用任何产品和电路本文描述的;它也不会转让任何许可
根据其专利权,也没有他人的权利。这些规格不扩大的条款
飞兆半导体的全球条款和条件,特别是THEREIN保证,其中包括这些
产品。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.
生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到体内,或
(二)支持或维持生命,和(c) ,其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签,可合理预期会导致
在显著伤害到用户。
2.
关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统,其不履行可以合理
预期造成生命支持设备的故障或
系统,或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范网络阳离子进行产品开发。
产品规格可能会以任何方式更改,恕不另行通知。
该数据表包含的初步数据;补充数据将被酒吧 -
lished在稍后的日期。飞兆半导体保留做出正确的
恕不另行通知,随时变更,以改进设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体保留
有权在任何时候更改,恕不另行通知,以改进设计。
该数据表包含在产品的规格已经discontin-
由仙童半导体UED 。数据表打印出来作为参考Infor公司
仅息。
修订版I30
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2007仙童半导体公司
DF005S - DF10S版本1.0.0
3
www.fairchildsemi.com
DF005S - DF10S
分立功率&信号
技术
DF005S - DF10S
0.255 (6.477)
0.245 (6.223)
0.042 (1.067)
0.038 (0.965)
浪涌过载评价: 50安培
高峰期。
玻璃钝化结。
+
特点
0.205 (5.207)
0.195 (4.953)
0.335 (8.509)
0.320 (8.128)
SDIP
低漏电。
LOW PROFILE参见网站
BODY - - 0.102 ( 2.591 ) *
0.095 (2.413)*
外型尺寸是:
英寸(毫米)
0.009 (0.229)
典型
0.310 (7.874)
0.290 (7.366)
0.135 (3.429)*
0.115 (2.921)*
0.060 (1.524)
0.040 (1.016)
0.008 (0.203)
0.004 (0.102)
1.5安培桥式整流器
绝对最大额定值*
符号
I
O
i
F(浪涌)
P
D
R
θJA
T
英镑
T
J
T
A
= 25 ° C除非另有说明
0.410 (10.414)
0.360 ( 9.144)
参数
平均整流电流
@ T
A
= 40°C
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
器件总功耗
减免上述25℃
热阻,结到环境, **每腿
存储温度范围
工作结温
价值
1.5
单位
A
50
3.1
25
40
-55到+150
-55到+150
A
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
**
设备安装在PCB与0.5× 0.5" ( 13 ×13毫米)。
电气特性
参数
T
A
= 25 ° C除非另有说明
设备
005S
01S
100
70
100
02S
200
140
200
04S
400
280
400
5.0
500
1.1
10
25
06S
600
420
600
08S
800
560
800
10S
1000
700
1000
50
35
50
单位
V
V
V
A
A
V
2
几秒钟之内
pF
反向重复峰值电压
最大RMS桥输入电压
采用直流反接电压
(额定V
R
)
最大反向漏电流
共有桥@额定V
R
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
最大正向电压降,
每个桥
@ 1.0 A
2
I T额定值融合
吨< 8.35毫秒
典型结电容,每腿
V
R
= 4.0 V,F = 1.0 MHz的
1998
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
DF005S - DF10S ,版本A
DF005S - DF10S
桥式整流器器
(续)
典型特征
非重复浪涌电流
50
正向浪涌电流( A)
正向电流( A)
1.5
输出整流电流
40
1
30
20
0.5
10
0
1
2
5
10
20
50
循环次数在60Hz
100
0
20
40
60
80
100
120
140
环境温度( C)
160
正向特性
10
反向电流(
A)
正向电流( A)
10
反向特性
T
A
= 100
C
1
1
0.1
T
A
= 25
C
脉冲宽度= 200μS
0.1
T
A
= 25
C
0.01
0.4
0.6
0.8
1
1.2
正向电压( V)
1.4
0.01
0
20
40
60
80
100
120
归一反向电压(%)
140
DF005S - DF10S ,版本A
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统,其故障执行能
其中, ( a)打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体,或(b )支持或维持生命,或(c ),其
支持设备或系统,或影响其安全性或
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明,可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
DF005S通DF10S系列
单相玻璃桥
CHENG-易
电子
电压范围
50到1000伏特
当前
1.0安培
特点
浪涌过载额定值50安培峰值
理想的印刷电路板
可靠的低造价,利用模压
塑料技术导致廉价的产品
成型的机身Polariy符号
安装位置:任意
玻璃钝化结
8.5
8.1
最大额定值和电气特性
25评分
0
C环境温度,除非另有规定。
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
DF005S
DF01S
100
70
100
DF02S
200
140
200
DF04S
400
280
400
1.0
DF06S
600
420
600
DF08S
