WTE
功率半导体
DD200 / S - DD206 / S
20A 8.4毫米/ 9.5毫米DISH二极管
特点
!
!
!
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!
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玻璃钝化片建设
低漏
低成本
高浪涌电流能力
低正向
C波段终端建设
C
D
机械数据
B
!
!
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案例：全铜外壳和组件
密封式
终端：联系地区容易焊
极性：阴极案例（反向单位
可应要求提供被指定
用“ R”后缀，即DD202R或DD204SR ）
极性：红颜色等于标准，
黑色等于反接
安装位置：任意
A
8.4毫米菜
9.5毫米菜
民
最大
民
最大
8.35
8.45
9.50
9.72
2.0
2.16
2.0
2.16
1.43
1.47
1.43
1.47
22.3
—
22.3
—
尺寸：mm
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!
暗淡
A
B
C
D
“S”后缀表示8.4毫米菜
没有后缀指定9.5毫米菜
最大额定值和电气特性
单相半波， 60赫兹，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流@T
A
= 150°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷（ JEDEC的方法）
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 20A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R（ RMS ）
I
O
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
DD200/ DD201/ DD202/ DD203/ DD204/ DD205/ DD206/
S
S
S
S
S
S
S
50
35
100
70
200
140
300
210
20
400
280
500
350
600
420
单位
V
V
A
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJC
T
J
, T
英镑
400
1.1
100
500
300
1.0
-65到+175
A
V
A
pF
K / W
°C
典型结电容（注1 ）
典型热阻结到外壳
（注2 ）
工作和存储温度范围
注：1，测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
2.热阻：结到管壳，单面冷却。
DD200 / S - DD206 / S
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2002韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
DD200
DD200S
DD201
DD201S
DD202
DD202S
DD203
DD203S
DD204
DD204S
DD205
DD205S
DD206
DD206S
套餐类型
压接
压接
压接
压接
压接
压接
压接
压接
压接
压接
压接
压接
压接
压接
送货数量
200单位/托盘
200单位/托盘
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