二极管模块
DD160KB
UL ; E76102 M）
（
功率二极管模块
DD160KB
系列设计用于各种整流电路。
DD160KB
具有串联连接的两个二极管芯片和所述安装基座被电
分离出简单的散热片结构元素。宽电压等级最高，
1600V可用于各种输入电压。
●
隔离安装基座
●
简单的（单相和三相）桥一包两个元素
连接
●
高度可靠的玻璃钝化芯片
●
高浪涌电流能力
（应用程序）
●
各种整流器，电池充电器，直流马达驱动器
93.5
最大
80
26
最大
3
2
1
2-
φ6.5
13
16.5
23
23
3-M5
30
最大
21
单位： ㎜
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
符号
I
F AV）
（
I
F RMS ）
（
I
FSM
I
2
t
Tj
TSTG
V
ISO
项
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
项
平均正向电流
均方根正向电流
正向电流浪涌
I
2
t
工作结温
储存温度
绝缘击穿电压（ R.M.S 。 ）
MOUNTING
力矩
块
MOUNTING
（M6）
Terminal（M5）
交流1分钟
推荐值2.5-3.9 （ 25-40 ）
推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
典型的价值
评级
DD160KB40
400
480
DD160KB80
800
960
条件
（Tj＝25℃
除非另有规定编）
DD160KB120
1200
1300
DD160KB160
1600
1700
评级
160
250
3200
42600
40
to
＋150
40
to
＋125
2500
4.7（48）
2.7（28）
170
单位
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
℃
℃
V
N½m
（㎏f½B）
g
单相半波， 180 ℃的传导， TC = 90 ℃
单相半波， 180 ℃的传导， TC = 90 ℃
1
周期，
／
2
60H
Z
，峰值，非重复性
用于浪涌电流的一个周期的值
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
RRM
V
FM
项
重复峰值反向电流，最大。
正向压降，最大。
条件
T
j
＝150℃，V
R
＝V
RRM
正向电流500A ，测量研究所
结到外壳
评级
30
1.35
0.30
单位
mA
V
℃/W
RTH J- C）热阻抗，最大。
（
三社电机
50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
DD160KB
１００
００
５０
００
最大正向特性
３０
５
平均正向电流与
功耗
特区
２０
００
５０
０
２０
０
１０
０
５
０
２
０
１
０
０６
．
０８
．
１０
．
１２
．
１４
．
１６
．
１８
．
２０
．
最大
Ｔ= ５
½２ ℃
每一个元素
１０
００
功耗帕乌W）
（
正向电流
（A）
３０
０
２０
５
２０
０
三相
单相
１０
５
每一个元素
１０
０
５
０
０
０
５
０
１０
０
１０
５
２０
０
２０
５
３０
０
正向电压降
（V）
平均正向电流
（A）
允许外壳温度Tc
（℃）
１０
５
平均正向电流与
允许外壳温度
３０
５０
周期正向电流浪涌额定值
（不重复）
１０
２
每一个元素
正向电流浪涌
（A）
３０
００
２０
５０
２０
００
6赫兹
０
每一个元素
Tj＝25℃start
９
０
１０
５０
１０
００
５０
０
０
１
２
５
１
０
２
０
５
０
１０
０
T = 5开始
½２ ℃
６
０
三相
单相
特区
３
０
０
５
０
１０
０
１０
５
２０
０
２０
５
３０
０
平均正向电流
（A）
瞬态热阻抗
θ
（℃/W）
J-
时间
（周期）
０４
．
瞬态热阻抗
结到外壳
每一个元素
０３
．
０２
．
０１
．
０
０ ０ ０ ０ ０ ０ ００ ００ ００ ０１ ０２
．１ ．２ ．５ ． ．
０
０
０
１ ２ ．
５ ． ．
２
５ １ ２
５
０
０ ０
０５
．
１
２
时间
t
秒）
（
三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
二极管模块
DD160KB
UL ; E76102 M）
（
功率二极管模块
DD160KB
