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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符D型号页 > 首字符D的型号第152页 > DCX122LH
SPICE模型: DCX122LH DCX142JH DCX122TH DCX142TH
Pb
LEAD -FREE
DCX ( LO - R1 )H
互补NPN / PNP预偏置小信号
SOT- 563双表面贴装晶体管
特点
新产品
·
·
·
外延平面片建设
内置偏置电阻
铅的设计免费/符合RoHS (注3 )
A
暗淡
A
SOT-563
0.15
1.10
1.55
0.90
1.50
0.56
0.15
0.10
最大
0.30
1.25
1.70
0.50
1.10
1.70
0.60
0.25
0.18
1.00
1.60
0.60
0.20
0.11
典型值
0.25
1.20
1.60
机械数据
·
·
·
·
·
·
案例: SOT- 563
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:完成 - 雾锡比退火合金42
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
终端连接:见图
重量:0.005克数(大约)
CXXYM
D
G
B C
B
C
D
G
H
K
L
M
K
H
M
L
尺寸:mm
P / N
DCX122LH
DCX142JH
DCX122TH
DCX142TH
R1 ( NOM ), R2 ( NOM )标记
0.22KW
0.47KW
0.22KW
0.47KW
10KW
10KW
开放
开放
C81
C82
C83
C84
R
1
R
2
R
2
R
1
R
1
R
1
R
1
, R
2
R
1
原理图,顶视图
最大额定值NPN节
特征
电源电压
输入电压
输入电压
输出电流
功率耗散(注1,2 )
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CC
价值
50
-5至+6
-5至+6
5
100
150
833
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
DCX122LH
DCX142JH
DCX122TH
DCX142TH
所有
V
IN
V
EBO (MAX)中
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
热阻,结到环境空气(注1 )
操作和储存和温度范围内
注意:
1.安装在FR4印刷电路板用在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf推荐的焊盘布局。
2. NPN科, PNP节或最大组合。
3.没有故意添加铅。
DS30429修订版2 - 2
1 4
www.diodes.com
DCX ( LO - R1 )H
Diodes公司
最大额定值PNP节
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CC
价值
-50
+5 -6
+5 -6
-5
-100
150
833
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
新产品
特征
电源电压
输入电压
输入电压
输出电流
功率耗散(注1,2 )
热阻,结到环境空气(注1 )
操作和储存和温度范围内
注意:
DCX122LH
DCX142JH
DCX122TH
DCX142TH
所有
V
IN
V
EBO (MAX)中
I
C
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
1.安装在FR4印刷电路板用在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf推荐的焊盘布局。
2. NPN科, PNP节或最大组合。
电气特性NPN节
特征
输入电压
DCX122LH
DCX142JH
DCX122LH
DCX142JH
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
DDCX122LH
DDCX142JH
DCX122LH
DCX142JH
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
0.3
0.3
56
56
典型值
200
最大
2.0
2.0
0.3V
28
13
0.5
单位
V
V
V
mA
mA
兆赫
器R1,R2的类型
测试条件
符号
V
L(关闭)
V
L(上)
V
O(上)
I
l
I
O(关)
G
l
f
T
V
CC
= 5V ,我
O
= 100毫安
V
O
= 0.3V时,我
O
= 20mA下
V
O
= 0.3V时,我
O
= 20mA下
I
O
/I
l
= 5毫安/ 0.25毫安
V
I
= 5V
V
CC
= 50V, V
I
= 0V
V
O
= 5V ,我
O
= 10毫安
V
CE
= 10V ,我
E
= 5毫安,
F = 100MHz的
电气特性NPN节
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
DCX122TH
DCX142TH
DCX122TH
DCX142TH
DCX122TH
DCX142TH
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
50
40
5
100
100
典型值
250
250
200
最大
0.5
0.5
0.5
0.3
600
600
单位
V
V
V
mA
mA
V
兆赫
R1-Only
测试条件
I
C
= 50毫安
I
