定向能源公司
An
DE275X2-102N06A
RF功率MOSFET
初步数据表
IXYS
公司
共源推挽配对
N沟道增强模式
低Q
g
和R
g
高dv / dt
纳秒的开关
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
P
美国国土安全部
=
=
=
=
1000 V
6A
2.0
750 W
该DE275X2-102N06A是一对匹配的RF功率MOSFET器件在
一个共同的源配置。该设备为推挽或优化
在频率>65并行操作的射频发生器和放大器
兆赫。
除非另有说明，规格为每一个输出设备
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
美国国土安全部
(1)
P
数字调幅广播
(1)
R
thJHS
(1)
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
重量
符号
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
c
= 25°C
T
c
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
j
≤
150℃ ，R
G
= 0.2
I
S
= 0
T
c
= 25 ° C，减免6.0W /°C， 25°C以上
T
c
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±20
±30
6
48
6
20
5
>200
750
5.0
0.17
-55…+150
150
-55…+150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
V / ns的
W
W
K / W
°C
°C
°C
°C
g
SG1
SD1
SD2
SG2
门1
门2
排水1
排水2
特点
隔离衬底上
高隔离电压（ >2500V ）
优异的热传递
升高的温度和功率
循环能力
IXYS先进的低Q
g
过程
容易驾驶
更快的开关
低R
DS （ ON）
极低的插入电感（ <2nH ）
无氧化铍（ BeO的）或其他
有害物质
低栅极电荷和电容
1.6毫米（以0.063 ）的情况下10秒
300
4
测试条件
特征值
T
J
= 25 ° C除非另有说明
优势
高性能推拉RF
V
分钟。
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
= ±20 V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0
V
GS
= 15 V，I
D
= 0.5I
D25
脉冲测试，T
≤
300μS ，占空比
≤
2%
V
DS
= 15 V，I
D
= 0.5I
D25
，脉冲测试
典型值。
马克斯。
1000
2.5
5.5
±100
V
nA
高功率密度
包
优化的RF和高速
在频率>100MHz开关
易于安装，无需绝缘子
50
A
1毫安
2.5
2
6
S
注：所有规格都按每个转录
体管，除非另有说明。
(1)
散热规格为
包，而不是每个晶体管
定向能源公司
An
DE275X2-102N06A
RF功率MOSFET
IXYS
公司
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
分钟。
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
T
on
T
D（关闭）
T
关闭
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
RM
I
RM
(1)
I
F
= I
S
， -di / DT = 100A / μs的，
V
R
= 100V
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
I
D
= 0.5 I
D25
V
GS
= 15 V, V
DS
= 0.8 V
DSS
I
D
= 0.5 I
DM
R
G
= 0.2
（外部）
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0.8 V
决策支持系统（MAX）
,
F = 1 MHz的
典型值。
0.3
1800
100
30
3
2
4
5
50
20
30
马克斯。
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2%
分钟。
典型值。
马克斯。
6
48
1.5
A
A
V
ns
C
A
200
0.6
4
这些参数适用于包装，而不是单个MOSFET器件。
有关详细的设备安装和安装说明，请参阅“ DE-
系列MOSFET安装说明“
在DEI公司的网站技术说明
www.directedenergy.com/apptech.htm
定向能源公司保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
DEI MOSFET，覆盖由一个或多个的以下美国专利：
4,835,592
5,034,796
5,381,025
4,850,072
5,049,961
5,640,045
4,881,106
5,063,307
4,891,686
5,187,117
4,931,844
5,237,481
5,017,508
5,486,715
定向能源公司
An
DE275X2-102N06A
RF功率MOSFET
IXYS
公司
102N06A DE -SERIES SPICE模型
在DE-系列的SPICE模型示于图1中的模型是SPICE级别3的膨胀
MOSFET模型。它包括了杂散电感信用证支付条件
G
, L
S
和L
D
。路是R-
DS （ ON）
该设备的Rds
是电阻泄漏项。输出电容C
OSS
和反向传输电容，C
RSS
是
建模与反向偏置二极管。这提供了所需的高变容式反应
电力设备模型。延迟和关断延时转弯通过罗恩和罗夫调整。
10漏极
Ld
4
Rd
Lg
20 GATE
DOFF
ROFF
