优势
半导体
DomiLED - 的AlInGaP ： DDX - XRS
高亮度表面贴装LED 。
120 °的可视角度。
封装尺寸小的2.8× 3.2 ×1.8毫米（长宽高） 。
根据JEDEC潮湿敏感度等级2合格。
兼容两种IR回流焊接和TTW焊接。
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DomiLED的AlInGaP DDX - XRS - 目录-V4
分页： 11 1
优势
半导体
发光强度@
IF=20mA
IV（ MCD ）
45.0 – 112.5
45.0 – 56.0
56.0 – 71.5
71.5 – 90.0
90.0 – 112.5
71.5 – 180.0
71.5 – 90.0
90.0 – 112.5
112.5 – 140.0
140.0 – 180.0
的AlInGaP
超红色， 632nm
120
45.0 – 112.5
45.0 – 56.0
56.0 – 71.5
71.5 – 90.0
90.0 – 112.5
71.5 – 180.0
71.5 – 90.0
90.0 – 112.5
112.5 – 140.0
140.0 – 180.0
71.5 – 180.0
71.5 – 90.0
90.0 – 112.5
112.5 – 140.0
140.0 – 180.0
的AlInGaP
红色，为625nm
120
71.5 – 180.0
71.5 – 90.0
90.0 – 112.5
112.5 – 140.0
140.0 – 180.0
112.5 – 285.0
112.5 – 140.0
140.0 – 180.0
180.0 – 224.0
224.0 – 285.0
112.5 – 285.0
112.5 – 140.0
140.0 – 180.0
180.0 – 224.0
224.0 – 285.0
部分订购号
DDH-CRS-PQ2-1
DDH-CRS-P1
DDH-CRS-P2
DDH-CRS-Q1
DDH-CRS-Q2
DDH-SRS-QR2-1
DDH-SRS-Q1
DDH-SRS-Q2
DDH-SRS-R1
DDH-SRS-R2
DDS-CRS-PQ2-1
DDS-CRS-P1
DDS-CRS-P2
DDS-CRS-Q1
DDS-CRS-Q2
**不用于新的设计。
DDS-CRS-QR2-1
DDS-CRS-Q1
DDS-CRS-Q2
DDS-CRS-R1
DDS-CRS-R2
DDS-SRS-QR2-1
DDS-SRS-Q1
DDS-SRS-Q2
DDS-SRS-R1
DDS-SRS-R2
DDR-CRS-QR2-1
DDR-CRS-Q1
DDR-CRS-Q2
DDR-CRS-R1
DDR-CRS-R2
**不用于新的设计。
DDR-CRS-RS2-1
DDR-CRS-R1
DDR-CRS-R2
DDR-CRS-S1
DDR-CRS-S2
DDR-SRS-RS2-1
DDR-SRS-R1
DDR-SRS-R2
DDR-SRS-S1
DDR-SRS-S2
芯片技术/
颜色
的AlInGaP
超红， 640nm的
VIEWING
角π
120
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DomiLED的AlInGaP DDX - XRS - 目录-V4
第11 2
优势
半导体
发光强度@
IF=20mA
IV（ MCD ）
285.0 – 715.0
285.0 – 355.0
355.0 – 450.0
450.0 – 560.0
560.0 – 715.0
112.5 – 285.0
112.5 – 140.0
140.0 – 180.0
180.0 – 224.0
224.0 – 285.0
180.0 – 450.0
180.0 – 224.0
224.0 – 285.0
285.0 – 355.0
355.0 – 450.0
AS的AlInGaP
橙色， 605nm
120
112.5 – 285.0
112.5 – 140.0
140.0 – 180.0
180.0 – 224.0
224.0 – 285.0
180.0 – 450.0
180.0 – 224.0
224.0 – 285.0
285.0 – 355.0
355.0 – 450.0
AS的AlInGaP
黄色， 587nm
120
71.5 – 180.0
71.5 – 90.0
90.0 – 112.5
112.5 – 140.0
140.0 – 180.0
112.5 – 285.0
112.5 – 140.0
140.0 – 180.0
180.0 – 224.0
224.0 – 285.0
180.0 – 450.0
180.0 – 224.0
224.0 – 285.0
285.0 – 355.0