C
= 1毫安
I
E
= 50毫安
I
E
= 50毫安
V
CB
= 50V
V
EB
= 4V
I
C
= 5毫安,我
B
= 0.25毫安
I
C
= 1mA时, V
CE
= 5V
V
CE
= 10V ,我
E
= -5mA ,
F = 100MHz的
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
DS30429修订版2 - 2
2 4
www.diodes.com
DCX ( LO - R1 )H
电气特性PNP节
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
器R1,R2的类型
测试条件
V
CC
= -5V ,我
O
= -100mA
V
O
= -0.3V ,我
O
= -20mA
V
O
= -0.3V ,我
O
= -20mA
I
O
/I
l
= -5mA / -0.25mA
V
I
= -5V
V
CC
= -50V, V
I
= 0V
V
O
= -5V ,我
O
= -10mA
V
CE
= -10V ,我
E
= -5mA ,
F = 100MHz的
新产品
特征
输入电压
DCX122LH
DCX142JH
DCX122LH
DCX142JH
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
DCX122LH
DCX142JH
DCX122LH
DCX142JH
符号
V
L(关闭)
V
L(上)
V
O(上)
I
l
I
O(关)
G
l
f
T
-0.3
-0.3
56
56
典型值
200
最大
-2.0
-2.0
-0.3V
-28
-13
-0.5
单位
V
V
V
mA
mA
兆赫
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
-50
-40
-5
100
100
典型值
250
250
200
最大
-0.5
-0.5
-0.5
-0.3
600
600
R1-只有类型
单位
V
V
V
mA
mA
V
兆赫
I
C
= -1mA
I
E
= -50mA
I
E
= -50mA
V
CB
= -50V
V
EB
= -4V
I
C
= -5mA ,我
B
= -0.25mA
I
C
= -1mA ,V
CE
= -5V
V
CE
= -10V ,我
E
= 5毫安,
F = 100MHz的
测试条件
I
C
= -50mA
DCX122TH
DCX142TH
DCX122TH
DCX142TH
DCX122TH
DCX142TH
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
订购信息
设备
DCX122LH-7
DCX142JH-7
DCX122TH-7
DCX142TH-7
(注4 )
包装
SOT-563
SOT-563
SOT-563
SOT-563
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
注: 4.包装细节,请访问我们的网站: http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
CXXYM
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
JAN
1
2002
N
FEB
2
CXX =产品型号标识代码(见第1页)
YM =日期代码标
Y =年份例如: P = 2003
M =月前: 9 =九月
2003
P
三月
3
2004
R
APR
4
五月
5
2005
S
JUN
6
2006
T
JUL
7
八月
8
2007
U
SEP
9
2008
V
十月
O
NOV
N
2009
W
DEC
D
DS30429修订版2 - 2
3 4
www.diodes.com
DCX ( LO - R1 )H
250
新产品
P
d
,功耗(毫瓦)
200
150
100
50
0
-50
0
50
100
150
T
A
,环境温度( ° C)
图。 1降额曲线 - 总
DS30429修订版2 - 2
4 4
www.diodes.com
DCX ( LO - R1 )H
DCX ( LO - R1 )H
互补NPN / PNP预偏置小信号双表面贴装晶体管
特点
外延平面片建设
内置偏置电阻
铅的设计免费/符合RoHS (注3 )
"Green"设备(注4和5)
A
暗淡
A
SOT-563
0.15
1.10
1.55
最大
0.30
1.25
1.70
0.50
0.90
1.50
0.56
0.15
0.10
1.10
1.70
0.60
0.25
0.18
1.00
1.60
0.60
0.20
0.11
典型值
0.25
1.20
1.60
NE W P RO DUC牛逼
CXXYM
D
G
B C
B
C
D
G
H
机械数据
案例: SOT- 563
外壳材料:模压塑料。防火
分类额定值94V- 0
湿度敏感性:每J- STD- 020C 1级
码头:完成 - 雾锡比退火合金42
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
终端连接:见图
重量:0.005克数(近似值)
K
H
M
K
L
M
L
尺寸:mm
P / N
DCX122LH
DCX142JH
DCX122TH
DCX142TH
R1 ( NOM )
0.22KΩ
0.47KΩ
0.22KΩ
0.47KΩ
R2 ( NOM )
10KΩ
10KΩ
开放
开放
记号
C81
C82
C83
C84
R
1
R
2
R
2
R
1
R
1
R
1
R
1
, R
2
R
1
原理图,顶视图
最大额定值NPN节
特征
电源电压
输入电压
输入电压
输出电流
功耗
热阻,结到环境空气
工作和存储温度范围
注意事项:
1.
2.
3.
4.
5.
