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DDTD
(LO-R1)
C
NPN预偏置500毫安表面贴装晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
特点
外延平面片建设
可提供互补PNP类型（ DDTB ）
内置偏置电阻
铅，卤素及锑，符合RoHS标准
"Green"设备（注2和3）
E
A
SOT-23
暗淡
A
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
顶视图
B
C
B
C
D
E
G
机械数据
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级
终端连接：见图
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金
42引线框架） 。
标识信息：见下表&第3页
订购信息：见第3页
重量： 0.008克（近似值）
D
G
H
K
J
L
M
H
J
K
L
M
α
OUT
3
C
B
R1
R2
尺寸：mm
P / N
DDTD122LC
DDTD142JC
DDTD122TC
DDTD142TC
R1 （ NOM ）， R2 （ NOM ）
0.22KΩ
10KΩ
0.47KΩ
10KΩ
0.22KΩ
开放
开放
0.47KΩ
型号代码
N75
N76
N77
N78
E
1
IN
2
GND(0)
原理图和引脚Configuation
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
电源电压， （3） （2）
输入的电压， （1） （2）
输入的电压， （2）至（1）
输出电流
功耗
热阻，结到环境空气
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
V
CC
DDTD122LC
DDTD142JC
DDTD122TC
DDTD142TC
所有
（注1 ）
（注2 ）
V
IN
V
EBO （MAX）中
I
C
P
D
R
θ
JA
T
J
, T
英镑
价值
50
-5至+6
-5至+6
5
500
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
1.安装在FR4印刷电路板用在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf推荐的焊盘布局。
2.没有故意添加铅。卤素和无锑。
3.产品与数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑
2
O
3
阻燃剂。
DS30399版本6 - 2
1第3
www.diodes.com
DDTD （ LO - R1 ）C
Diodes公司
电气特性
特征
输入电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
DDTD122LC
DDTD142JC
DDTD122LC
DDTD142JC
V
L（关闭）
V
L（上）
V
O（上）
DDTD122LC
DDTD142JC
I
l
I
O（关）
DDTD122LC
DDTD142JC
G
l
f
T
民
0.3
0.3
56
56
典型值
200
最大
2.0
2.0
器R1，R2的类型
单位
V
V
V
mA
μA
兆赫
测试条件
V
CC
= 5V ，我
O
= 100μA
V
O
= 0.3V时，我
O
= 20mA下
V
O
= 0.3V时，我
O
= 20mA下
I
O
/I
l
= 50毫安/ 2.5毫安
V
I
= 5V
V
CC
= 50V, V
I
= 0V
V
O
= 5V ，我
O
= 50毫安
V
CE
= 10V ，我
E
= 5毫安中，f = 100MHz的
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
0.3V
28
13
0.5
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
DDTD122TC
DDTD142TC
BV
EBO
I
CBO
DDTD122TC
DDTD142TC
I
EBO
V
CE （ SAT ）
DDTD122TC
DDTD142TC
h
FE
f
T
民
50
40
5
100
100
典型值
250
250
200
R1 -只， R2 ，只有类型
最大
0.5
0.5
0.5
0.3
600
600
单位
V
V
V
μA
μA
V
兆赫
I
C
= 50μA
I
C
= 1毫安
I
E
= 50μA
I
E
= 50μA
V
CB
= 50V
V
EB
= 4V
I
C
= 50mA时我
B
= 2.5毫安
I
C
= 5毫安，V
CE
= 5V
V
CE
= 10V ，我
E
= -5mA中，f = 100MHz的
测试条件
DS30399版本6 - 2
2 3
www.diodes.com
DDTD （ LO - R1 ）C
Diodes公司
250
P
d
，功耗（毫瓦）
200
150
100
50
0
-50
0
50
100
150
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 1功率降额曲线
订购信息
（注4 ）
设备
DDTD122LC-7-F
DDTD142JC-7-F
DDTD122TC-7-F
DDTD142TC-7-F
注意事项：
4.
包装
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
用于包装的详细信息，请访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
NXX
NXX =产品型号标识代码，请参阅表第1页
YM =日期代码标
Y =年份例如： T = 2006年
M =月前： 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2002
N
JAN
1
2003
P
FEB
2
2004
R
MAR
3
2005
S
APR
4
YM
2006
T
五月
5
JUN
6
2007
U
JUL
7
2008
V
八月
8
2009
W
SEP
9
2010
X
十月
O
2011
Y
NOV
N
2012
Z
DEC
D
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任
本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应
承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，
反对一切损害无害。
生命支持
未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
审批Diodes公司的总裁。
DS30399版本6 - 2
3 3
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DDTD （ LO - R1 ）C
Diodes公司
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DN74LS13
D6F-PH0025AD1
DF22R-5DS-7.92C
DS2152
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数量
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操作
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SOT-23
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