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安捷伦ATF- 54143低噪声
增强型
在赝HEMT
表面贴装塑料包装
数据表
特点
高线性度性能
增强型技术
[1]
低噪声系数
卓越的均匀性,在产品
特定网络阳离子
描述
安捷伦科技公司的ATF- 54143
是一种高动态范围,低
噪声, E- PHEMT装在一个
4引脚SC- 70 ( SOT- 343 )表面
贴装塑料封装。
高增益的组合,
高线性度和低噪声
使ATF- 54143适用于
蜂窝/ PCS基站,
微波系统和其他系统中
450 MHz至6 GHz的频率
范围内。
表面贴装封装
SOT-343
800微米的闸门宽度
低成本表面贴装小
塑料封装SOT - 343 ( 4领先
SC-70)
带盘式包装选项
可用的
特定网络阳离子
2 GHz的; 3 V,50 mA(典型值)
36.2 dBm的输出3
rd
为了拦截
20.4 dBm的输出功率1分贝
增益压缩
0.5分贝的噪音图
引脚连接和
包装标志
4Fx
来源
来源
16.6分贝相关增益
应用
低噪声放大器的蜂窝/
PCS基站
LNA的WLAN, WLL / RLL和
MMDS应用
通用离散E- PHEMT
其他超低噪声应用
注意:
1.增强型技术要求
正的Vgs ,从而省去了
与相关联的负栅极电压
传统的耗尽型器件。
注意:
俯视图。包装标识规定的方向
和鉴定
“ 4F ” =器件代码
“X” =日期代码字符
确定每月生产。
ATF- 54143绝对最大额定值
[1]
符号
V
DS
V
GS
V
GD
I
DS
P
DISS
P
在MAX中。
I
GS
T
CH
T
英镑
θ
jc
120
0.7V
参数
漏 - 源极电压
[2]
栅 - 源电压
[2]
门漏极电压
[2]
漏电流
[2]
总功耗
[3]
RF输入功率
门源电流
通道温度
储存温度
热阻
[4]
单位
V
V
V
mA
mW
DBM
mA
°C
°C
° C / W
绝对
最大
5
-5 1
5
120
725
10
[5]
2
[5]
150
-65到150
162
注意事项:
超过任何一个1.操作此设备的
这些参数可能会导致永久性的
损害。
2.假设DC静态条件。
3.源铅温度为25 ℃。减额
6.2毫瓦/°C,对于T
L
> 33 ℃。
使用测量4.热阻
150℃的液晶测量方法。
5.该设备可以处理10 dBm的RF输入
电源提供了我
GS
被限制为2毫安。我
GS
at
P
1dB
驱动电平偏置电路有关。看
应用程序部分获取更多信息。
100
0.6V
80
I
DS
(MA )
60
0.5V
40
20
0
0
1
2
3
4
V
DS
(V)
5
6
7
0.4V
0.3V
图1:典型的I -V曲线。
(V
GS
= 0.1每步骤V)的
产品的一致性分布图表
[6, 7]
160
CPK = 0.77
标准偏差= 1.41
200
CPK = 1.35
标准偏差= 0.4
160
160
CPK = 1.67
标准偏差= 0.073
120
120
120
80
标准-3
标准-3
80
3性病
80
3性病
40
40
40
0
30
32
34
36
OIP3 ( dBm的)
38
40
42
0
14
15
16
17
增益(dB )
18
19
0
0.25
0.45
0.65
NF( dB)的
0.85
1.05
图2. OIP3 @ 2千兆赫, 3 V,50 mA的电流。
LSL = 33.0 ,标称= 36.575
图3.增益@ 2千兆赫, 3 V,50 mA的电流。
USL = 18.5 , LSL = 15,额定= 16.6
图4. NF @ 2千兆赫, 3 V,50 mA的电流。
USL = 0.9 ,额定= 0.49
注意事项:
6.分布数据样本大小是由9个不同的晶片取450样品。分配给该产品未来的晶片可具有标称值的任何地方
间的上限和下限。
7.测量就生产测试板。该电路表示根据一个最佳噪声匹配和realizeable匹配之间的折衷
生产测试设备。电路损耗已解嵌,从实际测量。
2
ATF- 54143电气规格
T
A
= 25℃时,在一个测试电路,用于典型的装置测量射频参数
符号
VGS
VTH
IDSS
Gm
IGSS
NF
Ga
OIP3
P1dB
参数和测试条件
运营栅极电压
阈值电压
饱和漏极电流
栅极漏电流
噪声系数
[1]
相关的增益
[1]
输出3
rd
订单
截取点
[1]
1分贝压缩
输出功率
[1]
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
F = 2 GHz的
F = 900兆赫
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 4毫安
VDS = 3V , VGS = 0V
VDS = 3V , GM =
ΔIdss / ΔVGS ;
-VGS
= 0.75 - 0.7 = 0.05V
VGD = VGS = -3V
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
VDS = 3V , IDS = 60毫安
单位
V
V
A
mmho
A
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
DBM
分钟。
0.4
0.18
230
15
33
典型值。
[2]
0.59
0.38
1
410
0.5
0.3
16.6
23.4
36.2
35.5
20.4
18.4
马克斯。
0.75
0.52
5
560
200
0.9
18.5
注意事项:
采用图5所示的生产测试板上获得1测量。
从450份样品尺寸测量从9晶片2的典型值。
输入
50 OHM
传输
线,包括
栅极偏置牛逼
(0.3 dB损耗)
输入
匹配电路
Γ_mag
= 0.30
Γ_ang
= 150°
(0.3 dB损耗)
DUT
产量
匹配电路
Γ_mag
