【SPICE模型： DDTD113EC DDTD123EC DDTD143EC DDTD114EC D】,IC型号DDTD133HC,DDTD133HC PDF资料,DDTD133HC经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPICE模型： DDTD113EC DDTD123EC DDTD143EC DDTD114EC DDTD122JC DDTD113ZC

DDTD123YC DDTD133HC DDTD123TC DDTD143TC DDTD114TC DDTD114GC

DDTD

(xxxx)

C

NPN预偏置500毫安SOT- 23

表面贴装晶体管

特点

新产品

·

外延平面片建设

可提供互补PNP类型（ DDTB ）

内置在偏置电阻器R1，R2

可以在无铅/ RoHS兼容的版本（注2 ）

IN 2

顶视图

A

3 OUT

B

1 GND

D

G

H

K

J

L

M

C

SOT-23

暗淡

A

B

C

D

E

G

H

J

K

L

M

民

0.37

1.20

2.30

0.89

0.45

1.78

2.80

0.013

0.89

0.45

0.085

0°

最大

0.51

1.40

2.50

1.03

0.60

2.05

3.00

0.10

1.00

0.61

0.110

8°

机械数据

·

案例： SOT -23

外壳材料：模压塑料。防火

分类额定值94V- 0

湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级

终端连接：见图

码头：每MIL -STD- 202方法208

也可以在无铅电镀（雾锡完成

在退火合金引线框架42 ）。请参阅订购

资料显示，注4 ，第3页

标记：日期代码和标识代码

（见下表&第3页）

订购信息（见第3页）

重量： 0.008克（近似值）

P / N

DDTD113EC

DDTD123EC

DDTD143EC

DDTD114EC

DDTD122JC

DDTD113ZC

DDTD123YC

DDTD133HC

DDTD123TC

DDTD143TC

DDTD114TC

DDTD114GC

R1 （ NOM ）， R2 （ NOM ）标记

1K

2.2K

4.7K

10K

0.22K

1K

2.2K

3.3K

2.2K

4.7K

10K

0

1K

2.2K

4.7K

10K

4.7K

10K

开放

10K

N60

N61

N62

N63

N64

N65

N66

N67

N69

N70

N71

N72

E

（2）在

R

1

R

2

OUT （3）

a

尺寸：mm

GND （1）

最大额定值

电源电压，（3）上述（1）

输入的电压，（2）至（1）

@ T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

CC

DDTD113EC

DDTD123EC

DDTD143EC

DDTD114EC

DDTD122JC

DDTD113ZC

DDTD123YC

DDTD133HC

DDTD123TC

DDTD143TC

DDTD114TC

DDTD114GC

所有

价值

50

-10至+10

-10至+12

-10至+30

-10 + 40

-5到+5

-5到+10

-5到+12

-6至+20

5

500

200

625

-55到+150

单位

V

特征

V

IN

V

输入的电压，（1）（2）

V

EBO （MAX）中

I

C

P

d

R

qJA

T

j

, T

英镑

V

mA

mW

° C / W

°C

输出电流

功耗

热阻，结到环境空气（注1 ）

操作和储存和温度范围内

注意：

1.安装在FR4印刷电路板用在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf推荐的焊盘布局。

2.没有故意添加铅。

DS30384牧师4 - 2

1第3

www.diodes.com

DDTD （ XXXX ）C

Diodes公司

电气特性

@ T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

民

0.5

0.3

典型值

最大

单位

器R1，R2的类型

测试条件

新产品

特征

DDTD113EC

DDTD123EC

DDTD143EC

DDTD114EC

DDTD122JC

DDTD113ZC

DDTD123YC

DDTD133HC

DDTD113EC

DDTD123EC

DDTD143EC

DDTD114EC

DDTD122JC

DDTD113ZC

DDTD123YC

DDTD133HC

输出电压

DDTD113EC

DDTD123EC

DDTD143EC

DDTD114EC

DDTD122JC

DDTD113ZC

DDTD123YC

DDTD133HC

DDTD113EC

DDTD123EC

DDTD143EC

DDTD114EC

DDTD122JC

