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本产品符合RoHS指令（欧盟第2002/95 / EC ） 。
DE2S068
硅外延平面型
对于ESD保护
特点
高静电放电ESD
有利于小型化套，减少元件数量。
环保型无卤封装
包
CODE
SSMini2-F5-B
名字
针
1.阴极
2.阳极
包装
浮雕式（热压密封） ： 10000个/卷（标准）
标记符号： E2
单位
mW
kV
°C
°C
绝对最大额定值
T
a
= 25°C
参数
总功耗
*1
静电放电
*2
结温
储存温度
符号
P
T
ESD
T
j
T
英镑
等级
150
±30
150
-55到+150
注）* 1 ：P
T
= 150毫瓦与印刷电路板来实现。
* 2 ：测试方法： IEC61000-4-2 （ C = 150 pF的， R = 330
W,
接触放电： 10次）
电气特性
T
a
= 25°C±3°C
参数
齐纳电压
*1, 2
反向电流
终端电容
齐纳电压的温度COEF网络cient
*3
符号
V
Z
I
R
C
t
S
Z
I
R
= 1毫安
V
R
= 4 V
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
Z
= 1毫安
50
3.0
条件
民
6.46
典型值
最大
7.14
0.5
单位
V
mA
pF
毫伏/°C的
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7031测量方法的二极管。
2. * 1：温度必须控制在25 ℃的V
Z
测量。 V
Z
在其它温度测量值必须被调整到V
Z
(25°C)
*2 : V
Z
目前溢流后，保证20毫秒。
*3 : T
j
= 25 ℃至150 ℃的
出版日期： 2010年10月
版本。床
1
本产品符合RoHS指令（欧盟第2002/95 / EC ） 。
DE2S068
DE2S068_IF-VF
DE2S068_IZ-VZ
DE2S068_IR-VR
10
5
I
F
V
F
10
3
10
2
T
a
=
25°C
10
2
T
a
= 25°C
I
Z
V
Z
I
R
V
R
T
a
= 25°C
正向电流I
F
（MA ）
10
1
1
10
1
10
1
10
2
10
3
10
2
0
0.4
0.8
1.2
10
3
0
2
4
6
8
10
12
反向电流I
R
（MA ）
10
齐纳电流I
Z
（MA ）
10
7
10
9
10
11
0
1
2
3
4
5
6
正向电压V
F
(V)
DE2S068_SZ-IZ
齐纳电压V
Z
(V)
DE2S068_Ct-VR
反向电压V
R
(V)
S
Z
I
Z
齐纳电压的S北部沿海地区系数
Z
（毫伏/ ° C）
6
60
C
t
V
R
T
a
= 25°C
终端电容C
t
（PF ）
0
2
4
6
4
50
40
30
20
10
0
2
0
2
4
0
2
4
6
齐纳电流I
Z
（MA ）
反向电压V
R
(V)
2
版本。床
本产品符合RoHS指令（欧盟第2002/95 / EC ） 。
DE2S068
SSMini2-F5-B
单位：mm
0.80
0.03
+0.05
0.13
0.02
2
+0.05
0 0.05
1
0.20
±0.05
(0.15)
0.30
±0.05
5°
0.60
0.03
+0.05
5°
1.20
0.03
1.60
±0.05
+0.05
版本。床
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息和
在这本书中描述的半导体
(1)
如果任何产品或在这本书中所描述的技术信息将被出口或提供给非本地居民，法律，
出口国家的相关规定，特别是那些在安全方面的出口管制，必须遵守。
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设备，测量仪器和家用电器） ，或特定的应用，在这本书中明确规定。
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–
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车设备，交通信号设备，燃烧设备，
寿命支持系统和安全设备） ，其中优异的质量和可靠性是必需的，或者如果发生故障或失灵
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即使产品的保证值范围内使用，考虑到分解，故障发生率的考虑因素
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（ 6）使用说明，以防止击穿遵守和特点发生变化，由于外部因素（ ESD ， EOS ，
热应力和机械应力）在搬运，安装或客户的流程的时间。在使用产品而
防潮包装是必需的，满足该条件，如货架寿命和自第一开口的包所经过的时间。
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20100202
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