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优势
半导体
创新照明
TM
数据表：
DomiLED
TM
氮化铟镓白： DDX - DJX
DomiLED
TM
TM
同义词的功能和性能，在
DomiLED
系列
非常适合于各种跨工业的应用由于其
封装尺寸小，耐用性和优越的亮度。
产品特点：
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
高亮度表面贴装LED 。
基于氮化铟镓/蓝宝石技术。
120 °的可视角度。
封装尺寸小的3.2× 2.8× 1.8毫米（长宽高） 。
根据JEDEC潮湿敏感度等级2合格。
兼容红外回流焊。
环境友好;符合RoHS标准。
应用范围：
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
汽车：内部应用，如：开关，远程信息处理，
气候控制系统，仪表板等。
家电产品：液晶显示器的照明，如掌上电脑，液晶电视。
通讯：指示器和背光的手机。
显示器：全彩显示屏的视频告示板。
行业：白色家电（如：烤箱，微波炉等） 。
2005 DomiLED是显性半导体的tredemark 。
版权所有。产品规格如有变更，恕不另行通知。
1
11/05/2007 V1.0
优势
TM
半导体
创新照明
氮化铟镓白： DDX - DJX
部分订购
数
DDW-DJD-UV2-1
DDW- DJD -U1
DDW- DJD -U2
DDW- DJD -V1
DDW- DJD -V2
芯片技术
/颜色
氮化铟镓
白
VIEWING
角
120
发光强度@
IF = 20mA下IV （ MCD ）
450.0 - 1125.0
450.0 - 560.0
560.0 - 715.0
715.0 - 900.0
900.0 - 1125.0
记
1.以上所有的部件号进来的2000单位每卷数量。
2.其他luminious强度组也可应要求提供。
3.发光强度被测量为± 11 ％的精度。
4.波长分档进行各单位按波长分档表。只有一个波长组被允许为每个卷轴。
5，选购的VF比南也可根据客人的要求。比南方案是按照下表。
在Ta = 25℃电气特性
VF @如果= 20mA下
产品型号
DDW
VR @ IR = 10uA的
MAX 。 （V ）
3.8
MIN 。 （V ）
3.0
TYP 。 （V ）
3.2
MIN 。 （V ）
5
正向电压， Vf的测量为± 0.1 V的精度
绝对最大额定值
最大值
直流正向电流
峰值脉冲电流; （ TP ≤为10μs ，占空比= 0.005 ）
反向电压
ESD阈值（ HBM）的
LED结温
工作温度
储存温度
功耗（室温）
20
200
5
2000
100
-40 … +100
-40 … +100
73
单位
mA
mA
V
V
C
C
C
mW
2
11/05/2007 V1.0
优势
TM
创新照明
半导体
氮化铟镓白： DDX - DJX
DDW ，白颜色分组
占主导地位的InGaN白色装仓结构
0.44
0.42
0.40
0.38
0.36
0.34
0.32
0.30
0.28
0.26
0.24
0.27
0.28
A1
A2
0.29
A3
A4
C1
C2
C3
C4
E1
E2
E3
E4
0.30
0.31
0.32
0.33
0.34
0.35
0.36
色度坐标组被测定为± 0.01的精度。
箱子
A1
A2
A3
A4
C1
C2
C3
C4
Cx
Cy
Cx
Cy
Cx
Cy
Cx
Cy
Cx
Cy
Cx
Cy
Cx
Cy
Cx
Cy
0.2775
0.2732
0.2775
0.2557
0.2900
0.2939
0.2900
0.2764
0.3025
0.3146
0.3025
0.2971
0.3150
0.3354
0.3150
0.3179
W
0.2900
0.2939
0.2900
0.2764
0.3025
0.3146
0.3025
0.2971
0.3150
0.3354
0.3150
0.3179
0.3275
0.3561
0.3275
0.3386
0.2900
0.3114
0.2900
0.2939
0.3025
0.3321
0.3025
0.3146
0.3150
0.3529
0.3150
0.3354
0.3275
0.3736
0.3275
0.3561
0.2775
0.2907
0.2775
0.2732
0.2900
0.3114
0.2900
0.2939
0.3025
0.3321
0.3025
0.3146
0.3150
0.3529
0.3150
0.3354
箱子
E1
E2
E3
E4
Cx
Cy
Cx
Cy
Cx
Cy
Cx
Cy
0.3275
0.3561
0.3275
0.3386
0.3400
0.3768
0.3400
0.3593
X
0.3400
0.3768
0.3400
0.3593
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0.3975
0.3525
0.3800
0.3400
0.3943
0.3400
0.3768
0.3525
0.4150
0.3525
0.3975
0.3275
0.3736
0.3275
0.3561
0.3400
0.3943
0.3400
0.3768
主色坐标的测量条件为± 0.01的精度。
3
11/05/2007 V1.0
优势
TM
半导体
创新照明
氮化铟镓白： DDX - DJX
相对发光强度与正向电流
相对强度;归为20mA
相对强度归一化， 20毫安
2.2
2
1.8
转发电流与正向电压
40
35
正向电流毫安
0
10
20
30
40
50
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
30
25
20
15
10
5
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
正向电流毫安
正向电压，V
最大正向电流比。温度
25
相对强度与波长
1
0.9
正向电流毫安
20
0.8
相对强度
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
15
10
5
0
0
400
450
500
550
600
650
700
750
800
环境温度
波长，纳米
辐射方向图
4
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优势
TM
创新照明
TM
半导体
氮化铟镓白： DDX - DJX
DomiLED
氮化铟镓白： DDX - DJX包装纲要
5
11/05/2007 V1.0
优势
半导体
创新照明
TM
数据表：
DomiLED
TM
白色的InGaN高亮度：
DDX - DJX
DomiLED
TM
TM
同义词的功能和性能，在
DomiLED
系列
非常适合于各种跨工业的应用由于其
封装尺寸小，耐用性和优越的亮度。
产品特点：
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
