WTE
功率半导体
DD350 / S - DD356 / S
Pb
35A玻璃钝化盘式压接二极管
特点
!
!
!
!
!
!
玻璃钝化片建设
低漏
低成本
高浪涌电流能力
低正向
C波段终端建设
C
阳极
+
D
机械数据
B
!
!
!
案例： 8.4毫米或9.5毫米碟型压入
与硅橡胶密封顶部
终端：联系地区容易焊
极性：阴极案例（反向单位
可应要求提供被指定
由一个“ R”后缀，即DD350R或DD350SR ）
极性：白颜色等于标准，
黑色等于反接
安装位置：任意
无铅：对于符合RoHS /无铅版本，
新增“ -LF ”后缀型号，请参见第2页
A
8.4毫米菜
9.5毫米菜
民
最大
民
最大
8.25
8.45
9.30
9.70
2.00
2.40
2.0
2.40
1.50 典型
17.50
—
17.50
—
尺寸：mm
“S”后缀表示8.4毫米菜
没有后缀指定9.5毫米菜
!
!
!
暗淡
A
B
C
D
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流@T
C
= 150°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 35A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
DD350/ DD351/ DD352/ DD353/ DD354/ DD355/ DD356/
S
S
S
S
S
S
S
50
35
100
70
200
140
300
210
35
400
280
500
350
600
420
单位
V
V
A
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJC
T
J
, T
英镑
400
1.0
5.0
500
300
1.0
-65到+175
A
V
A
pF
° C / W
°C
典型结电容（注1 ）
典型热阻（注2 ）
工作和存储温度范围
注：1，测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
2.热阻：结到管壳，单面冷却。
DD350 / S - DD356 / S
1 2
2006韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
DD350
DD350S
DD351
DD351S
DD352
DD352S
DD353
DD353S
DD354
DD354S
DD355
DD355S
DD356
DD356S
1.
2.
套餐类型
9.5毫米盘压配
8.4毫米盘压配
9.5毫米盘压配
8.4毫米盘压配
9.5毫米盘压配
8.4毫米盘压配
9.5毫米盘压配
8.4毫米盘压配
9.5毫米盘压配
8.4毫米盘压配
9.5毫米盘压配
8.4毫米盘压配
9.5毫米盘压配
8.4毫米盘压配
送货数量
2000单位/箱
2000单位/箱
2000单位/箱
2000单位/箱
2000单位/箱
2000单位/箱
2000单位/箱
2000单位/箱
2000单位/箱
2000单位/箱
2000单位/箱
2000单位/箱
2000单位/箱
2000单位/箱
鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低
订货量，请咨询售楼部。
如需订购无铅版本（与无铅完成） ，加上“ -LF ”后缀部分
上述数字。例如， DD350 -LF 。
韩元鼎好电子有限公司（ WTE ）已仔细检查了所有的信息，并认为它是正确的，准确的。然而， WTE不承担任何
责任不准确。此外，这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息，而无需另行通知的权利。
警告：
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路，茅根陈DIST。 ，高雄，台湾
电话：
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真：
886-7-822-5417
电子邮件：
sales@wontop.com
互联网：
http://www.wontop.com
我们日常供电。
DD350 / S - DD356 / S
2 2
2006韩元鼎好电子
PIN二极管驱动器
微波频谱
ffers一个完整的阵容PIN二极管开关
司机为10 mA的输出电流能力50mA的电流
开关速度快6纳秒。在陶瓷薄膜金属化
基材保证了低寄生电容进行快速切换，小
大小，以及优异的可靠性。 AH格式化驱动程序是由我们的设计
