【SPICE模型： DDC124EH DDC144EH DDC143EH DDC114YH DDC12】,IC型号DDC114EH,DDC114EH PDF资料,DDC114EH经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPICE模型： DDC124EH DDC144EH DDC143EH DDC114YH DDC123JH DDC114EH DDC143TH DDC114TH

Pb

LEAD -FREE

DDC （ XXXX ）H

NPN预偏置小信号SOT- 563

双表面贴装晶体管

特点

·

外延平面片建设

可提供互补PNP类型

（ DDA ）

内置偏置电阻

铅的设计免费/符合RoHS （注3 ）

A

SOT-563

暗淡

民

0.15

1.10

1.55

0.90

1.50

0.56

0.15

0.10

最大

0.30

1.25

1.70

0.50

1.10

1.70

0.60

0.25

0.18

1.00

1.60

0.60

0.20

0.11

典型值

0.25

1.20

1.60

A

B C

NXXYM

D

G

B

C

D

G

H

机械数据

·

案例： SOT- 563

外壳材料：模压塑料。防火

分类额定值94V- 0

湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级

码头：完成 - 雾锡比退火合金42

引线框架。每MIL -STD- 202方法208

终端连接：见图

重量：0.005克数（大约）

H

K

M

K

L

M

尺寸：mm

见注1

P / N

DDC124EH

DDC144EH

DDC143EH

DDC114YH

DDC123JH

DDC114EH

DDC143TH

DDC114TH

R1

22KW

47KW

4.7KW

10KW

2.2KW

10KW

4.7KW

10KW

R2

22KW

47KW

4.7KW

47KW

10KW

-

记号

N17

N20

N08

N14

N06

N13

N07

N12

6

5

4

6

5

R

1

R

1

4

R

1

R

2

R

2

R

1

2

R

1

, R

2

3

1

2

R

1

只

3

原理图，顶视图

最大额定值

@ T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

CC

DDC124EH

DDC144EH

DDC143EH

DDC114YH

DDC123JH

DDC114EH

DDC143TH

DDC114TH

DDC124EH

DDC144EH

DDC143EH

DDC114YH

DDC123JH

DDC114EH

DDC143TH

DDC114TH

所有

价值

50

-10 + 40

-10至+30

-6 + 40

-5到+12

-10 + 40

-5的Vmax

30

100

70

100

50

100

150

833

-55到+150

单位

V

特征

电源电压（ 6）上述（1）和（3）（4）

输入电压（ 2）至（1）和（5）（4）

V

IN

V

输出电流

I

O

mA

输出电流

功耗

热阻，结到环境空气（注2 ）

操作和储存和温度范围内

注意：

I

C

（最大）

P

d

R

qJA

T

j

, T

英镑

mA

mW

° C / W

°C

1.包装是非偏振光。零件可能会在卷轴中所示的方向，旋转180°或混合型（双向）。

2.安装在FR4电路板在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf推荐的焊盘布局。

3.没有故意添加铅。

DS30421修订版3 - 2

1 5

www.diodes.com

DDC （ XXXX ）H

Diodes公司

电气特性

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流传输比

增益带宽积*

特征

@ T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

h

FE

f

T

民

50

5

100

典型值

250

民

0.5

0.3

0.5

最大

0.5

0.3

600

典型值

1.1

1.9

--

1.9

单位

V

mA

V

兆赫

最大

单位

测试条件

I

C

= 50毫安

I

C

= 1毫安

I

E

= 50毫安

V

CB

= 50V

V

EB

= 4V

I

C

/I

B

= 2.5毫安/ 0.25毫安

I

C