系列设计用于各种整流电路。
DD160KB
具有串联连接的两个二极管芯片和所述安装基座被电
分离出简单的散热片结构元素。宽电压等级最高，
1600V可用于各种输入电压。
●
隔离安装基座
●
简单的（单相和三相）桥一包两个元素
连接
●
高度可靠的玻璃钝化芯片
●
高浪涌电流能力
（应用程序）
●
各种整流器，电池充电器，直流马达驱动器
93.5
最大
80
26
最大
3
2
1
2-
φ6.5
13
16.5
23
23
3-M5
30
最大
21
单位： ㎜
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
符号
I
F AV）
（
I
F RMS ）
（
I
FSM
I
2
t
Tj
TSTG
V
ISO
项
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
项
平均正向电流
均方根正向电流
正向电流浪涌
I
2
t
工作结温
储存温度
绝缘击穿电压（ R.M.S 。 ）
MOUNTING
力矩
块
MOUNTING
（M6）
Terminal（M5）
交流1分钟
推荐值2.5-3.9 （ 25-40 ）
推荐值1.5-2.5 （ 15-25 ）
典型的价值
评级
DD160KB40
400
480
DD160KB80
800
960
条件
（Tj＝25℃
除非另有规定编）
DD160KB120
1200
1300
DD160KB160
1600
1700
评级
160
250
3200
42600
40
to
＋150
40
to
＋125
2500
4.7（48）
2.7（28）
170
单位
V
V
单位
A
A
A
A
2
S
℃
℃
V
N½m
（㎏f½B）
g
单相半波， 180 ℃的传导， TC = 90 ℃
单相半波， 180 ℃的传导， TC = 90 ℃
1
周期，
／
2
60H
Z
，峰值，非重复性
用于浪涌电流的一个周期的值
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
RRM
V
FM
项
重复峰值反向电流，最大。
正向压降，最大。
条件
T
j
＝150℃，V
R
＝V
RRM
正向电流500A ，测量研究所
结到外壳
评级
30
1.35
0.30
单位
mA
V
℃/W
RTH J- C）热阻抗，最大。
（
三社电机
50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
DD160KB
１００
００
５０
００
最大正向特性
３０
５
平均正向电流与
功耗
特区
２０
００
５０
０
２０
０
１０
０
５
０
２
０
１
０
０６
．
０８
．
１０
．
１２
．
１４
．
１６
．
１８
．
２０
．
最大
Ｔ= ５
½２ ℃
每一个元素
１０
００
功耗帕乌W）
（
正向电流
（A）
３０
０
２０
５
２０
０
三相
单相
１０
５
每一个元素
１０
０
５
０
０
０
５
０
１０
０
１０
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２０
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３０
０
正向电压降
（V）
平均正向电流
（A）
允许外壳温度Tc
（℃）
１０
５
平均正向电流与
允许外壳温度
３０
５０
周期正向电流浪涌额定值
（不重复）
１０
２
每一个元素
正向电流浪涌
（A）
３０
００
２０
５０
２０
００
6赫兹
０
每一个元素
Tj＝25℃start
９
０
１０
５０
１０
００
５０
０
０
１
２
５
１
０
２
０
５
０
１０
０
T = 5开始
½２ ℃
６
０
三相
单相
特区
３
０
０
５
０
１０
０
１０
５
２０
０
２０
５
３０
０
平均正向电流
（A）
瞬态热阻抗
θ
（℃/W）
J-
时间
（周期）
０４
．
瞬态热阻抗
结到外壳
每一个元素
０３
．
０２
．
０１
．
０
０ ０ ０ ０ ０ ０ ００ ００ ００ ０１ ０２
．１ ．２ ．５ ． ．
０
０
０
１ ２ ．
５ ． ．
２
５ １ ２
５
０
０ ０
０５
．
１
２
时间
t
秒）
（
三社电机50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH （ 516 ） 625-1313传真（ 516 ） 625-8845电邮： semi@sanrex.com
QQ：2880707522 复制