D1crs
D2crs
5
罗恩
DON
6
8
1
M3
3
DCOS
RDS
2
7
Ls
30 SOURCE
图1 DE -SERIES SPICE模型
这SPICE模型可下载从DEI网站的文本文件
www.directedenergy.com/spice.htm
网络列表：
* SYM = POWMOSN
.SUBCKT 102N06A 10 20 30
*端子：D的s
* 1000伏6安培2.0 Ohm的N通道功率MOSFET
M 1 1 2 3 3 DMOS L = 1U W = 1U
RON 5 6 0.5
DON 6 2 D1
ROF 5 7 1.0
DOF 2 7 D1
D1CRS 2 8 D2
D2CRS 1 8 D2
CGS 2 3 1.9N
RD 4 1 1.7
DCOS 3 1 D3
RDS 1 3 5.0MEG
LS 3 30 .5N
LD 10 4 1N
LG 20 5 1N
.MODEL DMOS NMOS （ LEVEL = 3 VTO = 4 KP = 2.3 ）
.MODEL D1 D（ IS = .5F CJO = 10P BV = 100 M = 0.5 VJ = 0.2 TT = 1N ）
.MODEL D2 D（ IS = .5F CJO = 400P BV = 1000 M = 0.6 VJ = 0.6 TT = 1N RS = 10M ）
.MODEL D3 D（ IS = .5F CJO = 400P BV = 1000 M = 0.35 VJ = 0.6 TT = 400N RS = 10M ）
.ENDS
文件号9200-0224第2版
2001年定向能源公司
定向能源公司
An
IXYS
公司
2401研究大道，套房108
柯林斯堡，科罗拉多美国80526
970-493-1901传真： 970-493-1903
电子邮件： deiinfo@directedenergy.com
网址： http://www.directedenergy.com
定向能源公司
An
DE275X2-102N06A
RF功率MOSFET
初步数据表
IXYS
公司
共源推挽配对
N沟道增强模式
低Q
g
和R
g
高dv / dt
纳秒的开关
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
P
美国国土安全部
=
=
=
=
1000 V
6A
2.0
750 W
该DE275X2-102N06A是一对匹配的RF功率MOSFET器件在
一个共同的源配置。该设备为推挽或优化
在频率>65并行操作的射频发生器和放大器
兆赫。
除非另有说明，规格为每一个输出设备
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
美国国土安全部
(1)
P
数字调幅广播
(1)
R
thJHS
(1)
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
重量
符号
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
c
= 25°C
T
c
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
j
≤
150℃ ，R
G
= 0.2
I
S
= 0
T
c
= 25 ° C，减免6.0W /°C， 25°C以上
T
c
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±20
±30
6
48
6
20
5
>200
750
5.0
0.17
-55…+150
150
-55…+150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
V / ns的
W
W
K / W
°C
°C
°C
°C
g
SG1
SD1
SD2
SG2
门1
门2
排水1
排水2
特点
隔离衬底上
高隔离电压（ >2500V ）
优异的热传递
升高的温度和功率
循环能力
IXYS先进的低Q
g
过程
容易驾驶
更快的开关
低R
DS （ ON）
极低的插入电感（ <2nH ）
无氧化铍（ BeO的）或其他
有害物质
低栅极电荷和电容
1.6毫米（以0.063 ）的情况下10秒
300
4
测试条件
特征值
T
J
= 25 ° C除非另有说明
优势
高性能推拉RF
V
分钟。
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
= ±20 V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0
V
GS
= 15 V，I
D
= 0.5I
D25
脉冲测试，T
≤
300μS ，占空比
≤
2%
V
DS
= 15 V，I
D
= 0.5I
D25
，脉冲测试
典型值。
马克斯。
1000
2.5
5.5
±100
V
nA
高功率密度
包
优化的RF和高速
在频率>100MHz开关
易于安装，无需绝缘子
50
A
1毫安
2.5
2
6
S
注：所有规格都按每个转录
体管，除非另有说明。
(1)
散热规格为
包，而不是每个晶体管
定向能源公司
An
DE275X2-102N06A
RF功率MOSFET
IXYS
公司
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
分钟。
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
T
on
T
D（关闭）
T
关闭
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
RM
I
RM
(1)
I
F
= I
S
， -di / DT = 100A / μs的，
V
R
= 100V
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
I
D
= 0.5 I
D25
V
GS
= 15 V, V
DS
= 0.8 V
DSS
I
D
= 0.5 I
DM
R
G
= 0.2