经验丰富的工程技术人员;因而，如果司机在上市
在下表中不符合您的要求，我们将很高兴
商量了定制电路，以满足您的具体需求。
特点
M IL - STD - 883 B级筛选可用
反相和非反相模式
正和负输出电流
-55至+ 125°C工作温度范围
-65至-150C存储温度范围
M奥德尔
DD111/M
DD211/M
DD211B
DD311A
DDF11/M
DDF2311
DDF3311
DDF4311
DDF5311
DDF6311
1
2
2
1
1
2
3
4
5
6
5
3
M A XIM UM
最大
4
2 M A X INTERNA L
POW ER
1
输出电流
OPERA寿V OLTA GE
当前
DISSIPA -
M尼加拉瓜妇女协会UM M A XIM UM REP 。
LIM ITS （ V）
TION （W）的
DRA IN
OPEN CK牛逼SW瘙痒RA TE
哥伦比亚特区（M A）
M尼加拉瓜妇女协会UM
（M A）
100 C 25 C
PEA K（ PA）的输出（ V） TIM ES （N S） （M赫兹）
+5V
V EE
POSITIV ê
NEGA TIV ê
M IN M A X M IN M A X POS
NEG POS
NEG在正到FF
+5V
V EE M IN M A X M IN M A X CA SE A M B
12/24 18/36 12
18
100 150
2.5
5.5
25
25
5
45
25
4.5
5.5
5
16
0.8
0.5
12
18
12
18
100 150
2.5
5.5
25
25
5
90
50
4.5
5.5
5
16
1.6
0.5
24
36
12
18
100 150
2.5
5.5
25
25
5
90
50
4.5
5.5
5
16
1.6
0.5
8
12
24
36
300 300
4.0
11.0
6
8
20
15
15
4.5
5.5
5
16
0.8
0.5
8
12
24
36
300 300
4.0
11.0
12
15
10
45
15
4.5
5.5
5
16
0.8
0.5
8
12
24
36
300 300
4.0
11.0
12
15
10
60
30
4.5
5.5
5
16
1.0
0.8
8
12
24
36
300 300
4.0
11.0
12
15
10
75
45
4.5
5.5
5
16
1.5
1.2
8
12
24
36
300 300
4.0
11.0
12
15
10
90
60
4.5
5.5
5
16
1.9
1.2
8
12
24
36
300 300
4.0
11.0
12
15
10
135
75
4.5
5.5
5
16
2.8
1.6
8
12
24
36
300 300
4.0
11.0
12
15
10
150
90
4.5
5.5
5
16
3.3
1.6
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
注意事项：
1.输出电流被测量成10欧姆负载接地。
2.装载有50 pF的（ 39 + 10示波器探头）电容与阴极接地HP5082-0C01 PIN二极管并联。
吨是从输入端（从S<ASOO栅极）的50 ％开始，到10 + 1V二极管负载。
Toff的是从输入的50％测量横跨二极管负载额定开个CKT负电压。
3.专属的电流提供给负载。
4.为避免超过额定功率，最大。驾驶接地阳极二极管时， V形应追究到5V 。
5.脱速率的线性至175摄氏度温度的测量是在壳体底部，应热沉没如果必要的。
NO 。作者： DRIV ERS
165Cedar山街，马尔堡， MA01752电话： 508.485.6350传真： 508.485.5168
www.spectrummicrowave.com
DD111
DD111M *
高速驱动器
具有优良的噪声通用PIN二极管驱动器
免疫力，非常快速的切换100 mA电流
尖峰和可用的测试点，用于增加
静态输出电流。
采用反相输入1 W母鸡，偏置引脚5连接到
非反相输入端子6 。
使用非反相输入端2 W母鸡，连接偏压销5
到反相输入引脚4 。
3.为-30 mA的输出电流，接脚8脚9 。
4.对于除15毫安其他积极输出电流或
30毫安，一个外部电阻可以连接
间销8和+ 5V 。请参阅图表。
5.负输出电流的变化与V EE和是
在-12V规定。 W母鸡驾驶阳极接地
二极管，V ee值应保持在-5V ，其中负
电流为5毫安。它可能会增加连接
来自TP-电阻（引脚14）到V EE （引脚1 ） 。见图。
0.035
V EE （ - 5 - 15 ）
产量
地
INV输入
