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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第436页 > DDC124EH-7
SPICE模型: DDC124EH DDC144EH DDC143EH DDC114YH DDC123JH DDC114EH DDC143TH DDC114TH
DDC ( XXXX )H
NPN预偏置小信号SOT- 563
双表面贴装晶体管
特点
新产品
·
·
·
·
外延平面片建设
可提供互补PNP类型
( DDA )
内置偏置电阻
无铅器件
A
SOT-563
暗淡
0.15
1.10
1.55
0.90
1.50
0.56
0.15
0.10
最大
0.30
1.25
1.70
0.50
1.10
1.70
0.60
0.25
0.18
1.00
1.60
0.60
0.20
0.11
典型值
0.25
1.20
1.60
A
B C
NXXYM
D
G
B
C
D
G
H
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例: SOT- 563 ,模压塑料
外壳材料 - 防火等级94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020A等级1
码头:完成 - 雾锡焊
每MIL -STD- 202方法208 (注2 )
终端连接:见图
重量:0.005克数(大约)
K
H
M
K
L
L
M
尺寸:mm
见注1
P / N
DDC124EH
DDC144EH
DDC143EH
DDC114YH
DDC123JH
DDC114EH
DDC143TH
DDC114TH
R1
22KW
47KW
4.7KW
10KW
2.2KW
10KW
4.7KW
10KW
R2
22KW
47KW
4.7KW
47KW
47KW
10KW
-
-
记号
N17
N20
N08
N14
N06
N13
N07
N12
R
1
R
2
R
2
R
1
R
1
R
1
R
1
, R
2
R
1
原理图,顶视图
最大额定值
电源电压
输入电压
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CC
DDC124EH
DDC144EH
DDC143EH
DDC114YH
DDC123JH
DDC114EH
DDC143TH
DDC114TH
DDC124EH
DDC144EH
DDC143EH
DDC114YH
DDC123JH
DDC114EH
DDC143TH
DDC114TH
所有
价值
50
-10 + 40
-10 + 40
-10至+30
-6 + 40
-5到+12
-10 + 40
-5的Vmax
-5的Vmax
30
30
100
70
100
50
100
100
100
150
833
-55到+150
单位
V
特征
V
IN
V
输出电流
I
O
mA
输出电流
功耗
热阻,结到环境空气(注3 )
操作和储存和温度范围内
注意:
I
C
(最大)
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
mA
mW
° C / W
°C
1.包装是非偏振光。零件可能会在卷轴中所示的方向,旋转180°或混合型(双向) 。
2.如果含铅端子电镀是必需的,请联系您的二极管公司的销售代表可用性
和最小订单详细信息。
3.安装在FR4电路板在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf推荐的焊盘布局。
DS30421修订版1 - 2
1 4
www.diodes.com
DDC ( XXXX )H
Diodes公司
电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
50
50
5
100
典型值
250
250
0.5
0.5
0.5
0.3
0.5
0.5
最大
0.5
0.5
0.3
600
典型值
1.1
1.1
1.1
1.1
1.9
1.9
1.9
--
--
1.9
单位
V
V
V
mA
mA
V
兆赫
最大
单位
测试条件
I
C
= 50毫安
I
C
= 1毫安
I
E
= 50毫安
V
CB
= 50V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= 2.5毫安/ 0.25毫安
I
C
/I
B
= 1毫安/ 0.1毫安
DDC143TH
DDC114TH
新产品
特性( DDC143TH & DDC114TH只)
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
增益带宽积*
特征
DDC124EH
DDC144EH
DDC143EH
DDC114YH
DDC123JH
DDC114EH
DDC124EH
DDC144EH
DDC143EH
DDC114YH
DDC123JH
DDC114EH
DDC124EH
DDC144EH
DDC143EH
DDC114YH
DDC123JH
DDC114EH
DDC124EH
DDC144EH
DDC143EH
