DDZ2V4ASF - DDZ39DSF
0.5W表面贴装精密稳压二极管
特点
500mW的功耗在FR- 4 PCB
在V很紧公差
Z
非常适合于自动装配程序
铅,卤素和无锑,符合RoHS (注1 )
卤素和无锑"Green"设备(注2 & 3 )
机械数据
案例: SOD323F
外壳材料:模压塑料, “绿色塑封料” 。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度灵敏性:每J- STD- 020 1级
终端连接:阴极频带
码头:完成 - 雾锡比退火铜合金
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
重量: 0.01克(近似值)
新产品
顶视图
订购信息
(注4 )
产品型号
DDZxx(x)xSF-7*
注意事项:
例
SOD323F
包装
3000 /磁带&卷轴
*添加"-7"到相应型号的电气特性表第2页示例: DDZ10BSF - 7 。
1.完全欧盟指令2002/ 95 / EC指令(RoHS ) & 2011/65 / EU指令(RoHS 2 )兼容。没有故意添加铅。
2.卤素和锑自由"Green “的产品被定义为那些含有<900ppm溴, <900ppm氯( <1500ppm总溴+ Cl)的和
<1000ppm锑化合物。
3.二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com找到。
4.对于包装的详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com 。
标识信息
XX =产品型号标识代码
(请参阅电气特性表)
YM =日期代码标
Y =年(例如: W = 2009)
M =月(例如: 9 =九月)
XX
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2010
X
JAN
1
FEB
2
2011
Y
MAR
3
APR
4
YM
2012
Z
五月
5
2013
A
JUN
6
JUL
7
2014
B
八月
8
SEP
9
2015
C
十月
O
NOV
N
2016
D
DEC
D
DDZ2V4ASF - DDZ39DSF
文件编号: DS31987牧师17 - 2
1 6
www.diodes.com
2012年3月
Diodes公司
DDZ2V4ASF - DDZ39DSF
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
正向电压
@ I
F
= 10毫安
符号
V
F
价值
0.9
单位
V
热特性
新产品
特征
功率耗散(注5 )
热阻,结到环境空气(注5 )
工作和存储温度范围
符号
P
D
R
θ
JA
T
J,
T
英镑
价值
500
250
-65到+150
单位
mW
° C / W
°C
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
类型编号
DDZ2V4ASF
DDZ2V4BSF
DDZ2V7ASF
DDZ2V7BSF
DDZ3V0ASF
DDZ3V0BSF
DDZ3V3ASF
DDZ3V3BSF
DDZ3V6ASF
DDZ3V6BSF
DDZ3V9ASF
DDZ3V9BSF
DDZ4V3ASF
DDZ4V3BSF
DDZ4V3CSF
DDZ4V7ASF
DDZ4V7BSF
DDZ4V7CSF
DDZ5V1ASF
DDZ5V1BSF
DDZ5V1CSF
DDZ5V6ASF
DDZ5V6BSF
DDZ5V6CSF
DDZ6V2ASF
DDZ6V2BSF
DDZ6V2CSF
DDZ6V8ASF
DDZ6V8BSF
DDZ6V8CSF
DDZ7V5ASF
DDZ7V5BSF
DDZ7V5CSF
DDZ8V2ASF
DDZ8V2BSF
DDZ8V2CSF
注意事项:
标识代码
4C
KD
4E
KE
4F
KF
4G
KG
4H
KH
4J
KJ
4K
KK
YK
4L
KL
YL
4M
KM
YM
4N
KN
YN
4O
KO
YO
4P
KP
YP
4Q
KQ
YQ
4R
KR
YR
齐纳电压范围
(注6 & 7 )
V
Z
@ I
ZT
I
ZT
敏( V)
MAX( V)
mA
2.33
2.52
20
2.43
2.63
20
2.54
2.75
20
2.69
2.91
20
2.85
3.07
20
3.01
3.22
20
3.16
3.38
20
3.32
3.53
20
3.45
3.69
20
3.60
3.84
20
3.74
4.01
20
3.89
4.16
20
4.04
4.29
20
4.17
4.43
20
4.30
4.57
20
4.44
4.68
20
4.55
4.80
20
4.68
4.93
20
4.81
5.07
20
4.94
5.20
20
5.09
5.37
20
5.28
5.55
20
5.45
5.73
20
5.61
5.91
20
5.78
6.09
20
5.96
6.27
20
6.12
6.44
20
6.29
6.63
20
6.49
6.83
20
6.66
7.01
20
6.85
7.22
20
7.07
7.45
20
7.29
7.67
20
7.53
7.92
20
7.78
8.19
20
8.03
8.45
20
最大齐纳阻抗
F = 1kHz时
Z
ZT
@ I
ZT
Ω
100
100
110
110
120
120
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
130
80
80
80
50
50
50
30
30
30
30
30
30
30
30
30
最大反向
电流(注8 )
I
R
@ V
R
V
μA
120
1
120
1
120
1
120
1
50
1
50
1
20
1
20
1
10
1
10
1
10
1
10
1
10
1
10
1
10
1
10
1
10
1
10
1
7.5
2
7.5
2
7.5
2
7.5
2
7.5
2
7.5
2
7.5
3
7.5
3
7.5
3
7.5
4
7.5
4
7.5
4
7.5
4
7.5
4
7.5
4
7.5
7.15
7.5
7.39
7.5
7.63
5.设备安装在FR- 4 PCB板10x10公厘垫,电路板尺寸35毫米* 25毫米。
6.齐纳电压被测量为40ms接通电源之后。
7.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