（外部）
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0.8 V
决策支持系统（MAX）
,
F = 1 MHz的
典型值。
0.3
1800
100
30
3
2
4
5
50
20
30
马克斯。
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2%
分钟。
典型值。
马克斯。
6
48
1.5
A
A
V
ns
C
A
200
0.6
4
这些参数适用于包装，而不是单个MOSFET器件。
有关详细的设备安装和安装说明，请参阅“ DE-
系列MOSFET安装说明“
在DEI公司的网站技术说明
www.directedenergy.com/apptech.htm
定向能源公司保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
DEI MOSFET，覆盖由一个或多个的以下美国专利：
4,835,592
5,034,796
5,381,025
4,850,072
5,049,961
5,640,045
4,881,106
5,063,307
4,891,686
5,187,117
4,931,844
5,237,481
5,017,508
5,486,715
定向能源公司
An
DE275X2-102N06A
RF功率MOSFET
IXYS
公司
102N06A DE -SERIES SPICE模型
在DE-系列的SPICE模型示于图1中的模型是SPICE级别3的膨胀
MOSFET模型。它包括了杂散电感信用证支付条件
G
, L
S
和L
D
。路是R-
DS （ ON）
该设备的Rds
是电阻泄漏项。输出电容C
OSS
和反向传输电容，C
RSS
是
建模与反向偏置二极管。这提供了所需的高变容式反应
电力设备模型。延迟和关断延时转弯通过罗恩和罗夫调整。
10漏极
Ld
4
Rd
Lg
20 GATE
DOFF
ROFF
D1crs
D2crs
5
罗恩
DON
6
8
1
M3
3
DCOS
RDS
2
7
Ls
30 SOURCE
图1 DE -SERIES SPICE模型
这SPICE模型可下载从DEI网站的文本文件
www.directedenergy.com/spice.htm
网络列表：
* SYM = POWMOSN
.SUBCKT 102N06A 10 20 30
*端子：D的s
* 1000伏6安培2.0 Ohm的N通道功率MOSFET
M 1 1 2 3 3 DMOS L = 1U W = 1U
RON 5 6 0.5
DON 6 2 D1
ROF 5 7 1.0
DOF 2 7 D1
D1CRS 2 8 D2
D2CRS 1 8 D2
CGS 2 3 1.9N
RD 4 1 1.7
DCOS 3 1 D3
RDS 1 3 5.0MEG
LS 3 30 .5N
LD 10 4 1N
LG 20 5 1N
.MODEL DMOS NMOS （ LEVEL = 3 VTO = 4 KP = 2.3 ）
.MODEL D1 D（ IS = .5F CJO = 10P BV = 100 M = 0.5 VJ = 0.2 TT = 1N ）
.MODEL D2 D（ IS = .5F CJO = 400P BV = 1000 M = 0.6 VJ = 0.6 TT = 1N RS = 10M ）
.MODEL D3 D（ IS = .5F CJO = 400P BV = 1000 M = 0.35 VJ = 0.6 TT = 400N RS = 10M ）
.ENDS
文件号9200-0224第2版
2001年定向能源公司
定向能源公司
An
IXYS
公司
2401研究大道，套房108
柯林斯堡，科罗拉多美国80526
970-493-1901传真： 970-493-1903
电子邮件： deiinfo@directedenergy.com
网址： http://www.directedenergy.com
DE275X2-102N06A
RF功率MOSFET
共源推挽配对
N沟道增强模式
低Q
g
和R
g
高dv / dt
纳秒的开关
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
P
DC
=
=
=
1000 V
16 A
0.8
该DE275X2-102N06A是一对匹配的RF功率MOSFET器件在一个
常见源配置。该设备为推挽或paral-优化
LEL频率操作的射频发生器和放大器>65兆赫。
除非另有说明，规格为每一个输出设备
= 1180 W
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
DC
(1)
P
美国国土安全部
(1)
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
c
= 25°C
T
c
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
c
= 25°C
T
c
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100A /微秒，V
DD
≤
V
DSS
,
T
j
≤
150℃ ，R
G
= 0.2
I
S
= 0
最大额定值
1000
1000
±20
±30
16
48
6
20
5
>200
1180
750
5.0
特征值
T
J
= 25 ° C除非另有说明
V
V
V
V
A
A
A
mJ
V / ns的
SG1
SD1
源1
SD2
SG2
源2
门1
门2
排水1
排水2
V / ns的
W
W
W
特点
T
c
= 25 ° C，减免5.0W /°C， 25°C以上
T
c
= 25°C
P
数字调幅广播
(1)
符号
隔离衬底上
高隔离电压（ >2500V ）
优异的热传递
升高的温度和功率
循环能力
IXYS先进的低Q
g
过程
低栅极电荷和电容
容易驾驶
更快的开关
低R
DS （ ON）
极低的插入电感（ <2nH ）
无氧化铍（ BeO的）或其他
有害物质
测试条件
分钟。
