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无铅绿色
DDC144NS
百毫安预偏置晶体管阵列使用
双NPN晶体管
概述
新产品
·
DDC144NS拥有独立的双NPN晶体管,可以
支持最大连续电流高达100 mA的电流。这是
适合于各种应用的负载需要被接通,其中
和关闭使用诸如微控制器,比较器电路,
等,特别是在负载点。组件设备
可作为一个电路的一部分,或作为一个单独的离散的
装置。
6
5
4
1
2
3
特点
·
·
·
·
外延平面片建设
非常适合于自动装配程序
铅的设计免费/符合RoHS (注1 )
"Green"设备(注2 )
CQ1
6
图1 :
SOT-363
BQ1
5
CQ2
4
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
案例: SOT- 363
外壳材料:模压塑料。 "Green Molding"复合。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
终端连接:见图2
码头:完成 - 雾锡比退火合金42
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标识&类型代码信息:参见第4页
订购信息:见第4页
重量: 0.016克(近似值)
1
EQ1
Q1
R2
47k
R1
DDC144E_DIE
47k
Q2
DDC144E_DIE
R4
47k
R3
47k
2
EQ2
3
BQ2
图。 2 :原理图和引脚配置
子组件P / N
DDC144E_DIE
参考
Q1, Q2
设备类型
NPN
R1(NOM)
47K
R2(NOM)
47K
科幻gure
2
最大额定值,器件总
特征
功率耗散(注3 )
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
I
C
(最大)
价值
200
625
-55到+150
100
单位
mW
° C / W
°C
mA
热阻,结到环境空气(注3 )
工作和存储温度范围
集电极电流
最大额定值:
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
子组件设备 - 预偏置NPN晶体管
特征
电源电压
输入电压
输出电流
注意事项:
符号
V
cc
V
in
Io
价值
50
-10 + 40
100
单位
V
V
mA
1.没有故意添加铅。
2 。二极管公司的"Green"政策,可以在我们的网站上找到在http : /www.diodes.com/products/lead_free/index.php 。
3.设备安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;焊盘布局如图所示第5页或访问二极管公司建议焊盘布局文件
AP02001 ,它可以在我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf找到。
DS30747牧师4 - 2
1 5
www.diodes.com
DDC144NS
Diodes公司
新产品
电气特性:
预偏置NPN晶体管
特征
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入电阻( R1 )容忍
电阻率误差
增益带宽积
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
我(关闭)
V
我(上)
V
O(上)
I
I
I
O(关)
G
I
D
R1
R2/R1
f
T
0.5
100
-30
-20
典型值
1.1
1.5
0.1
250
最大
3
0.3
0.18
0.5
+30
+20
单位
V
V
V
mA
uA
%
%
兆赫
测试条件
V
cc
= 5V ,我
O
=为100uA
V
O
= 0.3V时,我
O
= 2毫安
I
O
/I
I
= 10毫安/ 0.5毫安
V
I
= 5V
V
cc
= 50V, V
I
= 0V
V
O
= 5V ,我
O
= 5毫安
V
CE
= 10V ,我
E
= 5毫安, F = 100 MHz的
NPN晶体管的典型特征
250
( @Tamb = 25 ° C除非另有说明)
0.08
0.07
I
b
= 0.45毫安
I
b
= 0.4毫安
I
b
= 0.35毫安
I
b
= 0.3毫安
I
b
= 0.25毫安
P
D
,功耗(毫瓦)
I
C
,集电极电流( A)
200
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
I
b
= 0.2毫安
150
100
I
b
= 0.1毫安
I
b
= 0.15毫安
50
0
-50
0
50
100
150
T
A
,环境温度(
°
C)
图。 3降额曲线
450
400
V
CE
= 5V
o
I
b
= 0.05毫安
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图。 4 V
CE
VS我
C
T
A
= 150
C
450
400
V
CE
= 10V
o
T
A
= 150
C
T
A
= 125
C
o
300
250
200
150
100
50
0
0.1
T
A
= 85
C
T
A
= 25
C
o
o
h
FE
,直流电流增益
h
FE
,直流电流增益
350
T
A
= 125
C
o
350
300
250
200
150
100
50
0
T
A
= 85
C
T
A
= 25
C
o
o
T
A
= -55
C
o
T
A
= -55
C
o
1
10
100
1000
0.1
I
C
集电极电流(毫安)
图。 5直流电流增益
1000
100
10
1
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 6 DC电流增益
DS30747牧师4 - 2
2 5
www.diodes.com
DDC144NS
100
100
V
CE ( SAT )
,集电极电压(V )
新产品
10
V
CE ( SAT )
,集电极电压(V )
Ic/Ib=10
Ic/Ib=20
10
1
o
1
T
A
= 150
C
T
A
= 85
C
o
o
0.1
T
A
= 85
C
o
T
A
= 150
C
T
A
= 125
C
o
0.1
T
A
= 125
C
o
o
0.01
T
A
= 25
C
o
T
A
= -55
C
o
0.01
T
A
= -55
C
o
T
A
= 25
C
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 7 V
CE ( SAT )
VS我
C
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 8 V
CE ( SAT )
VS我
C
25
22.5
V
CE
= 0.3V
15
V
BE(上)
,基极发射极电压( V)
13.5
12
10.5
9
7.5
6
4.5
3
1.5
0
0.1
V
CE
= 5V
V
