SPICE模型： DDTB122LC DDTB142JC DDTB122TC DDTB142TC
DDTB （ LO - R1 ）C
PNP预偏置500毫安SOT- 23
表面贴装晶体管
特点
新产品
·
·
·
·
外延平面片建设
可提供互补NPN类型（ DDTD ）
内置偏置电阻
无铅/符合RoHS （注1 ）
顶视图
B
C
A
SOT-23
暗淡
A
B
C
D
E
D
G
H
K
J
L
M
民
0.37
1.20
2.30
0.89
0.45
1.78
2.80
0.013
0.903
0.45
0.085
0°
最大
0.51
1.40
2.50
1.03
0.60
2.05
3.00
0.10
1.10
0.61
0.180
8°
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
·
案例： SOT -23
外壳材料：模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图
码头：每MIL -STD- 202方法208
无铅电镀（雾锡完成了退火合金
42引线框架） 。
标记：日期代码和类型代码（见下表&
第2页）
订购信息（见第2页）
重量： 0.008克（近似值）
E
G
H
J
K
L
M
a
OUT
3
C
尺寸：mm
P / N
DDTB122LC
DDTB142JC
DDTB122TC
DDTB142TC
R1 （ NOM ）， R2 （ NOM ）类型代码
0.22KW
0.47KW
0.22KW
0.47KW
10KW
10KW
开放
开放
P75
P76
P77
P78
1
IN
B
R1
R2
E
2
GND （+）
原理图和引脚配置
最大额定值
电源电压， （3） （2）
输入的电压， （1） （2）
输入的电压， （2）至（1）
输出电流
功率耗散（注2 ）
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CC
DDTB122LC
DDTB142JC
DDTB122TC
DDTB142TC
所有
V
IN
V
EBO （MAX）中
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
-50
+5 -6
+5 -6
-5
-500
200
625
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
特征
热阻，结到环境空气（注2 ）
操作和储存和温度范围内
注意：
1.没有故意添加铅。
2.安装在FR4印刷电路板用在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf推荐的焊盘布局。
DS30403启5 - 2
1第3
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DDTB （ LO - R1 ）C
Diodes公司
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
民
-0.3
-0.3
56
56
典型值
200
最大
-2.0
-2.0
-0.3V
-28
-13
-0.5
器R1，R2的类型
单位
V
V
V
mA
mA
兆赫
测试条件
V
CC
= -5V ，我
O
= -100mA
V
O
= -0.3V ，我
O
= -20mA
V
O
= -0.3V ，我
O
= -20mA
I
O
/I
l
= -50mA / -2.5mA
V
I
= -5V
V
CC
= -50V, V
I
= 0V
V
O
= -5V ，我
O
= -50mA
V
CE
= -10V ，我
E
= -5mA ，
F = 100MHz的
新产品
特征
输入电压
DDTB122LC
DDTB142JC
DDTB122LC
DDTB142JC
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
DDTB122LC
DDTB142JC
DDTB122LC
DDTB142JC
V
L（关闭）
V
L（上）
V
O（上）
I
l
I
O（关）
G
l
f
T
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
民
-50
-40
-5
100
100
典型值
250
250
200
最大
-0.5
-0.5
-0.5
-0.3
600
600
R1-只有类型
单位
V
V
V
mA
mA
V
兆赫
I
C
= -1mA
I
E
= -50mA
I
E
= -50mA
V
CB
= -50V
V
EB
= -4V
I
C
= -50mA ，我
B
= -2.5mA
I
C
= -5mA ，V
CE
= -5V
V
CE
= -10V ，我
E
= 5毫安，
F = 100MHz的
测试条件
I
C
= -50mA
DDTB122TC
DDTB142TC
DDTB122TC
DDTB142TC
DDTB122TC
DDTB142TC
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
订购信息
设备
DDTB122LC-7-F
DDTB142JC-7-F
（注3）
包装
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
DDTB122TC-7-F
DDTB142TC-7-F
注意事项：
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXX =产品型号标识代码，请参阅表第1页
YM =日期代码标
Y =年份例如： T = 2006年
M =月前： 9 =九月
XXX
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
2006
T
FEB
2
2007
U
MAR
3
YM
2008
V
APR
4
五月
5
JUN
6
2009
W
JUL
7
八月
8
2010
X
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
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2 3
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DDTB （ LO - R1 ）C
250
新产品
P
d
，功耗（毫瓦）
200
150
100
50
0
-50
0
50
100
150
T
A
，环境温度（
°
C)
图。 1功率降额曲线
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险，并会
同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
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