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二极管模块
DD160F
UL ; E76102 M)
功率二极管模块
DD160F
系列设计用于各种整流电路。
DD160F
具有串联连接在一包2二极管芯片和所述安装基座是elctrically
分离出简单的散热片结构元素。宽电压等级最高,
1,600V是缴费的各种输入电压。
隔离安装基座
简单的(单相和三相)桥一包两个元素
连接
高度可靠的玻璃钝化芯片
高浪涌电流能力
(应用程序)
各种整流器,电池充电器,直流马达驱动器
42max
34max
92±0.5
12
26
26
4- (M5)
φ6
60±0.5
48±0.3
24
18
2
M8×14
R8.0
DD
80±0.3
5 2
单位:A
=最大
评级
符号
V
RRM
V
RSM
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
评级
DD160F40
400
480
DD160F80
800
960
(Tj=25℃
除非另有规定编)
DD160F120
1200
1300
DD160F160
1600
1700
单位
V
V
符号
I
F AV)
I
F( RMS )
I
FSM
It
2
平均正向电流
均方根正向电流
正向电流浪涌
It
2
条件
单相半波, 180 °
传导,TC : 87 ℃
单相半波, 180 °
传导,TC : 87 ℃
1
周期,
2
评级
160
250
5000/5500
125000
2500
40
to
+125
40
to
+125
单位
A
A
A
A
2
S
V
50/60H
Z
,峰值,非重复性
用于浪涌电流的一个周期的值
V
ISO
Tj
TSTG
绝缘击穿电压
( R.M.S )
A.C.1minute
结温
储存温度
MOUNTING
力矩
MOUNTING
(M5)
终奌站
(M8)
推荐值1.5-2.5 ( 15-25 )
推荐值8.8-10
(90-105)
2.7(28)
510
N½m
11(115)
(㎏f½B)
g
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
RRM
V
FM
重复峰值反向电流,最大。
正向压降,最大。
条件
在V
DRM
单相半波。 TJ = 125 ℃
正向电流500A , TJ = 25 ℃ ,研究所。测量
结到外壳
评级
50
1.42
0.18
单位
mA
V
℃/W
RTH J- C)热阻抗,最大。
三社电机
50海景大道。纽约州华盛顿港11050-4618 PH ( 516 ) 625-1313传真( 516 ) 625-8845电邮: semi@sanrex.com
DD160F
最大正向特性
05
.
10
.
15
.
20
.
25
.
30
.
30
平均正向电流与
功耗
每一个元素
特区
功耗帕乌W)
30
20
单相
三相
正向电流
(A)
20
10
马克斯。
10
10
10
20
20
30
正向电压降
(V)
平均正向电流A)
允许外壳温度Tc
(℃)
10
10
10
10
平均正向电流与
允许外壳温度
正向电流浪涌
(A)
每一个元素
60
00
50
00
40
00
30
00
20
00
10
00
周期正向电流浪涌额定值
(不重复)
每一个元素
T = 5开始
½2 ℃
60Hz
50Hz
三相
10
单相
特区
10
20
20
30
平均正向电流A)
瞬态热阻抗
θ
(℃/W)
J-
时间
(周期)
02
.
瞬态热阻抗
每一个元素
结到外壳
01
.
ー3
ー2
时间
t
秒)
ー1
允许外壳温度
(℃)
总功耗
(W)
10
20
10
00
单相
ID AV)
总功耗
(W)
10
20
10
00
80
60
40
B6
单相
ID( AV )
B2
80
60
40
RTH : 0.5 ℃ / W
RTH : 0.4 ℃ / W
RTH : 0.3 ℃ / W
RTH : 0.1 ℃ / W
RTH : 0.1 ℃ / W
RTH : 0.05 ℃ / W
10
10
10
15
RTH : 0.5 ℃ / W
RTH : 0.4 ℃ / W
RTH : 0.3 ℃ / W
RTH : 0.2 ℃ / W
RTH : 0.1 ℃ / W
RTH : 0.05 ℃ / W
10
10
20
10 20 30 40
0 2 4 6 8 1 02
0 0 0 0 01 0
20
10 20 30 40
0 0 0 0 0 10
0 2 4 6 8 102
10
15
输出电流
(A)
环境温度
(℃)
输出电流
(A)
环境温度
(℃)
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允许外壳温度
(℃)
输出电流
B;
2两个时脉桥
连接
输出电流
B ,脉波桥
6六
连接
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    DD160F40
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    -
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