我(上)
,输入电压( V)
20
17.5
15
12.5
10
7.5
5
2.5
0
0.1
T
A
= -55°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
T
A
= 150°C
T
A
= 85°C
T
A
= -55°C
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
T
A
= 150°C
100
10
1
I
C
,输出电流(mA )
图。 9输入电压与输出电流
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 10 V
BE(上)
VS我
C
100
30
30
V
BE ( SAT )
,基极发射极电压( V)
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0.1
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 11 V
BE ( SAT )
VS我
C
100
T
A
= -55°C
T
A
= 25°C
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
V
BE ( SAT )
,基极发射极电压( V)
27
Ic/Ib=10
27
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0.1
Ic/Ib=10
T
A
= 25°C
T
A
= 150°C
T
A
= -55°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
10
1
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 12 V
BE ( SAT )
VS我
C
100
DS30747牧师4 - 2
3 5
www.diodes.com
DDC144NS
订购信息
(注4 )
新产品
设备
DDC144NS-7
注意事项:
标识代码
S20
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
4.包装的详细信息,请参见第5页或访问我们的网站: http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
S20
S20 =产品型号标识代码,
YM =日期代码标
Y =年,例如,T = 2006
M =月,例如, 9月=
图。 13
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2005
S
JAN
1
FEB
2
2006
T
三月
3
APR
4
2007
U
五月
5
2008
V
JUN
6
JUL
7
2009
W
八月
8
2010
X
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
DS30747牧师4 - 2
YM
4 5
www.diodes.com
DDC144NS
包装外形尺寸
新产品
A
SOT-363
暗淡
B C
0.1
1.15
2
0.3
1.8
0.9
0.25
0.1
最大
0.3
1.35
2.2
0.4
2.2
0.1
1
0.4
0.25
A
B
C
D
F
H
J
K
L
0.65标称
H
K
M
J
D
F
L
M
a
尺寸:mm
图。 14
建议焊盘布局:
(根据IPC-SM- 782 )
E
E
图15外形尺寸
Z
G
X
C
SOT-363*
2.5
1.3
0.42
0.6
1.9
0.65
Z
G
Y
C
E
Y
X
*以mm为单位的典型尺寸
图。 15
重要通知
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改,补充,改进,修正或其他变化没有进一步的权利
注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不
它转达根据其专利权的任何许可,也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险,并会
同意举行Diodes公司,其产品代表我们的网站上,反对一切损害无害的所有公司。
生命支持
未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的总裁。
DS30747牧师4 - 2
5
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DDC144NS
DDC144NS
双NPN预偏置晶体管
请点击这里访问我们的在线SPICE模型数据库。
一般说明
DDC144NS拥有独立的双NPN晶体管
可支持最大连续电流高达100 mA的电流。
它适合于各种应用,其中负载需要
导通和截止使用诸如微控制器电路,
比较器等,特别是在一个点上的负载。该
组件设备可以作为一个电路的一部分或
作为一个独立的分立器件。
特点
外延平面片建设
非常适合于自动装配程序
铅的设计免费/符合RoHS (注1 )
"Green"设备(注2 )
图。 1 : SOT- 363
机械数据
案例: SOT- 363
外壳材料:模压塑料。 "Green “成型
化合物。 UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
终端连接:见图2
码头:完成 - 雾锡比退火合金42
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标识信息:见第3页
订购信息:见第3页
重量: 0.0065克(近似值)
图。 2 :原理图和引脚配置
最大额定值,器件总
特征
功耗
热阻,结到环境空气
工作和存储温度范围
集电极电流
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
(注3)
(注3)
符号
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
I
C
(最大)
价值
200
625
-55到+150
100
单位
mW
° C / W
°C
mA
最大额定值:
子组件设备 - 预偏置NPN晶体管
特征
电源电压
输入电压
输出电流
符号
V
cc
V
in
Io
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
价值
50
-10 + 40
100
单位
V
V
mA
电气特性:
预偏置NPN晶体管
特征
输入电压
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
输入电阻( R1 )容忍
电阻率误差
增益带宽积
注意事项:
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
我(关闭)
V
我(上)
V
O(上)
I
I
I
O(关)
G
I
Δ
R1
R2/R1
f
T
0.5
100
-30
-20
典型值