高亮度表面贴装LED 。
基于氮化铟镓/蓝宝石技术。
120 °的可视角度。
封装尺寸小的3.2× 2.8× 1.8毫米（长宽高） 。
根据JEDEC潮湿敏感度等级2合格。
兼容红外回流焊。
环境友好;符合RoHS标准。
应用范围：
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
＆ GT ;
汽车：内部应用，如：开关，远程信息处理，
气候控制系统，仪表板等。
家电产品：液晶显示器的照明，如掌上电脑，液晶电视。
通讯：指示器和背光的手机。
显示器：全彩显示屏的视频告示板。
行业：白色家电（如：烤箱，微波炉等） 。
2005 DomiLED是显性半导体的tredemark 。
版权所有。产品规格如有变更，恕不另行通知。
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15/05/2007 V（ O）
优势
TM
半导体
创新照明
白色的InGaN高亮度： DDX - DJX
部分订购
数
DDW-DJD-V2W-1
DDW- DJD -V2
DDW- DJD -W1
DDW- DJD -W2
芯片技术
/颜色
氮化铟镓
白
VIEWING
角
120
发光强度@
IF = 20mA下IV （ MCD ）
900.0 - 1800.0
900.0 - 1125.0
1125.0 - 1400.0
1400.0 - 1800.0
记
1.以上所有的部件号进来的2000单位每卷数量。
2.其他luminious强度组也可应要求提供。
3.发光强度被测量为± 11 ％的精度。
4.波长分档进行各单位按波长分档表。只有一个波长组被允许为每个卷轴。
5，选购的VF比南也可根据客人的要求。比南方案是按照下表。
在Ta = 25℃电气特性
VF @如果= 20mA下
产品型号
DDW
VR @ IR = 10uA的
MAX 。 （V ）
3.8
MIN 。 （V ）
3.0
TYP 。 （V ）
3.2
MIN 。 （V ）
5
正向电压， Vf的测量为± 0.1 V的精度
绝对最大额定值
最大值
直流正向电流
峰值脉冲电流; （ TP ≤为10μs ，占空比= 0.005 ）
反向电压
ESD阈值（ HBM）的
LED结温
工作温度
储存温度
功耗（室温）
20
200
5
1000
100
-40 … +100
-40 … +100
73
单位
mA
mA
V
V
C
C
C
mW
2
15/05/2007 V（ O）
优势
TM
创新照明
半导体
白色的InGaN高亮度： DDX - DJX
DDW ，白颜色分组
占主导地位的InGaN白色装仓结构
0.44
0.42
0.40
0.38
0.36
0.34
0.32
0.30
0.28
0.26
0.24
0.27
0.28
A1
A2
0.29
A3
A4
C1
C2
C3
C4
E1
E2
E3
E4
0.30
0.31
0.32
0.33
0.34
0.35
0.36
色度坐标组被测定为± 0.01的精度。
箱子
A1
A2
A3
A4
C1
C2
C3
C4
Cx
Cy
Cx
Cy
Cx
Cy
Cx
Cy
Cx
Cy
Cx
Cy
Cx
Cy
Cx
Cy
0.2775
0.2732
0.2775
0.2557
0.2900
0.2939
0.2900
0.2764
0.3025
0.3146
0.3025
0.2971
0.3150
0.3354
0.3150
0.3179
W
0.2900
0.2939
0.2900
0.2764
0.3025
0.3146
0.3025
0.2971
0.3150
0.3354
0.3150
0.3179
0.3275
0.3561
0.3275
0.3386
0.2900
0.3114
0.2900
0.2939
0.3025
0.3321
0.3025
0.3146
0.3150
0.3529
0.3150
0.3354
0.3275
0.3736
0.3275
0.3561
0.2775
0.2907
0.2775
0.2732
0.2900
0.3114
0.2900
0.2939
0.3025
0.3321
0.3025
0.3146
0.3150
0.3529
0.3150
0.3354
箱子
E1
E2
E3
E4
Cx
Cy
Cx
Cy
Cx
Cy
Cx
Cy
0.3275
0.3561
0.3275
0.3386
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0.3768
0.3400
0.3593
X
0.3400
0.3768
0.3400
0.3593
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0.3975
0.3525
0.3800
0.3400
0.3943
0.3400
0.3768
0.3525
0.4150
0.3525
0.3975
0.3275
0.3736
0.3275
0.3561
0.3400
0.3943
0.3400
0.3768
主色坐标的测量条件为± 0.01的精度。
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15/05/2007 V（ O）
优势
TM
半导体
创新照明
白色的InGaN高亮度： DDX - DJX
相对发光强度与正向电流
相对强度;归为20mA
相对强度归一化， 20毫安
2.2
2
1.8
转发电流与正向电压
40
35
正向电流毫安
0
10
20
30
40
50
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
30
25
20
15
10
5
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
正向电流毫安
正向电压，V
最大正向电流比。温度
25
相对强度与波长
1
0.9
正向电流毫安
20
0.8
相对强度
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
15
10
5
0
0
400
450
500
550
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700
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环境温度
波长，纳米
辐射方向图
4
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优势
TM
创新照明
TM
半导体
白色的InGaN高亮度： DDX - DJX
DomiLED
怀特的InGaN高亮度： DDX - DJX包装纲要
5
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DS80C310-MCG
DF16C-50DS-0.5V
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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