输入偏置
非输入INV
+ 5V DC
7
0'0 TY P 002 （M ）
.005 +.001
600
500
400
300
200
100
.115
最大
1
.425
最大
14
0.050
TP-
PKG
底部
DD111
XXXX
TOP V IEW
+30mA
TP +
8
250 M IN
.015
.002
* M后缀表示的标准环氧树脂密封的焊接金属封装，而不是
陶瓷封装。
0
0
10
20
30
40
50
60
DD211
DD211B
DD211M *
双路高速驱动器
双DD111与电流编程引脚
省略。此驱动程序通常是在SPDT应用程序中使用
通过驱动一个信道与所述的反相输入端
其他信道的来自同一同相输入端
TTL输入信号。
使用通道1相输入引脚4 1 W母鸡，连接
偏压销5的非反相输入端子6 。
利用通道2反相输入引脚11 2. W母鸡，。
BIAS引脚10连接到非反相引脚9 。
使用信道1 3. W母鸡非反相输入端子6。
BIAS引脚5连接到反相输入引脚4 。
使用信道2 4. W母鸡非反相输入端子9 ，
BIAS引脚10连接到反相输入引脚11 。
5.两个司机，除了静态相同
正输出电流，其标称15毫安
为DD211和30mA的DD211B 。
6 W母鸡驾驶阳极接地的二极管，必须注意
行使，以避免过多的功率耗散。
V ee值应限制在-10伏，在该点处
负输出电流将约为
-10毫安。咨询工厂的设计支持。
* M后缀表示焊接金属封装，而不是标准的环氧树脂密封
陶瓷封装。
.230
最大
.110
CHA NNEL 1
V EE （ - 5 - 15 ）
产量
地
INV输入
输入偏置
非输入INV
+ 5V DC
7
.425
SQ
最大
1
.015 ± .003
14
CHA NNEL 2
V EE （ - 5 - 15 ）
产量
地
INV输入
输入偏置
非输入INV
+ 5V DC 2
DD111
XXXX
TOP V IEW
9
250 M IN
TY P
顶部
底部
110
035
.035
.005 ± .001
14
1
0.050
.015
最大
9
BOTTOM V IEW
7
接下页。
高电流驱动器
3
M A XIM UM
INTERNA L
最大
当前
REP 。
DRA IN
RA TE
（M A）
（M赫兹）
1
1
1
1
1
1
1
+5 V
45
90
90
15
45
60
75
已经ê
30
50
50
60
60
90
90
NO 。作者： DRIV ERS
输出电流
1
M奥德尔
DD111/M
DD211/M
DD211B
DD311A
DDF11/M
DDF2311
DDF3311
2
3
3
4
4
6
6
哥伦比亚特区（M A）
POSITIV ê
NEGA TIV ê
M IN M A X M IN
M A X POS
24/40 36/60 24/40 36/60 4.0
16
24
16
24
4.0
40
60
40
60
4.0
16
24
16
24
4.0
40
60
40
60
4.0
16
24
16
24
4.0
40
60
40
60
4.0
2
M A XIM UM
M尼加拉瓜妇女协会UM
OPEN CK牛逼SW痒
OUTPUT （ V） TIM ES （N S）
负
11.0
11.0
11.0
11.0
11.0
11.0
11.0
到n
100
100
100
100
100
100
100
以F F
200
200
200
200
200
200
200
4
OPERA寿V OLTA GE
LIM ITS （ V）
+5 V
米
最大
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5
最大
POW ER
DISSIPA -
TION （W）的
V EE
100 C 25 C
米
M A X CA SE A M B
3
16
1.0
0.8
3
16
1.5
1.2
3
16
1.5
1.2
3
16
1.9
1.2
3
16
1.9
1.2
3
16
2.8
1.2
3
16
2.8
1.2
注意事项：
1输出电流下测得为10欧姆负载到地。
2将是一个50 pF的（ 39 + 10示波器探头）电容与阴极接地HP5082-0C01 PIN二极管并联。
吨是从输入端（从S<A SOO栅极）的50 ％开始，到10 + 1V二极管负载。
Toff的是从输入的50％测量横跨二极管负载额定开个CKT负电压。
的电流的3独家提供给负载。
4要避免超过额定功率，最大V EE应该行驶时地面编阳极二极管举行至5 V 。
5减免线性至175 ℃。温度的测量是在壳体底部，应热沉，如果必要
.
