DDC144TU
新产品
与47K OHM基极电阻双NPN晶体管
概述
DDC144TU是最适合的逻辑开关应用
使用诸如微控制器，比较器的控制电路，
等它配备了两个独立的NPN晶体管从而可以
支持最大100 mA的持续电流。 NPN
晶体管可被用作对照，也可以这些
使用较高的电源电压由于内置的偏置
限流基地的47千欧的电阻。该
组件设备可以作为一个电路的一部分或
作为一个独立的分立器件。
图。 1 ： SOT- 363
CQ1
BQ2
EQ2
特点
内置底座电阻器
外延平面片建设
铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）
"Green"设备（注2 ）
机械数据
案例： SOT- 363
外壳材料：模压塑料。 "Green Molding"
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图。 2
码头：完成 - 雾锡比退火合金42
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标识&类型代码信息：参见第5页
订购信息：参见第5页
重量：0.015克数（近似值）
Q1
R2
47k
DDC144T_DIE
Q2
DDC144T_DIE
R1 47K
EQ1
BQ1
CQ2
图。 2 ：原理图和引脚配置
子组件P / N
DDTC144T_DIE
DDTC144T_DIE
参考
Q1
Q2
设备类型
NPN
NPN
R1 （ NOM ）
47KΩ
R2 （ NOM ）
47KΩ
科幻gure
2
2
最大额定值：共有设备
特征
功耗
功率降额系数在25℃以上
输出电流
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
d
P
DER
I
OUT
价值
200
1.6
100
单位
mW
毫瓦/
°C
mA
热特性
特征
结操作和存储温度范围
热阻，结到环境（封装器件）
（参考：相当于只有一个加热的交界处） @ T
A
= 25°C
注意事项：
符号
T
J
, T
英镑
R
θJA
价值
-55到+150
625
单位
°C
° C / W
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的"Green"政策，可以在我们的网站上找到在http ： /www.diodes.com/products/lead_free/index.php 。
3.设备安装在FR- 4 PCB ， 1" X 0.85" X 0.062" ;键盘布局，显示在第5页或参阅二极管公司建议焊盘布局文件AP02001 ，这
可以在我们的网站上找到在http ： /www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
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1 6
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最大额定值：
子组件设备：离散NPN晶体管（ Q1 ， Q2 ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（最大值）
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
50
50
6
50
单位
V
V
V
mA
电气特性
特征
开关特性
集电极 - 基极截断电流
集电极 - 发射极断路开关电流，I
O（关）
发射基截断电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
输出电压（晶体管是关闭的）
输入电压（负载是关闭的）
输出电流（漏同我
首席执行官
)
基本特征*
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
OH
V
我（关闭）
I
O（关）
民
50
50
6
4.6
典型值
4.45
0.6
0.03
0.075
0.05
0.2
400
400
350
300
110
0.2
0.95
19.2
47
250
最大
100
500
500
0.4
850
0.1
0.1
0.1
0.3
0.25
28
1.2
1.6
5
单位
nA
nA
nA
V
V
V
V
nA
V
V
V
V
VDC
VDC
mA
V
V
KΩ
兆赫
pF
测试条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
I
C
= 50uA的，我
E
= 0
I
C
= 1毫安，我
B
= 0
B
I
E
= 50uA的，我
C
= 0
V
CC
= 5V, V
B
= 0.05V ，R
L
= 1KΩ
B
V
CE
= 5V ，我
C
=为100uA
V
CC
= 50V, V
I
= 0V
I
C
= 2.5毫安，我
B
= 0.25毫安
B
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
150
150
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
B
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
B
I
C
= 50mA时我
B
= 5毫安
B
V
CE
= 5V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 25毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 50毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 100毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V ，R
L
=10KΩ
B
直流电流增益
h
FE
150
150
50
输出电压（等同于V
CE （ SAT ）
或V
O（上）
)
输入电压
输入电流
基射极导通电压
基射极饱和电压
输入电阻+/- 30 ％ （基地）
小信号特性
过渡频率（增益带宽积）
集电极电容， （ Ccbo输出电容）
*脉冲测试：脉冲宽度， tp<300美国，占空比， d< = 0.02
V
OL
V
我（上）
I
i
V
BE（上）
V
BE （ SAT ）
R1
f
T
C
C
1.5
V
O
= 0.3V时，我
C
= 2毫安
V
I
= 5V
V
CE
= 5V ，我
C
= 2毫安
I
C
= 200uA ，我
B
=的20uA
B
V
CE
= 10V ，我
E
= 5毫安中，f = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
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订购信息
（注4 ）
设备
DDC144TU-7
注意事项：
4.
标识代码
N21
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
对于包装的详细信息，请参见下文或访问我们的网站： http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
N21 YM
图。 12
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
N21 =产品型号标识代码
YM =日期代码标
Y =年份例如， U = 2007
M =月如， 9月=
2006
T
JAN
1
FEB
2
2007
U
MAR
3
APR
4
机械细节
A
B C
H
K
M
J
D
F
L
图。 13
建议焊盘布局（基于IPC- SM- 782 ）
E
E
Z
G
Y
X
图。 14
DS30767版本6 - 2
N21 YM
2008
V
五月
5
6
2009
W
JUN
JUL
7
2010
X
八月
8
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
SOT-363
暗淡
民
最大
A
0.10
0.30
B
1.15
1.35
C
2.00
2.20
D
0.65标称
F
0.30
0.40
H
1.80
2.20
J
–
0.10
K
0.90
1.00
L
0.25
0.40
M
0.10
0.25
0°
8°
α
尺寸：mm
C
图14
SOT-363
尺寸
Z
2.5
G
1.3
X
0.42
Y
0.6
C
1.9
E
0.65
尺寸：mm
5 6
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