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CC
DCX122LH
DCX142JH
DCX122TH
DCX142TH
所有
(注1,2)
(注1 )
V
IN
V
EBO (MAX)中
I
C
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
50
-5至+6
-5至+6
5
100
150
833
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
安装在FR4印刷电路板用在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf推荐的焊盘布局。
NPN科, PNP节或最大组合。
没有故意添加铅。
二极管公司的"Green"政策可以在我们的网站http://www.diodes.com/products/lead_free/index.php找到。
产品与日期代码UO制造( 40周, 2007年)和较新的构建与绿色塑封料。前日期产品制造
代码UO都建有非绿色塑封料,可能含有卤素或三氧化二锑阻燃剂。
DS30429修订版3 - 2
1 4
www.diodes.com
DCX ( LO - R1 )H
Diodes公司
最大额定值PNP节
特征
电源电压
输入电压
输入电压
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CC
DCX122LH
DCX142JH
DCX122TH
DCX142TH
所有
(注1,2)
(注1 )
V
IN
V
EBO (MAX)中
I
C
P
d
R
θ
JA
T
j
, T
英镑
价值
-50
+5 -6
+5 -6
-5
-100
150
833
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
° C / W
°C
新产品
输出电流
功耗
热阻,结到环境空气
工作和存储温度范围
电气特性NPN节
特征
输入电压
DCX122LH
DCX142JH
DCX122LH
DCX142JH
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
0.3
0.3
56
56
典型值
200
最大
2.0
2.0
0.3V
28
13
0.5
单位
V
V
V
mA
μA
器R1,R2的类型
测试条件
V
CC
= 5V ,我
O
= 100μA
V
O
= 0.3V时,我
O
= 20mA下
V
O
= 0.3V时,我
O
= 20mA下
I
O
/I
l
= 5毫安/ 0.25毫安
V
I
= 5V
V
CC
= 50V, V
I
= 0V
V
O
= 5V ,我
O
= 10毫安
符号
V
L(关闭)
V
L(上)
V
O(上)
DCX122LH
DCX142JH
I
l
I
O(关)
DDCX122LH
DDCX142JH
G
l
f
T
兆赫V
CE
= 10V ,我
E
= 5毫安中,f = 100MHz的
电气特性NPN节
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
50
40
5
100
100
典型值
250
250
200
最大
0.5
0.5
0.5
0.3
600
600
单位
V
V
V
μA
μA
V
R1-Only
测试条件
I
C
= 50μA
I
C
= 1毫安
I
E
= 50μA
I
E
= 50μA
V
CB
= 50V
V
EB
= 4V
I
C
= 5毫安,我
B
= 0.25毫安
I
C
= 1mA时, V
CE
= 5V
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
DCX122TH
DCX142TH
BV
EBO
I
CBO
DCX122TH
DCX142TH
I
EBO
V
CE ( SAT )
DCX122TH
DCX142TH
h
FE
f
T
兆赫V
CE
= 10V ,我
E
= -5mA中,f = 100MHz的
DS30429修订版3 - 2
2 4
www.diodes.com
DCX ( LO - R1 )H
Diodes公司
电气特性PNP节
特征
输入电压
DCX122LH
DCX142JH
DCX122LH
DCX142JH
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
-0.3
-0.3
56
56
典型值
200
最大
-2.0
-2.0
-0.3V
-28
-13
-0.5
单位
V
V
V
mA
μA
器R1,R2的类型
测试条件
V
CC
= -5V ,我
O
= -100μA
V
O
= -0.3V ,我
O
= -20mA
V
O
= -0.3V ,我
O
= -20mA
I
O
/I
l
= -5mA / -0.25mA
V
I
= -5V
V
CC
= -50V, V
I
= 0V
V
O
= -5V ,我
O
= -10mA
符号
V
L(关闭)
V
L(上)
V
O(上)
DCX122LH
DCX142JH
I
l
I
O(关)
DCX122LH
DCX142JH
G
l
f
T
新产品
输出电压
输入电流
输出电流
直流电流增益
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
兆赫V
CE
= -10V ,我
E
= -5mA中,f = 100MHz的
电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
增益带宽积*
*晶体管 - 仅供参考
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
DCX122TH
DCX142TH
BV
EBO
I
CBO
DCX122TH
DCX142TH
I
EBO
V
CE ( SAT )
DCX122TH
DCX142TH
h
FE
f
T
-50
-40
-5
100
100
典型值
250
250
200
R1-只有类型
最大
-0.5
-0.5
-0.5
-0.3
600
600
单位
V
V
V
μA
μA
V
I
C
= -50μA
I
C
= -1mA
I
E
= -50μA
I
E
= -50μA
V
CB
= -50V
V
EB
= -4V
I
C
= -5mA ,我
B
= -0.25mA
I
C
= -1mA ,V
CE
= -5V
测试条件
兆赫V
CE
= -10V ,我
E
= 5毫安中,f = 100MHz的
250
P
d
,功耗(毫瓦)
200
150
100
50
0
-50
0
50
100
150
T
A
,环境温度(
°
C)
图。 1降额曲线 - 总
DS30429修订版3 - 2
3 4
www.diodes.com
DCX ( LO - R1 )H
Diodes公司
订购信息
(注6 )
设备
DCX122LH-7
DCX142JH-7
包装
SOT-563
SOT-563
SOT-563
SOT-563
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
新产品
DCX122TH-7
DCX142TH-7
注意事项:
6.包装详细信息,请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。
标识信息
CXXYM
CXX =产品型号标识代码(见第1页)
YM =日期代码标
Y =年份例如: T = 2006年
M =月前: 9 =九月
日期代码的关键
YEAR
CODE
MONTH
CODE
2002
N
JAN
1
2003
P
FEB
2
2004
R
MAR
3
APR
4
2005
S
五月
5
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