DDZ2V4ASF - DDZ39DSF
文件编号: DS31987牧师17 - 2
2 6
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2012年3月
Diodes公司
DDZ2V4ASF - DDZ39DSF
电气特性(续)
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
类型编号
DDZ9V1ASF
DDZ9V1BSF
DDZ9V1CSF
DDZ10ASF
DDZ10BSF
DDZ10CSF
DDZ10DSF
DDZ11ASF
DDZ11BSF
DDZ11CSF
DDZ12ASF
DDZ12BSF
DDZ12CSF
DDZ13ASF
DDZ13BSF
DDZ13CSF
DDZ15ASF
DDZ15BSF
DDZ15CSF
DDZ16ASF
DDZ16BSF
DDZ16CSF
DDZ18ASF
DDZ18BSF
DDZ18CSF
DDZ20ASF
DDZ20BSF
DDZ20CSF
DDZ20DSF
DDZ22ASF
DDZ22BSF
DDZ22CSF
DDZ22DSF
DDZ24ASF
DDZ24BSF
DDZ24CSF
DDZ24DSF
DDZ27ASF
DDZ27BSF
DDZ27CSF
DDZ27DSF
DDZ30ASF
DDZ30BSF
DDZ30CSF
DDZ30DSF
DDZ33ASF
DDZ33BSF
DDZ33CSF
DDZ33DSF
DDZ36ASF
DDZ36BSF
DDZ36CSF
DDZ36DSF
DDZ39ASF
DDZ39BSF
DDZ39CSF
DDZ39DSF
注意事项:
标识代码
4S
KS
YS
4T
KT
YT
7T
4U
KU
YU
4V
KV
YV
4W
KW
YW
4X
KX
YX
4Y
KY
YY
4Z
KZ
YZ
RJ
ZJ
PJ
2J
RK
ZK
PK
2K
RL
ZL
PL
2L
RM
ZM
PM
2M
RN
ZN
PN
2N
RO
ZO
PO
2O
RP
ZP
PP
2P
RQ
ZQ
PQ
2Q
齐纳电压范围
(注6 )
V
Z
@ I
ZT
I
ZT
敏( V)
MAX( V)
mA
8.29
8.73
20
8.57
9.01
20
8.83
9.30
20
9.12
9.59
20
9.41
9.90
20
9.70
10.20
20
9.94
10.44
20
10.18
10.71
10
10.50
11.05
10
10.82
11.38
10
11.13
11.71
10
11.44
12.03
10
11.74
12.35
10
12.11
12.75
10
12.55
13.21
10
12.99
13.66
10
13.44
14.13
10
13.89
14.62
10
14.35
15.09
10
14.80
15.57
10
15.25
16.04
10
15.69
16.51
10
16.22
17.06
10
16.82
17.70
10
17.42
18.33
10
18.05
18.96
10
18.63
19.59
10
19.23
20.22
10
19.72
20.72
10
20.15
21.20
5
20.64
21.71
5
21.08
22.17
5
21.52
22.63
5
22.05
23.18
5
22.61
23.77
5
23.12
24.31
5
23.63
24.85
5
24.26
25.52
5
24.97
26.26
5
25.63
26.95
5
26.29
27.64
5
26.99
28.39
5
27.70
29.13
5
28.36
29.82
5
29.02
30.51
5
29.68
31.22
5
30.32
31.88
5
30.90
32.50
5
31.49
33.11
5
32.14
33.79
5
32.79
34.49
5
33.40
35.13
5
34.01
35.77
5
34.68
36.47
5
35.36
37.19
5
36.00
37.85
5
36.63
38.52
5
最大齐纳阻抗
F = 1kHz时
Z
ZT
@ I
ZT
Ω
30
30
30
30
30
30
30
30
30
30
35
30
35
35
35
35
40
40
40
40
40
40
45
45
45
50
50
50
50
55
55
55
55
60
60
60
60
70
70
70
70
80
80
55
80
80
80
65
65
90
90
75
90
85
85
85
85
最大反向
电流(注7 )
I
R
@ V
R
V
μA
7.5
7.88
7.5
8.14
7.5
8.39
7.5
8.66
7.5
8.94
7.5
9.22
7.5
9.44
0.07
9.67
7.5
9.98
0.07
10.28
0.07
10.60
0.07
10.90
0.07
11.20
0.07
11.50
0.07
11.90
0.07
12.30
0.07
12.80
0.07
13.20
0.07
13.60
0.07
14.10
0.07
14.50
0.07
14.90
0.07
15.40
0.07
16.00
0.07
16.50
0.07
17.10
0.07
17.70
0.07
17.70
0.07
18.70
0.07
19.10
0.07
19.60
0.07
20.00
0.07
20.40
0.07
20.90
0.07
21.50
0.07
22.00
0.07
22.40
0.07
23.00
0.07
23.70
0.07
24.30
0.07
25.00
0.07
25.60
0.07
26.00
0.07
26.90
0.07
27.60
0.07
28.20
0.07
28.80
0.07
29.40
0.07
29.90
0.07
30.50
0.07
31.20
0.07
31.70
0.07
32.30
0.2
30.00
0.2
30.00
0.2
30.00
0.2
30.00
新产品
5.设备安装在FR- 4 PCB板10x10公厘垫,电路板尺寸35毫米* 25毫米。
6.齐纳电压被测量为40ms接通电源之后。
7.短持续时间脉冲试验中使用,以尽量减少自热效应。
DDZ2V4ASF - DDZ39DSF
文件编号: DS31987牧师17 - 2
3 6
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2012年3月
Diodes公司