DDTD113ZC

DDTD123YC

DDTD133HC

V

L（关闭）

V

CC

= 5V ，我

O

= 100毫安

输入电压

V

L（上）

3.0

2.0

0.3V

7.2

3.8

1.8

0.88

28

7.2

3.6

2.4

0.5

V

O

= 0.3V时，我

O

= 20mA下

V

O

= 0.3V时，我

O

= 20mA下

V

O

= 0.3V时，我

O

= 20mA下

V

O

= 0.3V时，我

O

= 10毫安

V

O

= 0.3V时，我

O

= 30毫安

V

O

= 0.3V时，我

O

= 20mA下

V

O

= 0.3V时，我

O

= 20mA下

V

O

= 0.3V时，我

O

= 20mA下

I

O

/I

l

= -50mA / -2.5mA

V

O（上）

V

输入电流

I

l

mA

V

I

= 5V

输出电流

I

O（关）

33

39

47

56

47

56

mA

V

CC

= 50V, V

I

= 0V

直流电流增益

G

l

V

O

= 5V ，我

O

= 50毫安

增益带宽积*

*晶体管 - 仅供参考

f

T

200

兆赫

V

CE

= 10V ，我

E

= 5毫安，

F = 100MHz的

电气特性

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

@ T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

民

50

40

5

300

100

56

典型值

250

200

最大

0.5

580

0.3

600

R1 -只， R2 ，只有类型

单位

V

mA

V

I

C

= 50毫安

I

C

= 1毫安

I

E

= 50毫安

I

E

= 50毫安

I

E

= 50毫安

I

E

= 720毫安

V

CB

= 50V

V

EB

= 4V

I

C

= 50mA时我

B

= 2.5毫安

I

C

= 5毫安，V

CE

= 5V

V

CE

= 10V ，我

E

= -5mA ，

F = 100MHz的

测试条件

DDTD123TC

DDTD143TC

DDTD114TC

DDTD114GC

DDTD123TC

DDTD143TC

DDTD114TC

DDTD114GC

DDTD123TC

DDTD143TC

DDTD114TC

DDTD114GC

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

I

EBO

V

CE （ SAT ）

h

FE

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流传输比

增益带宽积*

*晶体管 - 仅供参考

f

T

兆赫

DS30384牧师4 - 2

2 3

www.diodes.com

DDTD （ XXXX ）C

订购信息

（注3）

新产品

设备

DDTD113EC-7

DDTD123EC-7

DDTD143EC-7

DDTD114EC-7

DDTD122JC-7

DDTD113ZC-7

DDTD123YC-7

DDTD133HC-7

DDTD123TC-7

DDTD143TC-7

DDTD114TC-7

DDTD114GC-7

注意事项：

包装

SOT-23

航运

3000 /磁带&卷轴

3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

4.对于无铅/ RoHS兼容的版本的零件号，请加" - F"后缀以上的部分号码。例如： DDTD114GC - 7-F 。

标识信息

XXX =产品型号标识代码，

请参阅表第1页

YM =日期代码标

Y =年份例如： N = 2002年

M =月前： 9 =九月

XXX

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

JAN

1

2002

N

FEB

2

2003

P

三月

3

YM

2004

R

APR

4

2005

S

五月

5

JUN

6

2006

T

JUL

7

八月

8

2007

U

SEP

9

2008

V

十月

O

NOV

N

2009

W

DEC

D

DS30384牧师4 - 2

3 3

www.diodes.com

DDTD （ XXXX ）C

DDTD （ XXXX ）C

NPN预偏压500毫安表面贴装晶体管

请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。

特点

外延平面片建设

可提供互补PNP类型（ DDTB ）

内置在偏置电阻器R1，R2

铅，卤素及锑，符合RoHS标准

"Green"设备（注2和3）

产品型号

DDTD113EC

DDTD123EC

DDTD143EC

DDTD114EC

DDTD122JC

DDTD113ZC