DDC114YH
DDC123JH
DDC114EH
DDC124EH
DDC144EH
DDC143EH
DDC114YH
DDC123JH
DDC114EH
I
C
= 1mA时, V
CE
= 5V
V
CE
= 10V ,我
E
= -5mA中,f = 100MHz的
测试条件
符号
V
L(关闭)
V
V
CC
= 5V ,我
O
= 100毫安
输入电压
V
L(上)
3.0
3.0
3.0
1.4
1.1
3.0
V
O
= 0.3V时,我
O
= 5毫安
V
O
= 0.3V时,我
O
= 2毫安
V
O
= 0.3V时,我
O
= 20mA下
V
O
= 0.3V时,我
O
= 1毫安
V
O
= 0.3V时,我
O
= 5毫安
V
O
= 0.3V时,我
O
= 10毫安
I
O
/I
l
= 10毫安/ 0.5毫安
I
O
/I
l
= 10毫安/ 0.5毫安
I
O
/I
l
= 10毫安/ 0.5毫安
I
O
/I
l
= 5毫安/ 0.25毫安
I
O
/I
l
= 5毫安/ 0.25毫安
I
O
/I
l
= 10毫安/ 0.5毫安
输出电压
V
O(上)
0.1
0.3
V
输入电流
I
l
0.36
0.18
1.8
0.88
3.6
0.88
0.5
mA
V
I
= 5V
输出电流
I
O(关)
56
68
20
68
80
30
mA
V
CC
= 50V, V
I
= 0V
V
O
= 5V ,我
O
= 5毫安
V
O
= 5V ,我
O
= 5毫安
V
O
= 5V ,我
O
= 10毫安
V
O
= 5V ,我
O
= 10毫安
V
O
= 5V ,我
O
= 10毫安
V
O
= 5V ,我
O
= 5毫安
V
CE
= 10V ,我
E
= 5毫安,
F = 100MHz的
直流电流增益
G
l
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
f
T
250
兆赫
DS30421修订版1 - 2
2 4
www.diodes.com
DDC ( XXXX )H
订购信息
(注4 )
新产品
设备
DDC124EH-7
DDC144EH-7
DDC143EH-7
DDC114YH-7
DDC123JH-7
DDC114EH-7
DDC143TH-7
DDC114TH-7
注意事项:
包装
SOT-563
SOT-563
SOT-563
SOT-563
SOT-563
SOT-563
SOT-563
SOT-563
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
4.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
XXXYM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
FEB
2
2003
P
三月
3
XXX =产品型号标识代码(见第1页)
YM =日期代码标
Y =年份例如: P = 2003
M =月前: 9 =九月
2004
R
APR
4
五月
5
2005
S
JUN
6
2006
T
JUL
7
八月
8
2007
U
SEP
9
2008
V
十月
O
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30421修订版1 - 2
3 4
www.diodes.com
DDC ( XXXX )H
典型曲线 - DDC143EH
新产品
V
CE ( SAT )
最大集电极电压( V)
250
1
I
C
/I
B
= 10
P
d
,功耗(毫瓦)
200
0.1
150
75°C
-25°C
25°C
100
0.01
50
0
-50
0
50
100
150
0.001
0
10
20
30
40
50
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 2 V
CE ( SAT )
与我
C
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1降额曲线
1000
5
V
CE
= 10
h
FE
,直流电流增益(标准化)
I
E
= 0毫安
75°C
100
25°C
C
OB
,电容(pF )
4
3
-25°C
2
10
1
0
1
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3直流电流增益
100
0
5
10
15
20
25
30
V
R
,反向偏置电压(V)的
图。 4输出电容
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
75°C
25°C
V
O
= 0.2
V
in
,输入电压( V)
10
-25°C
-25°C
75°C
1
1
25°C
0.1
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
0
10
20
30
40
50
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 6输入电压与集电极电流
V
in
,输入电压( V)
图。 5集电极电流比。输入电压