355.0 – 450.0
部分订购号
DDR-TRS-TU2-1
DDR-TRS-T1
DDR-TRS-T2
DDR-TRS-U1
DDR-TRS-U2
DDA-CRS-RS2-1
DDA-CRS-R1
DDA-CRS-R2
DDA-CRS-S1
DDA-CRS-S2
DDA-SRS-ST2-1
DDA-SJS-S1
DDA-SJS-S2
DDA-SJS-T1
DDA-SJS-T2
DDO-CRS-RS2-1
DDO-CRS-R1
DDO-CRS-R2
DDO-CRS-S1
DDO-CRS-S2
DDO-SRS-ST2-1
DDO-SRS-S1
DDO-SRS-S2
DDO-SRS-T1
DDO-SRS-T2
DDY-CRS-QR2-1
DDY-CRS-Q1
DDY-CRS-Q2
DDY-CRS-R1
DDY-CRS-R2
**不适用于新设计
DDY-CRS-RS2-1
DDY-CRS-R1
DDY-CRS-R2
DDY-CRS-S1
DDY-CRS-S2
DDY-SRS-ST2-1
DDY-SRS-S1
DDY-SRS-S2
DDY-SRS-T1
DDY-SRS-T2
芯片技术/
颜色
TS的AlInGaP
红色，为625nm
VIEWING
角
120
AS的AlInGaP
黄色， 615nm处
120
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DomiLED的AlInGaP DDX - XRS - 目录-V4
第11 3
优势
半导体
部分订购号
DDY-TRS-TU2-1
DDY-TRS-T1
DDY-TRS-T2
DDY-TRS-U1
DDY-TRS-U2
DDG-CRS-PQ2-1
DDG-CRS-P1
DDG-CRS-P2
DDG-CRS-Q1
DDG-CRS-Q2
DDG-SRS-QR2-1
DDG-SRS-Q1
DDG-SRS-Q2
DDG-SRS-R1
DDG-SRS-R2
芯片技术/
颜色
TS的AlInGaP
黄色， 590nm处
VIEWING
角
120
发光强度@
IF=20mA
IV（ MCD ）
285.0 – 715.0
285.0 – 355.0
355.0 – 450.0
450.0 – 560.0
560.0 – 715.0
45.0 – 112.5
45.0 – 56.0
56.0 – 71.5
71.5 – 90.0
90.0 – 112.5
71.5 – 180.0
71.5 – 90.0
90.0 – 112.5
112.5 – 140.0
140.0 – 180.0
AS的AlInGaP
绿色， 572nm
120
注意：
1.以上所有的部件号进来的2000单位每卷数量。
2.其他发光强度组也可应要求提供。
3.发光强度被测量，精确度
±11%.
4.波长分档进行各单位按波长分档表。只有一个
波长组被允许为每个卷轴。
5，选购的VF分档，也可应要求提供。分档方案是按照下表。
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第11 4
优势
半导体
波长分组。
颜色
DDH ;超红
DDS ;超红
DDR - CJ ， -SJ ;红色（AS）的
DDR- TJ ;红色（TS）的
DDA ;琥珀
组
满
满
满
满
满
W
X
波长分配（NM ）
636 - 646
625 – 640
620 – 630
620 - 635
610 – 621
610 – 615
615 – 621
600 – 612
600 – 603
603 – 606
606 - 609
609 - 612
582 – 594
582 – 585
585 – 588
588 - 591
591 - 594
564.5 – 576.5
564.5 – 567.5
567.5 – 570.5
570.5 – 573.5
573.5 – 576.5
DDO ;橙
满
W
X
Y
Z
DDY ;黄
满
W
X
Y
Z
DDG ;绿色
满
W
X
Y
Z
主波长的测量条件的精度
±1
纳米。
在大电气特性= 25°C 。
VF @如果= 20mA下
产品型号
DDA ， DDS ， DDR- CJS ， DDR- SJS ， DDG
DDH ， DDO ， DDY - CJS ， DDY - SJS
DDR - TJS ， DDY - TJS
2.2
2.6
TYP 。 （V ）
2.1
MAX 。 （V ）
2.3
VR @ IR = 100uA的
MIN 。 （ V）
12
12
正向电压， Vf的测量的精度
±0.1
V.
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第11个5
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