优势
半导体
DomiLED - 铝镓砷： DDH - GRS
阳极标记
表面贴装LED 。
120 °的可视角度。
封装尺寸小的3.2× 2.8 ×1.8毫米（长宽高） 。
根据JEDEC潮湿敏感度等级2合格。
兼容两种IR回流焊接和TTW焊接。
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半导体
部分订购号
DDH-GRS-MN2-1
DDH-GRS-M1
DDH-GRS-M2
DDH-GRS-N1
DDH-GRS-N2
芯片技术/
颜色（ DOM 。 WL ）
的AlGaAs /
超红， 645纳米
发光强度@如果= 20mA下
IV（ MCD ）
18.0 … 45.0
18.0 … 22.4
22.4 … 28.5
28.5 … 35.5
35.5 … 45.0
DDH-GRS-NP2-1
DDH-GRS-N1
DDH-GRS-N2
DDH-GRS-P1
DDH-GRS-P2
28.5 … 71.5
28.5 … 35.5
35.5 … 45.0
45.0 … 56.0
56.0 … 71.5
注意：
1.以上所有的部件号进来的2000单位每卷数量。
2.其他发光强度组也可应要求提供。
3.发光强度被测量，精确度
±11%.
4.波长分档进行各单位按波长分档表。只有一个
波长组被允许为每个卷轴。
5，选购的VF分档，也可应要求提供。分档方案是按照下表。
的特点。
正向电压
@如果= 20 mA的电流。
1.9 V （典型值） ; 2.6 V （最大值）
芯片型号
铝镓砷
视角
在50 ％ ㈣
120°
反向电流，I
R
@ V
R
= 5V ， （最大）
100
μA
波长分组。
颜色
DDH ;超红
组
满
波长分配（NM ）
640 – 650
主波长的测量条件的精度
±1
纳米。
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半导体
VF分档。
VF斌@ 20毫安
01
02
03
04
正向电压（ V）
1.55 … 1.85
1.85 … 2.15
2.15 … 2.45
2.45 … 2.60
正向电压， Vf的测量的精度
±0.1
V.
绝对最大额定值。
最大值
直流正向电流。
峰值脉冲电流; （ TP
≤
10
μs,
占空比= 0.005 ）
反向电压。
LED的结温。
工作温度。
储存温度。
功率耗散（在室温下）
30
500
5
100
-40 … +100
-40 … +100
75
单位
mA
mA
V
°C
°C
°C
mW
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推荐焊盘
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相对发光强度与正向电流。
强度与直流FORW ARD电流
相对强度。归一化，在20毫安。
2.2
40
正向电流与正向电压。
正向电流与正向电压
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
10
20
30
40
50
60
FORW ARD电流（M A）
正向电流（mA ）
2
35
30
25
20
15
10
5
0
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
铝镓砷
正向电压（ V）
辐射图。
30°
20°
10°
0°
1.0
最大正向电流与温度的关系。
35
30
40°
0.8
25
正向电流IF
50°
0.6
20
15
60°
70°
80°
90°
0.4
10
0.2
5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
85
0
环境温度
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