DS30421修订版1 - 2
4 4
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DDC ( XXXX )H
SPICE模型: DDC124EH DDC144EH DDC143EH DDC114YH DDC123JH DDC114EH DDC143TH DDC114TH
Pb
LEAD -FREE
DDC ( XXXX )H
NPN预偏置小信号SOT- 563
双表面贴装晶体管
特点
·
·
·
·
外延平面片建设
可提供互补PNP类型
( DDA )
内置偏置电阻
铅的设计免费/符合RoHS (注3 )
A
SOT-563
暗淡
0.15
1.10
1.55
0.90
1.50
0.56
0.15
0.10
最大
0.30
1.25
1.70
0.50
1.10
1.70
0.60
0.25
0.18
1.00
1.60
0.60
0.20
0.11
典型值
0.25
1.20
1.60
A
B C
NXXYM
D
G
B
C
D
G
H
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例: SOT- 563
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:完成 - 雾锡比退火合金42
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
终端连接:见图
重量:0.005克数(大约)
H
K
M
K
L
L
M
尺寸:mm
见注1
P / N
DDC124EH
DDC144EH
DDC143EH
DDC114YH
DDC123JH
DDC114EH
DDC143TH
DDC114TH
R1
22KW
47KW
4.7KW
10KW
2.2KW
10KW
4.7KW
10KW
R2
22KW
47KW
4.7KW
47KW
47KW
10KW
-
-
记号
N17
N20
N08
N14
N06
N13
N07
N12
6
5
4
6
5
R
1
R
1
4
R
1
R
2
R
2
R
1
1
2
R
1
, R
2
3
1
2
R
1
3
原理图,顶视图
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CC
DDC124EH
DDC144EH
DDC143EH
DDC114YH
DDC123JH
DDC114EH
DDC143TH
DDC114TH
DDC124EH
DDC144EH
DDC143EH
DDC114YH
DDC123JH
DDC114EH
DDC143TH
DDC114TH
所有
价值
50
-10 + 40
-10 + 40
-10至+30
-6 + 40
-5到+12
-10 + 40
-5的Vmax
-5的Vmax
30
30
100
70
100
50
100
100
100
150
833
-55到+150
单位
V
特征
电源电压( 6)上述(1)和(3) (4)
输入电压( 2)至(1)和(5) (4)
V
IN
V
输出电流
I
O
mA
输出电流
功耗
热阻,结到环境空气(注2 )
操作和储存和温度范围内
注意:
I
C
(最大)
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
mA
mW
° C / W
°C
1.包装是非偏振光。零件可能会在卷轴中所示的方向,旋转180°或混合型(双向) 。
2.安装在FR4电路板在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf推荐的焊盘布局。
3.没有故意添加铅。
DS30421修订版3 - 2
1 5
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DDC ( XXXX )H
Diodes公司
电气特性
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
增益带宽积*
特征
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
50
50
5
100
典型值
250
250
0.5
0.5
0.5
0.3
0.5
0.5
最大
0.5
0.5
0.3
600
典型值
1.1
1.1
1.1
1.1
1.9
1.9
1.9
--
--
1.9
单位
V
V
V
mA
mA
V
兆赫
最大
单位
测试条件
I
C
= 50毫安
I
C
= 1毫安
I
E
= 50毫安
V
CB
= 50V
V
EB
= 4V
I
C
/I
B
= 2.5毫安/ 0.25毫安
I
C
/I
B
= 1毫安/ 0.1毫安
DDC143TH
DDC114TH
特性( DDC143TH & DDC114TH只)
I
C
= 1mA时, V
CE
= 5V
V
CE
= 10V ,我
E
= -5mA中,f = 100MHz的
测试条件
符号
DDC124EH
DDC144EH
DDC143EH
DDC114YH
DDC123JH
DDC114EH
DDC124EH
DDC144EH
DDC143EH
DDC114YH
DDC123JH
DDC114EH