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
R
thJC
(1)
R
thJHS
(1)
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
重量
1.6毫米（以0.063 ）的情况下10秒
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
= ±20 V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
V
GS
= 0
V
GS
= 15 V，I
D
= 0.5I
D25
脉冲测试，T
≤
300μS ，占空比
≤
2%
V
DS
= 15 V，I
D
= 0.5I
D25
，脉冲测试
典型值。
马克斯。
V
5.5
±100
50
1
1.6
V
nA
A
mA
S
C / W
C / W
+175
°C
°C
+175
°C
°C
g
1000
2.5
优势
高性能推拉RF
包
优化的RF和高速
在频率>100MHz开关
易于安装，无需绝缘子
2
7.5
0.25
0.50
高功率密度
-55
175
-55
300
4
注：所有规格都按每个
晶体管，除非另有说明。
(1)
散热规格为
包，而不是每个晶体管
DE275X2-102N06A
RF功率MOSFET
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
杂散
T
D（上）
T
on
T
D（关闭）
T
关闭
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
RM
I
RM
(1)
I
F
= I
S
， -di / DT = 100A / μs的，
V
R
= 100V
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
I
D
= 0.5 I
D25
V
GS
= 15 V, V
DS
= 0.8 V
DSS
I
D
= 0.5 I
DM
R
G
= 0.2
（外部）
背面金属的任何引脚
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0.8 V
决策支持系统（MAX）
,
F = 1 MHz的
典型值。
0.3
1800
130
25
21
3
2
4
5
50
20
30
马克斯。
pF
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2%
分钟。
典型值。
马克斯。
6
96
1.5
A
A
V
ns
C
A
200
0.6
4
这些参数适用于包装，而不是单个MOSFET器件。
有关详细的设备安装和安装说明，请参阅“ DE-
系列MOSFET安装说明“
在IXYS RF的网页技术说明
网站www.ixysrf.com/Technical_Support/App_notes.html
IXYS RF保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS RF的MOSFET覆盖以下一项美国专利中的一个或多个：
4,835,592
5,034,796
5,381,025
4,860,072
5,049,961
5,640,045
4,881,106
5,063,307
4,891,686
5,187,117
4,931,844
5,237,481
5,017,508
5,486,715
DE275X2-102N06A
RF功率MOSFET
102N06A DE -SERIES SPICE模型
在DE-系列的SPICE模型示于图1中的模型是SPICE级别3的膨胀
MOSFET模型。它包括了杂散电感信用证支付条件
G
, L
S
和L
D
。路是R-
DS （ ON）
该设备的Rds
是电阻泄漏项。输出电容C
OSS
和反向传输电容，C
RSS
是
建模与反向偏置二极管。这提供了所需的高变容式反应
电力设备模型。延迟和关断延时转弯通过罗恩和罗夫调整。
10漏极
Ld
4
Rd
Lg
20 GATE
DOFF
ROFF
D1crs
D2crs
5
罗恩
DON
6
8
1
M3
DCOS
RDS
7
Ls
30 SOURCE
图1 DE -SERIES SPICE模型
这SPICE模型可下载从IXYS RF网站的文本文件
www.ixysrf.com
网络列表：
* SYM = POWMOSN
.SUBCKT 102N06A 10 20 30
*端子：D的s
* 1000伏6安培1.6 Ohm的N通道功率MOSFET
M 1 1 2 3 3 DMOS L = 1U W = 1U
RON 5 6 0.5
DON 6 2 D1
ROF 5 7 1.0
DOF 2 7 D1
D1CRS 2 8 D2
D2CRS 1 8 D2
CGS 2 3 1.9N
RD 4 1 1.6
DCOS 3 1 D3
RDS 1 3 5.0MEG
LS 3 30 .5N
LD 10 4 1N
LG 20 5 1N
.MODEL DMOS NMOS （ LEVEL = 3 VTO = 4 KP = 2.3 ）
.MODEL D1 D（ IS = .5F CJO = 10P BV = 100 M = 0.5 VJ = 0.2 TT = 1N ）
.MODEL D2 D（ IS = .5F CJO = 400P BV = 1000 M = 0.6 VJ = 0.6 TT = 1N RS = 10M ）
.MODEL D3 D（ IS = .5F CJO = 400P BV = 1000 M = 0.35 VJ = 0.6 TT = 400N RS = 10M ）
.ENDS
3
2
文件号9200-0224第六版
2006 IXYS RF
An
IXYS
公司
2401研究大道，套房108
柯林斯堡，科罗拉多美国80526
970-493-1901传真： 970-493-1903
电子邮件： deiinfo@directedenergy.com
网址： http://www.directedenergy.com
QQ：2881677436 复制