DDTD123YC

DDTD133HC

DDTD123TC

DDTD143TC

DDTD114TC

DDTD114GC

R1 （ NOM ）

1K

2.2K

4.7K

10K

0.22K

1K

2.2K

3.3K

2.2K

4.7K

10K

0

R2 （ NOM ）

1K

2.2K

4.7K

10K

4.7K

10K

开放

10K

记号

N60

N61

N62

N63

N64

N65

N66

N67

N69

N70

N71

N72

机械数据

案例： SOT -23

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料，

注3： UL可燃性分类额定值94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020D 1级

终端连接：见图

终端：雾锡完成了退火合金引线框架42

（无铅电镀），每MIL -STD- 202方法208

标识信息：请参阅表和第3页

订购信息：见第3页

重量： 0.008克（近似值）

OUT

3

C

B

R1

R2

E

1

IN

顶视图

2

GND(0)

封装引脚配置

最大额定值

电源电压，（3）（2）

输入的电压，（1）（2）

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

CC

DDTD113EC

DDTD123EC

DDTD143EC

DDTD114EC

DDTD122JC

DDTD113ZC

DDTD123YC

DDTD133HC

DDTD123TC

DDTD143TC

DDTD114TC

DDTD114GC

所有

价值

50

-10至+10

-10至+12

-10至+30

-10 + 40

-5到+5

-5到+10

-5到+12

-6至+20

5

500

单位

V

特征

V

IN

V

输入的电压，（2）至（1）

V

EBO （MAX）中

I

C

V

mA

输出电流

热特性

特征

功耗

热阻，结到环境空气（注1 ）

工作和存储温度范围

注意事项：

1.

2.

3.

符号

P

D

R

θ

JA

T

J

, T

英镑

价值

200

625

-55到+150

单位

mW

° C / W

°C

安装在FR4印刷电路板用在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf推荐的焊盘布局。

没有故意添加铅。卤素和无锑。

产品与数据代码V9制造（ 33周， 2008年）和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造

代码V9内置有非绿色塑封料，可能含有卤素或锑

2

O

3

阻燃剂。

DDTD （ XXXX ）C

文件编号： DS30384牧师10 - 2

1 4

www.diodes.com

2009年1月

Diodes公司

DDTD （ XXXX ）C

电气特性 - R1 ， R2类型

特征

DDTD113EC

DDTD123EC

DDTD143EC

DDTD114EC

DDTD122JC

DDTD113ZC

DDTD123YC

DDTD133HC

DDTD113EC

DDTD123EC

DDTD143EC

DDTD114EC

DDTD122JC

DDTD113ZC

DDTD123YC

DDTD133HC

输出电压

DDTD113EC

DDTD123EC

DDTD143EC

DDTD114EC

DDTD122JC

DDTD113ZC

DDTD123YC

DDTD133HC

DDTD113EC

DDTD123EC

DDTD143EC

DDTD114EC

DDTD122JC

DDTD113ZC

DDTD123YC

DDTD133HC

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

民

0.5

0.3

典型值

最大

单位

测试条件

符号

V

L（关闭）

V

CC

= 5V ，我

O

= 100μA

输入电压

V

L（上）

3.0

2.0

0.3V

7.2

3.8

1.8

0.88

28

7.2

3.6

2.4

0.5

V

O（上）

V

O

= 0.3V时，我

O

= 20mA下

V

O

= 0.3V时，我

O

= 20mA下

V

O

= 0.3V时，我

O

= 20mA下

V

O

= 0.3V时，我

O

= 10毫安

V

O

= 0.3V时，我

O

= 30毫安

V

O

= 0.3V时，我

O

= 20mA下

V

O

= 0.3V时，我

O

= 20mA下

V

O

= 0.3V时，我

O

= 20mA下

I

O

/I

l

= -50mA / -2.5mA

输入电流

I

l

mA

V

I

= 5V

输出电流

I

O（关）

直流电流增益

G

l

输入电阻容差

电阻率误差

增益带宽积*

ΔR

1

Δ(R

2

/R

1

)