DDC124EH
DDC144EH
DDC143EH
DDC114YH
DDC123JH
DDC114EH
DDC124EH
DDC144EH
DDC143EH
DDC114YH
DDC123JH
DDC114EH
DDC124EH
DDC144EH
DDC143EH
DDC114YH
DDC123JH
DDC114EH
V
L(关闭)
V
V
CC
= 5V ,我
O
= 100毫安
输入电压
V
L(上)
3.0
3.0
3.0
1.4
1.1
3.0
V
O
= 0.3V时,我
O
= 5毫安
V
O
= 0.3V时,我
O
= 2毫安
V
O
= 0.3V时,我
O
= 20mA下
V
O
= 0.3V时,我
O
= 1毫安
V
O
= 0.3V时,我
O
= 5毫安
V
O
= 0.3V时,我
O
= 10毫安
I
O
/I
l
= 10毫安/ 0.5毫安
I
O
/I
l
= 10毫安/ 0.5毫安
I
O
/I
l
= 10毫安/ 0.5毫安
I
O
/I
l
= 5毫安/ 0.25毫安
I
O
/I
l
= 5毫安/ 0.25毫安
I
O
/I
l
= 10毫安/ 0.5毫安
输出电压
V
O(上)
0.1
0.3
V
输入电流
I
l
0.36
0.18
1.8
0.88
3.6
0.88
0.5
mA
V
I
= 5V
输出电流
I
O(关)
56
68
20
68
80
30
mA
V
CC
= 50V, V
I
= 0V
V
O
= 5V ,我
O
= 5毫安
V
O
= 5V ,我
O
= 5毫安
V
O
= 5V ,我
O
= 10毫安
V
O
= 5V ,我
O
= 10毫安
V
O
= 5V ,我
O
= 10毫安
V
O
= 5V ,我
O
= 5毫安
V
CE
= 10V ,我
E
= 5毫安,
F = 100MHz的
直流电流增益
G
l
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
f
T
250
兆赫
DS30421修订版3 - 2
2 5
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DDC ( XXXX )H
订购信息
(注4 )
设备
DDC124EH-7
DDC144EH-7
DDC143EH-7
DDC114YH-7
DDC123JH-7
DDC114EH-7
DDC143TH-7
DDC114TH-7
注意事项:
包装
SOT-563
SOT-563
SOT-563
SOT-563
SOT-563
SOT-563
SOT-563
SOT-563
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
4.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
NXXYM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2003
P
JAN
1
2004
R
FEB
2
MAR
3
2005
S
NXX =产品型号标识代码(见第1页)
YM =日期代码标
Y =年份例如: T = 2006年
M =月前: 9 =九月
2006
T
APR
4
五月
5
2007
U
JUN
6
2008
V
JUL
7
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典型曲线 - DDC143EH
V
CE ( SAT )
,集电极 - 发射极电压( V)
250
1
I
C
/I
B
= 10
P
d
,功耗(毫瓦)
200
0.1
150
75
°
C
-25
°
C
25
°
C
100
0.01
50
0
-50
0
50
100
150
T
A
,环境温度(
°
C)
图。 1降额曲线
1000
V
CE
= 10V
0.001
0
10
20
30
40
50
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 2 V
CE ( SAT )
与我
C
5
F = 1MHz的
100
75
°
C
25
°
C
-25
°
C
C
OB
,电容(pF )
4
h
FE
,直流电流增益
3
2
10
1
0
1
1
10
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 3直流电流增益
100
0
5
10
15
20
25
30
V
R
,反向偏置电压(V)的
图。 4输出电容
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
75
°
C
V
O
= 0.2V
25°C
V
in
,输入电压( V)
10
-25°C
-25°C
75
°
C
1
1
25°C
0.1
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
0
10
20
30
40
50
I
C
,集电极电流(毫安)
图。 6输入电压与集电极电流
V
in
,输入电压( V)
图。 5集电极电流比。输入电压
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