DD217
双路高电流驱动器
两个独立的通用中速（ 100纳秒）
有独立的正负静态驱动
输出电流编程和独立
输入逻辑模式控制。此驱动程序通常是
通过驱动两个输入端采用单刀双掷的应用
从相同的TTL输入信号并施加
相反的逻辑输入两个模式控制。
1.输入被反相当M ODE控制具有逻辑
高投入。
2.输入是非invertin克当M ODE控制有
逻辑低输入。
3.增加正输出电流从正常
30毫安到50毫安， 50毫安引脚连接到+ 5V 。
4.增加负输出电流从正常
-30 mA至-50毫安，连接-50 mA的引脚连接到V EE 。
5.负输出电流不具有\\ / ee值发生变化，
这应该不超过-5 V行驶时
接地阳极二极管，以避免高功率
在车手dissip通报BULLETIN 。
输出＃ 1
+ 50毫安＃ 1
+5V
输入＃ 1
模式控制＃ 1
地
11
模式控制＃ 2
输入＃ 2
+ 50毫安＃ 2
V EE （ - 5V至 - 15V ）
输出＃ 2
11
645
SQ
最大
.067
.125
最大
0.038
22
= 50毫安
395
最大
1
0.050
DD217
XXXX
645 M A X
PKG
底部
TOP V IEW
= 50毫安
12
0.015
TY P
500 M IN TY P
010 TY P
M ETA长宽ELDED PA CK千兆以太网
接下页。
DDF2311
DDF3311
DDF4311
TW O，三和四通道
高速驱动器
M可以将多个独立的高速驱动与
300毫安峰值电流尖峰。
1.输入非反相当M ODE控制有
逻辑高电平输入。
2.输入被反相当M ODE控制具有逻辑
低的输入。
3.增加开关尖峰电流，增加一个电容器
高达560 pF的输出和TP引脚之间。
4.模式控制和输入引脚互换
内的任何一个信道。
5. W母鸡驾驶阳极接地的二极管，过度
必须避免功耗。 V EE应该是
仅限于-8V与-5V建议。
6. DDF2311 /四千三百一十一分之三千三百一十一没有一个真正的电流
源输出。代替的输出端连接到
一个380欧姆的电阻并联一个560 pF电容
与此RC组合的从动端是
+ 4V和V ee值之间进行切换，以使负
输出电流直接与V EE变化。
395
最大
1
TP
产量
NC
非反相输入端
地
模式＃ 1
模式＃ 2
输入＃ 2
NC
输出＃ 2
TP
11
22
（ - 5V至
– 15V )
N / C
PKG
底部
0.050
DDF2311
XXXX
645 M A X
TOP V IEW
500 M IN TY P
N / C
+5V
12
0.038
125
最大
010 ± 002
M ETA长宽ELDED PA CK千兆以太网
645
SQ
最大
1
地
输入＃ 1
控制＃ 1
输入＃ 2
控制＃ 2
输入＃ 3
控制＃ 3
输入＃ 4
控制＃ 4
+5V
地
11
22
TP1
产量
TP2
产量
N / C
TP3
产量
TP4
产量
N / C
+12V
12
150
最大
500 M IN
TY P
015
#1
#2
#3
#4
067
0.050
模式
模式
模式
模式
DDF3311/4311
XXXX
TOP V IEW
M ETA长宽ELDED PA CK千兆以太网
DDF5311
DDF6311
五和六通道
高速驱动器
独立的高速驱动器与300毫安
峰值电流尖峰。
1.输入非反相当M ODE控制有
逻辑高电平输入。
2.输入被反相当M ODE控制具有逻辑
低的输入。
3.增加开关尖峰电流，增加一个电容器