= 0.035
Γ_ang
= -71°
( 0.4分贝损失)
50 OHM
传输
线,包括
漏极偏置牛逼
(0.3 dB损耗)
产量
2 GHz的生产测试板图5.框图用于噪声系数,相关的增益,P1dB和OIP3测量。该电路表象
货物内的最佳噪声匹配和相关联的阻抗匹配电路的损失之间存在折衷。电路损耗已经去嵌入自
实际测量。
3
ATF- 54143典型性能曲线
0.7
0.6
0.5
0.4
19
18
17
0.5
0.6
增益(dB )
3V
4V
FMIN ( dB)的
FMIN ( dB)的
16
15
14
13
12
3V
4V
0.3
0.2
0.4
3V
4V
0.3
0.1
0
0
20
40
I
d
(MA )
60
80
0.2
0
20
40
I
d
(MA )
60
80
100
100
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
图6. FMIN与我
ds
和V
ds
敬请关注
最大的OIP3和FMIN在2 GHz 。
25
24
23
图7. FMIN与我
ds
和V
ds
敬请关注
最大的OIP3和Min NF频率为900MHz 。
42
37
32
图8.增益与我
ds
和V
ds
敬请关注
最大的OIP3和FMIN在2 GHz 。
40
35
OIP3 ( dBm的)
OIP3 ( dBm的)
增益(dB )
22
21
20
19
18
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
3V
4V
30
27
22
17
12
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
3V
4V
25
3V
4V
20
15
0
20
40
60
80
100
I
ds
(MA )
图9.增益随我
ds
和V
ds
敬请关注
最大的OIP3和FMIN在900MHz 。
24
22
20
18
16
14
12
0
20
40
I
dq
60
(MA )
[1]
80
100
3V
4V
图10. OIP3与我
ds
和V
ds
敬请关注
最大的OIP3和FMIN在2 GHz 。
23
22
21
图11. OIP3与我
ds
和V
ds
敬请关注
最大的OIP3和FMIN在900MHz 。
35
30
25
25°C
-40°C
85°C
P1dB的( DBM)
P1dB的( DBM)
增益(dB )
3V
4V
20
19
18
17
16
15
0
20
40
I
dq
60
(MA )
[1]
80
100
20
15
10
5
0
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
图12的P1dB与我
dq
和V
ds
敬请关注
最大的OIP3和FMIN在2 GHz 。
图13的P1dB与我
dq
和V
ds
敬请关注
最大的OIP3和FMIN在900MHz 。
图14.增益与频率和温度
调整为最大的OIP3和FMIN在3V 60毫安。
注意事项:
1. I
dq
代表静态漏电流
没有RF驱动应用。下的低的值
I
ds
射频驱动器的应用将导致我
d
to
大幅增加的P1dB的逼近。
在2GHz或更高2. FMIN值是基于
同时测量2 GHz以下的Fmins
是经过推算得出。值Fmin值
基于一组16个噪声系数测量
ments制成在16个不同的阻抗,使用
一个ATN NP5测试系统。从这些
测量一个真正的FMIN计算。
参考噪声参数应用
部分获取更多信息。
4
ATF- 54143典型性能曲线,
持续
2
25°C
-40°C
85°C
45
40
35
21
20.5
20
1.5
P1dB的( DBM)
25°C
-40°C
85°C
OIP3 ( dBm的)
FMIN ( dB)的
19.5
19
18.5
18
17.5
17
25°C
-40°C
85°C
30
25
20
15
1.0
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
10
0
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
0
1
2
3
4
5
6
频率(GHz )
图15. FMIN
[2]
与频率和温度
调整为最大的OIP3和FMIN在3V 60毫安。
1.4
1.2
1.0
图16. OIP3与频率和温度
调整为最大的OIP3和FMIN在3V 60毫安。
图17的P1dB与频率和温度
调整为最大的OIP3和FMIN在3V 60毫安。
FMIN ( dB)的
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
频率(GHz )
60毫安
40毫安
80毫安
图18. FMIN
[1]
与频率的关系,我
ds
在3V 。
调整为最大输出IP3 ATF- 54143反射系数参数,
V
DS
= 3V ,我
DS
= 60毫安
频率
(千兆赫)
0.9
2.0
3.9
5.8
ΓOut_Mag 。
[1]
( MAG )
0.017
0.026
0.013
0.025
ΓOut_Ang 。
[1]
(度)
115
-85
173
102
OIP3
( dBm的)
35.54
36.23
37.54
35.75
P1dB
( dBm的)
18.4
20.38
20.28
18.09
注意:
在2GHz或更高1. FMIN值是基于
同时测量2 GHz以下的Fmins
是经过推算得出。值Fmin值
基于一组16个噪声系数测量
ments制成在16个不同的阻抗,使用
一个ATN NP5测试系统。从这些
测量一个真正的FMIN计算。
参考噪声参数应用
部分获取更多信息。
注意:
1.伽玛输出是提供给该装置的输出匹配电路的反射系数。
5
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