定向能源公司
An
DE275-501N16A
RF功率MOSFET
IXYS
公司
测试条件
特征值
(
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。
典型值。
0.3
1800
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0.8 V
决策支持系统（MAX）
,
F = 1 MHz的
符号
马克斯。
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
T
on
T
D（关闭）
T
关闭
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
， -di / DT = 100A / μs的，
V
R
= 100V
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
I
D
= 0.5 I
D25
V
GS
= 15 V, V
DS
= 0.8 V
DSS
I
D
= 0.5 I
DM
R
G
= 0.2
（外部）
150
45
3
2
4
5
50
20
30
特征值
(
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
6
48
1.5
200
0.6
4
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2%
A
A
V
ns
C
A
定向能源公司保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
DEI MOSFET，覆盖由一个或多个的以下美国专利：
4,835,592
5,034,796
5,381,025
4,850,072
5,049,961
5,640,045
4,881,106
5,063,307
4,891,686
5,187,117
4,931,844
5,237,481
5,017,508
5,486,715
定向能源公司
An
DE275-501N16A
RF功率MOSFET
IXYS
公司
501N16A DE -SERIES SPICE模型
在DE-系列的SPICE模型示于图1中的模型是SPICE的膨胀
3级MOSFET模型。它包括了杂散电感信用证支付条件
G
, L
S
和L
D
。路是R-
DS （ ON）
of
该装置，导通电阻为电阻泄漏项。输出电容C
OSS
和反向传输
电容C
RSS
建模与反向偏置二极管。这提供了一个变容式再
sponse所必需的高功率器件模型。在导通延时和延时关闭的AD-
通过罗恩和罗夫justed 。
10漏极
Ld
4
Rd
Lg
20 GATE
DOFF
ROFF
D1crs
D2crs
5
罗恩
DON
6
8
1
M3
3
DCOS
RDS
2
7
Ls
30 SOURCE
图1 DE -SERIES SPICE模型
这SPICE模型可下载从DEI网站的文本文件
www.directedenergy.com/spice.htm
网络列表：
SYM = POWMOSN
.SUBCKT 501N16A 10 20 30
*端子：D的s
* 500伏16安培0.5欧姆的N沟道功率MOSFET
* REVA 00年6月15日
M 1 1 2 3 3 DMOS L = 1U W = 1U
RON 5 6 0.2
DON 6 2 D1
ROF 5 7 0.2
DOF 2 7 D1
D1CRS 2 8 D2
D2CRS 1 8 D2
CGS 2 3 2.0N
RD 4 1 0.5
DCOS 3 1 D3
RDS 1 3 5.0MEG
LS 3 30 .5N
LD 10 4 1N
LG 20 5 1N
.MODEL DMOS NMOS （ LEVEL = 3 VTO = 3.0 KP = 5.8 ）
.MODEL D1 D（ IS = .5F CJO = 10P BV = 100 M = 0.5 VJ = 0.7 TT = 1N RS = 10M ）
.MODEL D2 D（ IS = .5F CJO = 450P BV = 500 M = 0.4 VJ = 0.6 TT = 10N RS = 10M ）
.MODEL D3 D（ IS = .5F CJO = 900P BV = 500 M = 0.3 VJ = 0.3 TT = 400N RS = 10M ）
.ENDS
文件号9200-0222版本1
2001年定向能源公司
定向能源公司
An
IXYS
公司
2401研究大道，套房108
柯林斯堡，科罗拉多美国80526
970-493-1901传真： 970-493-1903
电子邮件： deiinfo@directedenergy.com
网址： http://www.directedenergy.com
定向能源公司
An
DE275-501N16A
RF功率MOSFET
IXYS
公司
测试条件
特征值
(
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。
典型值。
0.3
1800
V
GS
= 0 V, V
DS
= 0.8 V
决策支持系统（MAX）
,
F = 1 MHz的
符号
马克斯。
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R
G
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
T
D（上）
T
on
T
D（关闭）
T
关闭
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
T
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
， -di / DT = 100A / μs的，
V
R
= 100V
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
I
D
= 0.5 I
D25
V
GS
= 15 V, V
DS
= 0.8 V
DSS
I
D
= 0.5 I
DM
R
G
= 0.2
（外部）
150
45
3
2
4
5
50
20
30
特征值
(
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
6
48
1.5
200
0.6
4
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2%
A
A
V
ns
C
A
定向能源公司保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
DEI MOSFET，覆盖由一个或多个的以下美国专利：
4,835,592
5,034,796
5,381,025
4,850,072
5,049,961
5,640,045
4,881,106
5,063,307
4,891,686
5,187,117
4,931,844
5,237,481
5,017,508
5,486,715
定向能源公司
An
DE275-501N16A
RF功率MOSFET
IXYS
公司
501N16A DE -SERIES SPICE模型
在DE-系列的SPICE模型示于图1中的模型是SPICE的膨胀
3级MOSFET模型。它包括了杂散电感信用证支付条件
G
, L
S
和L
D
。路是R-
DS （ ON）
of
该装置，导通电阻为电阻泄漏项。输出电容C
OSS
和反向传输
电容C
RSS
建模与反向偏置二极管。这提供了一个变容式再
sponse所必需的高功率器件模型。在导通延时和延时关闭的AD-
通过罗恩和罗夫justed 。
10漏极
Ld
4
Rd
Lg
20 GATE
DOFF
ROFF
D1crs
D2crs
5
罗恩
DON
6
8
1
M3
3
DCOS
RDS
2
7
Ls
30 SOURCE
图1 DE -SERIES SPICE模型
这SPICE模型可下载从DEI网站的文本文件
www.directedenergy.com/spice.htm
网络列表：
SYM = POWMOSN
.SUBCKT 501N16A 10 20 30
*端子：D的s
* 500伏16安培0.5欧姆的N沟道功率MOSFET
* REVA 00年6月15日
M 1 1 2 3 3 DMOS L = 1U W = 1U
RON 5 6 0.2
DON 6 2 D1
ROF 5 7 0.2
DOF 2 7 D1
D1CRS 2 8 D2
D2CRS 1 8 D2
CGS 2 3 2.0N
RD 4 1 0.5
DCOS 3 1 D3
RDS 1 3 5.0MEG
LS 3 30 .5N
LD 10 4 1N
LG 20 5 1N
.MODEL DMOS NMOS （ LEVEL = 3 VTO = 3.0 KP = 5.8 ）
.MODEL D1 D（ IS = .5F CJO = 10P BV = 100 M = 0.5 VJ = 0.7 TT = 1N RS = 10M ）
.MODEL D2 D（ IS = .5F CJO = 450P BV = 500 M = 0.4 VJ = 0.6 TT = 10N RS = 10M ）
.MODEL D3 D（ IS = .5F CJO = 900P BV = 500 M = 0.3 VJ = 0.3 TT = 400N RS = 10M ）
.ENDS
文件号9200-0222版本1
2001年定向能源公司
定向能源公司
An
IXYS
公司
2401研究大道，套房108
柯林斯堡，科罗拉多美国80526
970-493-1901传真： 970-493-1903
电子邮件： deiinfo@directedenergy.com
网址： http://www.directedenergy.com
QQ：2880707522 复制