/I

B

= 1毫安/ 0.1毫安

DDC143TH

DDC114TH

特性（ DDC143TH & DDC114TH只）

I

C

= 1mA时， V

CE

= 5V

V

CE

= 10V ，我

E

= -5mA中，f = 100MHz的

测试条件

符号

DDC124EH

DDC144EH

DDC143EH

DDC114YH

DDC123JH

DDC114EH

DDC124EH

DDC144EH

DDC143EH

DDC114YH

DDC123JH

DDC114EH

DDC124EH

DDC144EH

DDC143EH

DDC114YH

DDC123JH

DDC114EH

DDC124EH

DDC144EH

DDC143EH

DDC114YH

DDC123JH

DDC114EH

DDC124EH

DDC144EH

DDC143EH

DDC114YH

DDC123JH

DDC114EH

V

L（关闭）

V

CC

= 5V ，我

O

= 100毫安

输入电压

V

L（上）

3.0

1.4

1.1

3.0

V

O

= 0.3V时，我

O

= 5毫安

V

O

= 0.3V时，我

O

= 2毫安

V

O

= 0.3V时，我

O

= 20mA下

V

O

= 0.3V时，我

O

= 1毫安

V

O

= 0.3V时，我

O

= 5毫安

V

O

= 0.3V时，我

O

= 10毫安

I

O

/I

l

= 10毫安/ 0.5毫安

I

O

/I

l

= 10毫安/ 0.5毫安

I

O

/I

l

= 10毫安/ 0.5毫安

I

O

/I

l

= 5毫安/ 0.25毫安

I

O

/I

l

= 5毫安/ 0.25毫安

I

O

/I

l

= 10毫安/ 0.5毫安

输出电压

V

O（上）

0.1

0.3

V

输入电流

I

l

0.36

0.18

1.8

0.88

3.6

0.88

0.5

mA

V

I

= 5V

输出电流

I

O（关）

56

68

20

68

80

30

mA

V

CC

= 50V, V

I

= 0V

V

O

= 5V ，我

O

= 5毫安

V

O

= 5V ，我

O

= 5毫安

V

O

= 5V ，我

O

= 10毫安

V

O

= 5V ，我

O

= 10毫安

V

O

= 5V ，我

O

= 10毫安

V

O

= 5V ，我

O

= 5毫安

V

CE

= 10V ，我

E

= 5毫安，

F = 100MHz的

直流电流增益

G

l

增益带宽积*

*晶体管 - 仅供参考

f

T

250

兆赫

DS30421修订版3 - 2

2 5

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DDC （ XXXX ）H

订购信息

（注4 ）

设备

DDC124EH-7

DDC144EH-7

DDC143EH-7

DDC114YH-7

DDC123JH-7

DDC114EH-7

DDC143TH-7

DDC114TH-7

注意事项：

包装

SOT-563

航运

3000 /磁带&卷轴

4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

NXXYM

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

2003

P

JAN

1

2004

R

FEB

2

MAR

3

2005

S

NXX =产品型号标识代码（见第1页）

YM =日期代码标

Y =年份例如： T = 2006年

M =月前： 9 =九月

2006

T

APR

4

五月

5

2007

U

JUN

6

2008

V

JUL

7

2009

W

八月

8

2010

X

SEP

9

十月

O

2011

Y

NOV

N

2012

Z

DEC

D

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3 5

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DDC （ XXXX ）H

典型曲线 - DDC143EH

V

CE （ SAT ）

，集电极 - 发射极电压（ V）

250

1

I

C

/I

B

= 10

P

d

，功耗（毫瓦）

200

0.1

150

75

°

C

-25

°

C

25

°

C

100

0.01

50

0

-50

0

50

100

150

T

A

，环境温度（

°

C)