高达560 pF的输出和TP引脚之间。
0.770平方（最大值）
地
输入＃ 1
控制＃ 1
输入＃ 2
控制＃ 2
输入＃ 3
控制＃ 3
输入＃ 4
控制＃ 4
输入＃ 5
控制＃ 5
输入＃ 6
控制＃ 6
地
4.模式控制和输入引脚互换
内的任何一个通道 -
5. W母鸡驾驶阳极接地的二极管，过度
必须避免功耗。 V GG应该
限于-8V与-5V建议。
6.这些驱动程序并没有一个真正的电流源
输出。代替的输出被连接到一个380-
欧姆的电阻并联一个560 pF电容和
此RC组合的从动端被切换
+ 4V和V ee值之间，以使负输出
目前的变化直接withV EE 。
.010 ± .002
产量
TP1
TP2
产量
产量
TP3
+5V
TP4
产量
产量
TP5
TP6
产量
-12V
#1
#2
#3
PKG
底部
#4
#5
#6
.150 MAX
0.067典型值
0.500 MIN
0.015 ± 0.003 （典型值）
模式
模式
模式
模式
模式
模式
DDF5311/6311
XXXX
0.075 MAX
0.075 MAX
M ETA长宽ELDED PA CK千兆以太网
0.050 TYP
接下页。
DD311A
DD311A M *
超高速SPST
A N反相只能用超高速驱动器
300毫安开关电流尖峰。该DD311A
输出（引脚2）被连接到一个360欧姆的电阻
并联在一个560 pF电容和从动
电阻/电容的组合端（引脚11 ）
之间4和-10 V.切换
1. DD311A应当通过其他驱动
卸载54S ， 54A S，或54F型门实现
额定开关时间。输入电容是AP-
近因为50 pF 。
2.增加开关的峰值电流，增加电容
高达560 pF的输出和TP引脚之间器。
.115
最大
0.035
1
0.050
PKG底
+5V
0.015
±.003
.005 ±.001
0.010 TY P
+002 (M * )
7
8
250 M IN TY P
V EE （ - ％ V至 - 15V ）
产量
地
INV输入
425 SQ
最大
14
DD311A
XXXX
TOP V IEW
TP
* M后缀表示焊接金属封装，而不是标准的环氧树脂密封
陶瓷封装。
DDF311
DDF311M *
高速驱动器
单通道高速驱动器与300毫安
峰值电流尖峰。
1.输入非反相当M ODE控制有
逻辑高电平输入。
2.输入被反相当M ODE控制具有逻辑
低的输入。
3.增加开关的峰值电流，增加电容
高达560 pF的输出和TP引脚之间器。
4.模式控制和输入引脚互换
内的任何一个信道。
5. D钮DF311系列驱动程序没有一个真正的电流
源输出。代替的输出被连接到一个
380欧姆的电阻并联一个560 pF电容
与此RC组合的从动端是
4和V ee值，以使负之间切换
输出电流直接与V EE变化。
* M后缀表示焊接金属封装，而不是标准的环氧树脂密封
陶瓷封装。
1
V EE （ - ％ V至 - 15V ）
产量
地
N / C
输入
模式控制
+5V
7
TOP V IEW
11
425 SQ
最大
14
22
0.050
DD320/420/620
DD320/420/620
XXXX
TP
PKG底
0.015
TY P
100
(.115 M )
最大
0.035
8
250 M IN TY P.
.0.05 ± .001
010 TY P.
+002 (M * )
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