800
560
800
DF10S
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大正向平均
整流电流@
TA = 40℃
0
V
RRM
V
RMS
V
DC
V
(AV)
50
35
50
峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
最大直流正向电压在ADC
反向电流最大DC
在额定阻断电压DC
I
2
T级的融合( t<8.3ms )
典型结电容每元
典型热阻
工作温度范围
存储温度范围
R
@ TA = 25
0
C
@ TA = 100℃
0
I
FSM
50
A
V
F
I
R
I
2
t
C
J
JC
T
J
T
英镑
1.1
10
500
10.4
25
40
0
V
A
A
AS
PF
2
C / W
0
-55到+125
-55到+150
C
C
0
DF005S通DF10S系列
单相玻璃桥
CHENG-易
电子
额定值和特性曲线
DF005S THRU DF10S
Fig.2
-
降额曲线
输出整流电流
Fig.1
-
最大正向浪涌电流
峰值正向浪涌电流
安培
60
50
40
30
1.6
1.4
电桥输出
全波整流电流
平均安培
100
1.2
1.0
.8
TJ=25
0
C
20
.6
.4
10
0
1
10
.2
0
20
40
60
80
100
0
循环次数在60赫兹
120
140
环境温度,C
图3 - 典型正向
特征
Fig.4
-
典型的反向
10
TJ=25
0
C
特征
10
瞬时正向电流。安培
典型
分配
1.0
瞬时反向
当前,微安
1.0
TJ=25
0
C
0.1
0.1
.01
0
20
40
60
80
100
120
140
.01 0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
额定峰值百分比
反向电压
正向VOLT
年龄,伏
DF005S THRU DF10S
反向电压 - 50到1000伏特
玻璃钝化桥式整流器
正向电流 - 1.0安培
特点
DF -S
.047(1.2)
.037(0.95)
.335(8.5)
.307(7.8)
.031(0.8)
.023(0.6)
.256(6.5)
.244(6.2)
.406(10.3)
.391(10.0)
.140(0.35)
.008(0.2)
.323(8.2)
.315(8.0)
.063(1.6)
.055(1.4)
.205(5.2)
.197(5.0)
.134 (3.4)
.094 (2.4)
用塑料包装有保险商
可燃性分类94V- 0
玻璃钝化结
50安培峰值高浪涌过载额定值
高温焊接保证:
260 ℃/ 10秒时,在5 lbs 。 ( 2.3千克)张力
机械数据
案例:模压塑料车身超过钝化路口
终端:镀导致每MIL -STD- 750焊接的
方法2026
安装位置:任意
重量: 0.014盎司, 0.4克
1
2
3
4
以英寸暗淡ensions和(M illim ETERS )
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波60赫兹,电阻或电感性负载,容性负载电流降额20% 。
特征
符号
V
RRM
V
RMS
V
DC
o
DF005S
50
35
50
DF01S
100
70
100
DF02S
200
140
200
DF04S
400
280
400
1.0
50
1.1
10.0
500
10
25
40
DF06S
600
420
600
DF08S
800
560
800
DF10S
1000
700
1000
单位
V
V
V
A
A
V
A
最大的经常峰值反向电压
最大RMS桥输入电压
最大直流阻断电压
最大正向平均输出电流在T
A
= 40 C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷( JEDEC的方法)
每桥最大直流正向电压降
元素在1.0A DC
额定最大反向电流
每个元素阻断电压DC
I
2
T级的融合( t<8.3ms )
典型结电容(注1)
典型热阻(注2 )
工作和存储温度范围
注: 1.测得1 MH
Z
和应用4.0伏特的反向电压
@T
A
= 25
o
C
@T
A
= 125 C
o
I
O
I
FSM
V
F
I
R
I
2
t
C
J
R
θJ
A
T
J,
T
英镑
A
2
美国证券交易委员会
pF
0
C / W
C
-55到+ 150
0
2.热阻结到环境,并从交界处领导安装在PCB用0.5× 0.5" ( 13x13mm )铜焊盘。
DF005S THRU DF10S
收视率和特性曲线
图。 1 - 降额曲线输出
整流电流
60 H
Z
电阻或
感性负载
图。 2 - 最大非重复峰值
正向浪涌电流每支架
平均正向输出电流( A)
60
50
40
30
20
10
0
平均正向输出电流( A)
1.0
T
J
= 150
°C
单正弦波
( JEDEC的方法)
0.5
P.C.B安装
0.51 X 0.51" ( 13× 13毫米)
铜焊盘与0.06"
( 1.5毫米)引线长度
0
20
40
60
80
100
120
140 150
1.0循环
1
10
100
环境温度(
°C)
循环次数在60赫兹
瞬时反向电流(
A)
10
图。 3 - 典型正向特性
每腿
100
图。 4 - 典型的反向漏
特性每支架
正向电流(A )
1
10
T
J
= 125
°C
1
0.1
T
J
= 25
°C
脉冲宽度= 300
s
1 %占空比
0.01
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
T
J
= 25
°C
0.01
0
20
40
60
80
100
正向电压( V)
额定峰值反向电压百分比( V)
结电容(pF )
T
J
= 25
°
C
F = 1.0MHz的
VSIG = 50mVp -P
瞬态热阻抗(
°
C / W )
100
图。 5 - 典型结电容
每腿
100
图。 6 - 典型瞬态热
阻抗
10
10
1
1
0.1
1
10
100
0.01
0.1
1
10
100
反向电压( V)
吨,加热时间(秒)。
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数量
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单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DF02S
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2675049463 复制