图。 1降额曲线

1000

V

CE

= 10V

0.001

0

10

20

30

40

50

I

C

，集电极电流（毫安）

图。 2 V

CE （ SAT ）

与我

C

5

F = 1MHz的

100

75

°

C

25

°

C

-25

°

C

OB

，电容（pF ）

4

h

FE

，直流电流增益

3

2

10

1

0

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

图。 3直流电流增益

100

0

5

10

15

20

25

30

V

R

，反向偏置电压（V）的

图。 4输出电容

10

100

I

C

，集电极电流（毫安）

75

°

C

V

O

= 0.2V

25°C

V

in

，输入电压（ V）

10

-25°C

75

°

C

1

25°C

0.1

0.01

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

1

0

10

20

30

40

50

I

C

，集电极电流（毫安）

图。 6输入电压与集电极电流

V

in

，输入电压（ V）

图。 5集电极电流比。输入电压

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4 5

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DDC （ XXXX ）H

重要通知

Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变化没有进一步的权利

注意任何产品在此。 Diodes公司不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;也不

它转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险，并会

同意举行Diodes公司，其产品代表我们的网站上，反对一切损害无害的所有公司。

生命支持

未经明确的书面批准Diodes公司的产品不得用于生命支持设备或系统中的关键组件

Diodes公司的总裁。

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DDC （ XXXX ）H

SPICE模型： DDC124EH DDC144EH DDC143EH DDC114YH DDC123JH DDC114EH DDC143TH DDC114TH

DDC （ XXXX ）H

NPN预偏置小信号SOT- 563

双表面贴装晶体管

特点

新产品

·

外延平面片建设

可提供互补PNP类型

（ DDA ）

内置偏置电阻

无铅器件

A

SOT-563

暗淡

民

0.15

1.10

1.55

0.90

1.50

0.56

0.15

0.10

最大

0.30

1.25

1.70

0.50

1.10

1.70

0.60

0.25

0.18

1.00

1.60

0.60

0.20

0.11

典型值

0.25

1.20

1.60

A

B C

NXXYM

D

G

B

C

D

G

H

机械数据

·

案例： SOT- 563 ，模压塑料

外壳材料 - 防火等级94V- 0

湿度敏感性：每J- STD- 020A等级1

码头：完成 - 雾锡焊

每MIL -STD- 202方法208 （注2 ）

终端连接：见图

重量：0.005克数（大约）

K

H

M

K

L

M

尺寸：mm

见注1

P / N

DDC124EH

DDC144EH

DDC143EH

DDC114YH

DDC123JH

DDC114EH

DDC143TH

DDC114TH

R1

22KW

47KW

4.7KW

10KW

2.2KW

10KW

4.7KW

10KW

R2

22KW

47KW

4.7KW

47KW

10KW

-

记号

N17

N20

N08

N14

N06

N13

N07

N12

R

1

R

2

R

2

R

1

R

1

R

1

R

1

, R

2

R

1

只

原理图，顶视图

最大额定值

电源电压

输入电压

@ T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

V

CC

DDC124EH

DDC144EH

DDC143EH

DDC114YH

DDC123JH

DDC114EH

DDC143TH

DDC114TH

DDC124EH

DDC144EH

DDC143EH

DDC114YH

DDC123JH

DDC114EH

DDC143TH

DDC114TH

所有

价值

50

-10 + 40

-10至+30

-6 + 40

-5到+12

-10 + 40

-5的Vmax

30

100

70

100

50

100

150

833

-55到+150

单位

V

特征

V

IN

V

输出电流

I

O

mA

输出电流

功耗

热阻，结到环境空气（注3 ）

操作和储存和温度范围内

注意：

I

C

（最大）

P

d

R

qJA

T

j

, T

英镑

mA

mW

° C / W

°C

1.包装是非偏振光。零件可能会在卷轴中所示的方向，旋转180°或混合型（双向）。

2.如果含铅端子电镀是必需的，请联系您的二极管公司的销售代表可用性

和最小订单详细信息。

3.安装在FR4电路板在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf推荐的焊盘布局。

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DDC （ XXXX ）H

Diodes公司

电气特性

@ T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

I

EBO

V

CE （ SAT ）

h

FE

f

T

民

50

5

100

典型值

250

民

0.5

0.3

0.5

最大

0.5

0.3

600

典型值

1.1

1.9

--

1.9

单位

V

mA

V

兆赫

最大

单位

测试条件

I

C

= 50毫安

I

C

= 1毫安

I

E

= 50毫安

V

