优势
半导体
DomiLED - 差距： DDX - GJS- I1
低电流表面贴装LED 。
120 °的可视角度。
封装尺寸小的3.2× 2.8 ×1.8毫米（长宽高） 。
根据JEDEC潮湿敏感度等级2合格。
兼容两种IR回流焊接和TTW焊接。
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半导体
部分订购号
DDR-GJS-J2L1-1-I1
DDR-GJS-J2
DDR-GJS-K1
DDR-GJS-K2
DDR-GJS-L1
芯片技术/
颜色
隙/
红色， 625纳米
发光强度@ IF = 10毫安
IV（ MCD ）
5.6 … 14.0
5.6 … 7.2
7.2 … 9.0
9.0 … 11.2
11.2 … 14.0
DDO-GJS-H2K1-1-I1
DDO-GJS-H2
DDO-GJS-J1
DDO-GJS-J2
DDO-GJS-K1
隙/
橙色， 605纳米
3.55 … 9.0
3.55
4.5
5.6
7.2
… 4.5
… 5.6
… 7.2
… 9.0
DDY - GJS- H2K1-1 -I1
DDY-GJS-H2
DDY-GJS-J1
DDY-GJS-J2
DDY-GJS-K1
隙/
黄色， 587纳米
3.55 … 9.0
3.55
4.5
5.6
7.2
… 4.5
… 5.6
… 7.2
… 9.0
DDG- GJS- KL2-1 -I1
DDG-GJS-K1
DDG-GJS-K2
DDG-GJS-L1
DDG-GJS-L2
隙/
绿色， 570纳米
7.2 … 18.0
7.2 … 9.0
9.0 … 11.2
11.2 … 14.0
14.0 … 18.0
DDP-GJS-GH2-1-I1
DDP-GJS-G1
DDP-GJS-G2
DDP-GJS-H1
DDP-GJS-H2
隙/
绿色， 560纳米
1.80 … 4.50
1.80 … 2.24
2.24 … 2.80
2.80 … 3.55
3.55 … 4.50
注意：
1.以上所有的部件号进来的2000单位每卷数量。
2.光强度被测量，精确度
±11%.
3，波长分档进行各单位按波长分档表。只有一个
波长组被允许为每个卷轴。
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半导体
的特点。
正向电压
@如果= 10 mA的电流。
2.05 V（典型值） ; 2.45 V（最大值）
GAP
芯片型号
可视角度最大反向电流，I
R
在50 ％ ㈣
120°
@ V
R
= 5V.
100
μA
所有的正向电压是使用1ms的脉冲电流测量，并且具有精度
±0.1
V.
波长分组。
颜色
DDR ;红
DDO ;橙
组
满
满
W
X
Y
Z
波长分配（NM ）
620 – 635
600 – 612
600 - 603
603 - 606
606 - 609
609 - 612
582 – 594
582 – 585
585 – 588
588 - 591
591 - 594
564.5 – 576.5
564.5 – 567.5
567.5 – 570.5
570.5 – 573.5
573.5 – 576.5
552.5 – 564.5
552.5 – 555.5
555.5 – 558.5
558.5 – 561.5
561.5 – 564.5
DDY ;黄
满
W
X
Y
Z
DDG ;绿色
满
W
X
Y
Z
DDP ;纯绿
满
W
X
Y
Z
主波长的测量条件的精度
±1
纳米。
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半导体
绝对最大额定值。
最大值
直流正向电流。
峰值脉冲电流; （ TP
≤
10
μs,
占空比= 0.005 ）
反向电压。
LED的结温。
工作温度。
储存温度。
功率耗散（在室温下）
30
500
5
100
-40 … +100
-40 … +100
75
单位
mA
mA
V
°C
°C
°C
mW
推荐焊盘
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半导体
相对发光强度与正向电流。
正向电流与正向电压。
4.0
相对强度。归一化在10mA 。
35
正向电流（mA ）
0
5
10
15
20
25
30
35
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
正向电流（mA ）
30
25
20
15
10
5
0
1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6
正向电压（ V）
辐射图。
30°
20°
10°
0°
1.0
最大正向电流与温度的关系。
35
40°
0.8
30
50°
0.6
60°
70°
80°
90°
0.4
正向电流IF
25
20
15
10
0.2
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
一关环境TEM
m
perature
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