f

T

33

39

47

56

47

56

-30

-20

μA

V

CC

= 50V, V

I

= 0V

V

O

= 5V ，我

O

= 50毫安

200

+30

+20

V = 10V ，我

E

= 5毫安，

兆赫

CE

F = 100MHz的

%

电气特性 - 只有R1 ，R2只有类型

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

DDTD123TC

DDTD143TC

DDTD114TC

DDTD114GC

DDTD123TC

DDTD143TC

DDTD114TC

DDTD114GC

DDTD123TC

DDTD143TC

DDTD114TC

DDTD114GC

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

h

FE

ΔR

1

or

ΔR

2

f

T

民

50

40

5

300

100

56

-30

@T

A

= 25 ° C除非另有说明

典型值

250

200

最大

0.5

580

0.3

600

+30

单位

测试条件

V

I

C

= 50μA

V

I

C

= 1毫安

I

E

= 50μA

I

E

= 50μA

V

I

E

= 50μA

I

E

= 720μA

μA

V

CB

= 50V

μA

V

%

V

EB

= 4V

I

C

= 50mA时我

B

= 2.5毫安

I

C

= 50mA时V

CE

= 5V

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流传输比

偏置电阻容差

增益带宽积*

*晶体管 - 仅供参考

V

CE

= 10V ，我

E

= -5mA ，

兆赫

F = 100MHz的

DDTD （ XXXX ）C

文件编号： DS30384牧师10 - 2

2 4

www.diodes.com

2009年1月

Diodes公司

DDTD （ XXXX ）C

订购信息

产品型号

DDTD113EC-7-F

DDTD123EC-7-F

DDTD143EC-7-F

DDTD114EC-7-F

DDTD122JC-7-F

DDTD113ZC-7-F

DDTD123YC-7-F

DDTD133HC-7-F

DDTD123TC-7-F

DDTD143TC-7-F

DDTD114TC-7-F

DDTD114GC-7-F

注意事项：

（注4 ）

例

SOT-23

包装

3000 /磁带&卷轴

4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

NXX =产品型号标识代码（见第1页）

YM =日期代码标

Y =年（例如： T = 2002）

M =月（例如： 9 =九月）

2008

V

JUN

6

2009

W

JUL

7

2010

X

八月

8

2011

Y

SEP

9

2012

Z

2013

A

十月

O

2014

B

NOV

N

2015

C

DEC

D

NXX

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

2002

N

JAN

1

2003

P

FEB

2

2004

R

MAR

3

2005

S

2006

T

APR

4

包装外形尺寸

A

YM

2007

U

五月

5

B C

H

K

D

J

F

G

L

M

K1

SOT-23

暗淡

民

最大

典型值

A

0.37

0.51

0.40

B

1.20

1.40

1.30

C

2.30

2.50

2.40

D

0.89

1.03 0.915

F

0.45

0.60 0.535

G

1.78

2.05

1.83

H

2.80

3.00

2.90

J

0.013 0.10

0.05

K

0.903 1.10

1.00

K1

-

0.400

L

0.45

0.61

0.55

M

0.085 0.18

0.11

0°

8°

-

α

尺寸：mm

拟议的焊盘布局

Y

Z

C

尺寸值（单位：mm）

Z

2.9

X

0.8

Y

0.9

C

2.0

E

1.35

X

E

DDTD （ XXXX ）C

文件编号： DS30384牧师10 - 2

3 4

www.diodes.com

2009年1月

Diodes公司

DDTD （ XXXX ）C

重要通知

Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利

恕不另行通知任何产品在此。 Diodes公司不承担由此产生的任何产品的应用或使用任何责任

本文描述的;它也没有传达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。的产品中，例如应用程序的用户应

承担所有使用风险，并会同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上的所有公司，

反对一切损害无害。

生命支持

未经明确的书面Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件

审批Diodes公司的总裁。

DDTD （ XXXX ）C

文件编号： DS30384牧师10 - 2

4 4

www.diodes.com

2009年1月

Diodes公司