DEIC421
射频MOSFET驱动器
20安培超快射频MOSFET驱动器
与Kelvin连接
特点
使用的优点和兼容性内置
CMOS和IXYS HDMOS 流程
闭锁保护
高峰值输出电流： 20A峰值
宽工作电压范围： 8V至30V
上升和下降<4ns时代
最小脉冲宽度为8ns
高容性负载
驱动能力： 4NF在<4ns
匹配的上升和下降时间
32NS输入到输出的延迟时间
低输出阻抗
低静态电流
开尔文输入接地连接
减少内部电感
应用
驾驶RF的MOSFET
D类或E开关放大器驱动器
多MHz的开关模式电源（ SMPS ）
脉冲发生器
声换能器驱动程序
脉冲激光二极管驱动器
脉冲变压器驱动器
描述
该DEIC421是CMOS高速大电流门专门设计用于驱动在类的MOSFET驱动器
需要超高速上升和下降时间D，E和RF应用在高达45MHz的，以及其他的应用程序或
总之最小脉冲宽度。该DEIC421是DEIC420的改进版本。该DEIC421有一个开尔文
在输入侧的接地连接，以允许使用一个共模扼流圈，以避免与地面
反弹。包装的内部布局进行了改进，以降低电感。该DEIC421能源
和水槽20A的峰值电流而产生电压上升和下降小于4ns的时间，和最小脉冲
宽度为8ns的。驱动器的输入是使用+ 5V或CMOS兼容，完全不受闭锁在
整个工作范围内。它的功能和广泛的安全边际在工作电压和功耗进行DEIC421
无与伦比的性能和价值。
该DEIC421封装在DEI新7含铅低电感的RF包。该DEIC421是一种表面贴装
设备，并采用专利
(1)
RF布局技巧，以减少杂散电感率先实现最佳
开关性能。
(1)
DEI美国专利＃ 4891686
图1 - DEIC421功能框图
VCC
IN
OUT
在GND
DGND
DEIC421
射频MOSFET驱动器
绝对最大额定值
参数
电源电压
输入引脚
所有其他引脚
功耗
T
环境
≤ 25°C
T
例
≤ 25°C
30V
-5V到V
CC
+0.3V
-0.3V到V
CC
+0.3V
2W
100W
价值
参数
储存温度
焊接焊接温度
（最多10秒）
最高结温
工作温度范围
热阻抗RTH
（ JC ）
（结点到外壳）
价值
65 ℃150 ℃的
300°C
150°C
-40 ° C至85°C
1.3°C/W
电气特性
除非另有说明，T
A
= 25 ° C， 8V ≤ V
CC
≤ 30V.
所有电压测量相对于DGND 。 DEIC421配置为在所述的
测试条件。
符号
V
IH
V
IL
V
IN
I
IN
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PEAK
I
DC
f
最大
t
R
t
F
t
ONDLY
t
OFFDLY
P
WMIN
V
CC
I
CC
(1)
参数
高输入电压
低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻@
输出高
输出电阻@
输出低
峰值输出电流
连续输出
当前
最大频率
上升时间
(1)
下降时间
(1)
导通时间的传播
延迟
(1)
关断时间的传播
延迟
(1)
最小脉冲宽度
电源电压
电源电流
测试条件
民
3.5
典型值
最大
单位
V
0.8
-5
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
-10
V
CC
- .025
0.025
I
OUT
= 10毫安，V
CC
= 15V
I
OUT
= 10毫安，V
CC
= 15V
V
CC
= 15V
0.4
0.4
20
4
C
L
= 4NF ，V
CC
= 15V
C
L
= 1nF的，V
CC
= 15V, V
OH
= 2V至12V
C
L
= 4NF ，V
CC
= 15V, V
OH
= 2V至12V
C
L
= 1nF的，V
CC
= 15V, V
OH
= 12V至2V
C
L
= 4NF ，V
CC
= 15V, V
OH
= 12V至2V
C
L
= 4NF ，V
CC
= 15V
C
L
= 4NF ，V
CC
= 15V
FWHM ，C
L
= 1nF的，V
CC
= 15V
+ 3V至+ 3V ，C
L
= 1nF的，V
CC
= 15V
8
V
IN
= 3.5V
V
IN
= 0V
V
IN
= +V
CC
3
4
3
3.5
32
29
8
9
15
1
0
30
3
10
10
38
35
45
0.6
0.6
V
CC
+ 0.3
10
V
V
mA
V
V
A
A
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
mA
A
A
参阅图2和3
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
DEIC421
射频MOSFET驱动器
铅说明
符号
VCC
IN
在GND
OUT
GND
功能
电源电压
输入
输入地
产量
电源地
描述
正电源电压输入。这些导线将电力提供给整个
芯片。范围这个电压为8V至30V 。
输入信号。 TTL和CMOS兼容。 5V至8V最佳。
输入地Kelvin连接。
驱动器输出。对于应用而言，此引线直接连接到所述
一个MOSFET的栅极。
电源接地要连接到低噪声模拟地平面
最佳性能。
注意：
超越经营与上市的“绝对最大额定值”参数，该设备可能会造成永久性的
损坏设备。典型的值将指示该设备被拟功能的条件，但这样做
不能保证具体的性能极限。保证规格仅适用于列出的测试条件。
长期在绝对最大额定条件下工作会影响器件的可靠性。
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的ESD过程时
搬运和装配组件。
图2 - 特性测试图
VCC
+
10uF
呛
GND
C
L
OUT
在GND
IN
VCC
VCC
GND
图3 - 时序图
5V
90%
输入2.5V
10%
0V
t
ONDLY
PW
民
t
R
t
OFFDLY
t
F
VCC
90%
产量
10%
0V
QQ：2880707522 复制