电话:13681678667
联系人:吴
地址:上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
DF02S
GS/DIODES
23+
8000
SOP
只做进口原装,假一赔十;欢迎致电:杨先生15001712988
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881443942 复制

电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
DF02S
FAIRCHILD/仙童
22+
33000
全新百分百进口正品原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ:1245773710 复制

电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
DF02S
VISHAY
25+
4500
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全新原装现货特价销售!
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
DF02S
FAIRCHILD/仙童
24+
9634
SMD
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2675049463 复制

电话:13681678667
联系人:吴
地址:上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
DF02S
GS/DIODES
23+
12000
SOP
只做进口原装,假一赔十;欢迎致电:杨先生15001712988
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2675049463 复制

电话:13681678667
联系人:吴
地址:上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
DF02S
GS/DIODES
23+
8000
SOP
只做进口原装,假一赔十;欢迎致电:杨先生15001712988
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
DF02S
ON
2025+
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4-SMD
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1139848500 复制

电话:0755-83798683
联系人:许先生
地址:深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
DF02S
ON
2022+PB
10000
PDIP-4 GW
只做原装
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:474618840 复制 点击这里给我发消息 QQ:1091508947 复制
电话:13537790913
联系人:朱成平
地址:深圳市龙岗区平湖街道良安田社区茗萃园三期12号楼,13号楼12楼B座401
DF02S
VISHAY
21+
6000
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电话:13537790913
联系人:朱成平
地址:深圳市龙岗区平湖街道良安田社区茗萃园三期12号楼,13号楼12楼B座401
DF02S
Diodes(美台)
22+
7300
DF-S
原装正品
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