CB

= 50V

V

EB

= 4V

I

C

/I

B

= 2.5毫安/ 0.25毫安

I

C

/I

B

= 1毫安/ 0.1毫安

DDC143TH

DDC114TH

新产品

特性（ DDC143TH & DDC114TH只）

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流传输比

增益带宽积*

特征

DDC124EH

DDC144EH

DDC143EH

DDC114YH

DDC123JH

DDC114EH

DDC124EH

DDC144EH

DDC143EH

DDC114YH

DDC123JH

DDC114EH

DDC124EH

DDC144EH

DDC143EH

DDC114YH

DDC123JH

DDC114EH

DDC124EH

DDC144EH

DDC143EH

DDC114YH

DDC123JH

DDC114EH

DDC124EH

DDC144EH

DDC143EH

DDC114YH

DDC123JH

DDC114EH

I

C

= 1mA时， V

CE

= 5V

V

CE

= 10V ，我

E

= -5mA中，f = 100MHz的

测试条件

符号

V

L（关闭）

V

CC

= 5V ，我

O

= 100毫安

输入电压

V

L（上）

3.0

1.4

1.1

3.0

V

O

= 0.3V时，我

O

= 5毫安

V

O

= 0.3V时，我

O

= 2毫安

V

O

= 0.3V时，我

O

= 20mA下

V

O

= 0.3V时，我

O

= 1毫安

V

O

= 0.3V时，我

O

= 5毫安

V

O

= 0.3V时，我

O

= 10毫安

I

O

/I

l

= 10毫安/ 0.5毫安

I

O

/I

l

= 10毫安/ 0.5毫安

I

O

/I

l

= 10毫安/ 0.5毫安

I

O

/I

l

= 5毫安/ 0.25毫安

I

O

/I

l

= 5毫安/ 0.25毫安

I

O

/I

l

= 10毫安/ 0.5毫安

输出电压

V

O（上）

0.1

0.3

V

输入电流

I

l

0.36

0.18

1.8

0.88

3.6

0.88

0.5

mA

V

I

= 5V

输出电流

I

O（关）

56

68

20

68

80

30

mA

V

CC

= 50V, V

I

= 0V

V

O

= 5V ，我

O

= 5毫安

V

O

= 5V ，我

O

= 5毫安

V

O

= 5V ，我

O

= 10毫安

V

O

= 5V ，我

O

= 10毫安

V

O

= 5V ，我

O

= 10毫安

V

O

= 5V ，我

O

= 5毫安

V

CE

= 10V ，我

E

= 5毫安，

F = 100MHz的

直流电流增益

G

l

增益带宽积*

*晶体管 - 仅供参考

f

T

250

兆赫

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2 4

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DDC （ XXXX ）H

订购信息

（注4 ）

新产品

设备

DDC124EH-7

DDC144EH-7

DDC143EH-7

DDC114YH-7

DDC123JH-7

DDC114EH-7

DDC143TH-7

DDC114TH-7

注意事项：

包装

SOT-563

航运

3000 /磁带&卷轴

4.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

XXXYM

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

JAN

1

FEB

2

2003

P

三月

3

XXX =产品型号标识代码（见第1页）

YM =日期代码标

Y =年份例如： P = 2003

M =月前： 9 =九月

2004

R

APR

4

五月

5

2005

S

JUN

6

2006

T

JUL

7

八月

8

2007

U

SEP

9

2008

V

十月

O

NOV

N

2009

W

DEC

D

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3 4

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DDC （ XXXX ）H

典型曲线 - DDC143EH

新产品

V

CE （ SAT ）

最大集电极电压（ V）

250

1

I

C

/I

B

= 10

P

d

，功耗（毫瓦）

200

0.1

150

75°C

-25°C

25°C

100

0.01

50

0

-50

0

50

100

150

0.001

0

10

20

30

40

50

I

C

，集电极电流（毫安）

图。 2 V

CE （ SAT ）

与我

C

T

A

，环境温度（ ° C）

图。 1降额曲线

1000

5

V

CE

= 10

h

FE

，直流电流增益（标准化）

I

E

= 0毫安

75°C

100

25°C

C

OB

，电容（pF ）

4

3

-25°C

2

10

1

0

1

10

I

C

，集电极电流（毫安）

图。 3直流电流增益

100

0

5

10

15

20

25

30

V

R

，反向偏置电压（V）的

图。 4输出电容

10

100

I

C

，集电极电流（毫安）

75°C

25°C

V

O

= 0.2

V

in

，输入电压（ V）

10

-25°C

75°C

1

25°C

0.1

0.01

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

1

0

10

20

30

40

50

I

C

，集电极电流（毫安）

图。 6输入电压与集电极电流

V

in

，输入电压（ V）

图。 5集电极电流比。输入电压

DS30421修订版1 - 2

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DDC （ XXXX ）H