1.1
1.5
0.1
250
最大
3
0.3
0.18
0.5
+30
+20
单位
V
V
V
mA
uA
%
%
兆赫
测试条件
V
cc
= 5V ,我
O
=为100uA
V
O
= 0.3V时,我
O
= 2毫安
I
O
/I
I
= 10毫安/ 0.5毫安
V
I
= 5V
V
cc
= 50V, V
I
= 0V
V
O
= 5V ,我
O
= 5毫安
V
CE
= 10V ,我
E
= 5毫安, F = 100 MHz的
1.没有故意添加铅。
2 。二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
3.设备安装在FR- 4 PCB , 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;焊盘布局如图4页或访问二极管公司建议焊盘布局文件
AP02001 ,它可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf
DS30747版本6 - 2
1 4
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DDC144NS
Diodes公司
NPN晶体管的典型特征
250
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
0.08
0.07
P
D
,功耗(毫瓦)
I
C
,集电极电流( A)
0
50
100
T
A
,环境温度(
°
C)
图。 3降额曲线
T
A
= 150
C
V
CE
= 5V
T
A
= 125
ο
C
T
A
= 85
C
ο
ο
200
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
150
100
50
0
-50
150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图。 4典型的V
CE
与我
C
2
450
400
h
FE
,直流电流增益
350
300
250
200
150
100
50
0
0.1
450
400
h
FE
,直流电流增益
T
A
= -55
ο
C
350
300
250
200
150
100
50
T
A
= 25
C
ο
1
100
10
I
C
集电极电流(毫安)
图。 5典型的直流电流增益
1,000
0
0.1
10
100
1
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 6典型的直流电流增益
1,000
100
V
CE ( SAT )
,集电极电压(V )
V
CE ( SAT )
,集电极电压(V )
I
c
/I
b
=10
100
10
10
1
1
T
A
= 150 C
ο
0.1
0.1
0.01
0.1
100
10
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 7典型的V
CE ( SAT )
与我
C
1
1,000
0.01
0.1
100
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 8典型的V
CE ( SAT )
与我
C
1,000
DS30747版本6 - 2
2 4
www.diodes.com
DDC144NS
Diodes公司
25
V
BE(上)
,基极发射极电压( V)
15
V
CE
= 0.3V
22.5
V
我(上)
,输入电压( V)
20
17.5
15
12.5
10
7.5
5
2.5
13.5
12
10.5
9
7.5
6
4.5
3
1.5
0
0.1
V
CE
= 5V
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= -55°C
T
A
= 125°C
T
A
= 150°C
T
A
= 85°C
T
A
= -55°C
T
A
= 25°C
T
A
= 125°C
T
A
= 150°C
0
0.1
100
1
10
I
C
,输出电流(mA )
图。 9典型输入电压与输出电流
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 10典型的V
BE(上)
与我
C
100
30
27
V
BE ( SAT )
,基极 - 发射
饱和电压( V)
30
27
24
21
18
15
12
9
6
3
T
A
= -55°C
T
A
= 25°C
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
T
A
= 85°C
I
c
/I
b
= 20
V
BE ( SAT )
,基极 - 发射
饱和电压( V)
24
21
18
15
12
9
6
3
0
0.1
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 11典型的V
BE ( SAT )
与我
C
100
0
0.1
10
1
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 12典型的V
BE ( SAT )
与我
C
100
订购信息
(注4 )
设备
DDC144NS-7
注意事项:
包装
SOT-363
航运
3000 /磁带&卷轴
4.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
S20 =产品型号标识代码,
YM =日期代码标
Y =年,例如,T = 2006
M =月,例如, 9月=
S20
图。 13
2005
S
JAN
1
FEB
2
2006
T
MAR
3
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2007
U
APR
4
五月
5
YM
2008
V
JUN
6
2009
W
JUL
7
八月
8
2010
X
SEP
9
2011
Y
十月
O
NOV
N
2012
Z
DEC
D
DS30747版本6 - 2
3 4
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DDC144NS
Diodes公司
包装外形尺寸
A
B C
H
K
M
J
D
F
L
图。 14
SOT-363
暗淡
最大
A
0.10
0.30
B
1.15
1.35
C
2.00
2.20
D
0.65标称
F
0.30
0.40
H
1.80
2.20
J
0.10
K
0.90
1.00
L
0.25
0.40
M
0.10
0.25
α
尺寸:mm
拟议的焊盘布局
E
E
尺寸
Z
G
X
Y
C
E
SOT-363*
2.5
1.3
0.42
0.6
1.9
0.65
Z
G
C
Y
*以mm为单位的典型尺寸
X
图。 15
重要通知
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生命支持
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