WTE
功率半导体
DF005S - DF10S
Pb
1.0A表面安装玻璃钝化整流桥
特点
玻璃钝化片建设
低正向压降
高电流能力
高浪涌电流能力
专为表面贴装应用
塑料材料 - UL认证防火
分类94V -O
G
B
-
~
+
~
A
C
D
E
L
H
机械数据
案例： DF -S ，模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性：标示案例
重量为1.0克数（大约）
安装位置：任意
标记：型号数量
无铅：对于符合RoHS /无铅版本，
新增“ -LF ”后缀型号，见第4页
J
K
DF -S
暗淡
民
最大
A
7.50
8.50
B
6.20
6.80
C
0.25
—
D
0.10
0.28
E
9.40
10.30
G
1.02
1.53
H
8.00
8.51
J
2.20
2.60
K
5.00
5.20
L
0.89
1.20
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
DF
005S
50
35
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@T
A
= 40°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
DF
01S
100
70
DF
02S
200
140
DF
04S
400
280
1.0
DF
06S
600
420
DF
08S
800
560
DF
10S
1000
700
单位
V
V
A
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
每个元素正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 1.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 125°C
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJA
R
θJL
T
j
, T
英镑
50
1.1
5.0
500
25
40
15
-65到+150
A
V
A
pF
° C / W
°C
每个元素典型结电容（注1 ）
每腿典型热阻（注2 ）
工作和存储温度范围
注：1，测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
2.安装在PCB板上， 13毫米
2
铜垫。
DF005S - DF10S
1 4
2006韩元鼎好电子
标识信息
推荐足迹
0.047敏
（ 1.20分钟）
英寸（毫米）
-
WTE
DFxxS
+
~
0.205(5.2)
0.195(5.0)
0.404最大
（ 10.26 MAX）
~
WTE
DFxxS
xx
极性
=制造商的标志
=设备号
= 005 ， 01 ， 02 ， 04 ， 06 ， 08或10
=对人体标示
0.060分
（ 1.52 MIN ）
包装信息
磁带&卷轴
退绕方向
12mm
330mm
16mm
4mm
16mm
产品ID标签
1.6mm
卷筒直径
(mm)
330
QUANTITY
（ PCS）的
1,500
内箱尺寸
长x宽x高（mm ）
340 x 337 x 45
QUANTITY
（ PCS）的
3,000
外箱尺寸
长x宽x高（mm ）
370 x 370 x 420
QUANTITY
（ PCS）的
24,000
约。总重量
（公斤）
17.0
注意：
1.防静电或纸卷轴，蓝色或白色的颜色。
2.组件是按照包装符合EIA标准481-1和481-2 。
DF005S - DF10S
3 4
2006韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
DF005S-T3
DF01S-T3
DF02S-T3
DF04S-T3
DF06S-T3
DF08S-T3
DF10S-T3
1.
2.
套餐类型
DIL SMD桥
DIL SMD桥
DIL SMD桥
DIL SMD桥
DIL SMD桥
DIL SMD桥
DIL SMD桥
送货数量
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
1500 /磁带&卷轴
鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低
订货量，请咨询售楼部。
如需订购无铅版本（与无铅完成） ，加上“ -LF ”后缀部分
上述数字。例如， DF005S -T3- LF 。
韩元鼎好电子有限公司（ WTE ）已仔细检查了所有的信息，并认为它是正确的，准确的。然而， WTE不承担任何
责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。
警告：
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。 ，高雄，台湾
电话：
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真：
886-7-822-5417
电子邮件：
sales@wontop.com
互联网：
http://www.wontop.com
我们日常供电。
DF005S - DF10S
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2006韩元鼎好电子
WTE
功率半导体
DF005S - DF10S
1.0A表面安装玻璃钝化整流桥
特点
!
!
!
!
!
!
玻璃钝化片建设
G
低正向压降
高电流能力
高浪涌电流能力
专为表面贴装应用
B
塑料材料 - UL认证防火
分类94V -O
L
J
-
~
+
~
A
C
D
E
H
机械数据
!
!
!
!
!
!
案例：模压塑料
终端：每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
K
极性：标示案例
*低轮廓模型（ J = 2.20 2.50毫米）可供选择。
重量：0.61克数（大约）
请向工厂咨询。
安装位置：任意
标记：型号数量
DF -S
暗淡
民
最大
A
7.40
7.90
B
6.20
6.50
C
0.009
0.25
D
0.076
0.33
E
—
10.40
G
1.02
1.53
H
8.13
8.51
J*
3.20
3.40
K
5.0
5.20
L
1.00
1.20
尺寸：mm
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
DF
005S
50
35
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
@T
A
= 40°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
DF
01S
100
70
DF
02S
200
140
DF
04S
400
280
1.0
DF
06S
600
420
DF
08S
800
560
DF
10S
1000
700
单位
V
V
A
非重复性峰值正向浪涌电流8.3ms
单半正弦波叠加在额定负荷
（ JEDEC的方法）
每个元素正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 1.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 125°C
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJA
T
j
, T
英镑
30
1.1
10
500
25
110
-65到+150
A
V
A
pF
K / W
°C
每个元素典型结电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
工作和存储温度范围
注：1，测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
2.热阻结到环境的安装在PC板5.0毫米
2
（ 0.03毫米厚）土地面积。
DF005S - DF10S
1第3
2002韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
!
DF005S-T3
DF005S
DF01S-T3
DF01S
DF02S-T3
DF02S
DF04S-T3
DF04S
DF06S-T3
DF06S
DF08S-T3
DF08S
DF10S-T3
DF10S
套餐类型
DIL SMD桥
DIL SMD桥
DIL SMD桥
DIL SMD桥
DIL SMD桥
DIL SMD桥
DIL SMD桥
DIL SMD桥
DIL SMD桥
DIL SMD桥
DIL SMD桥
DIL SMD桥
DIL SMD桥
DIL SMD桥
送货数量
1500 /磁带&卷轴
50单位/管
1500 /磁带&卷轴
50单位/管
1500 /磁带&卷轴
50单位/管
1500 /磁带&卷轴
50单位/管
1500 /磁带&卷轴
50单位/管
1500 /磁带&卷轴
50单位/管
1500 /磁带&卷轴
50单位/管
产品上市
胆大
是WTE
首选
设备。
!
T3后缀是指一个13 “卷轴。
鉴于航运量仅为最小包装量。最小订单
量，请咨询售楼部。
推荐足迹
0.047敏
（ 1.20分钟）
0.404最大
（ 10.26 MAX）
0.06 MIN
（ 1.52 MIN ）
0.205(5.2)
0.195(5.0)
英寸（毫米）
韩元鼎好电子有限公司（ WTE ）已仔细检查了所有的信息，并认为它是正确的，准确的。然而， WTE不承担任何
责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。
警告：
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。 ，高雄，台湾
电话：
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真：
886-7-822-5417
电子邮件：
sales@wontop.com
互联网：
http://www.wontop.com
我们日常供电。
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3 3
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