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DCR820SG
DCR820SG
相位控制晶闸管
取代2000年10月版, DS4214-5.1
2001年DS4214-6.0月
特点
s
s
主要参数
V
DRM
I
T( AV )
I
TSM
DVDT *
的di / dt
6500V
387A
6000A
1000V/
s
100A/
s
双面冷却
高浪涌能力
应用
s
s
s
s
s
高功率驱动器
高压电源
直流电机控制
焊接
电池充电器
*更高的dV / dt可用的选项
电压额定值
类型编号
重复峰值
电压
V
DRM
V
RRM
V
6500
6400
6300
6200
6100
6000
条件
DCR820SG65
DCR820SG64
DCR820SG63
DCR820SG62
DCR820SG61
DCR820SG60
T
vj
= 0至125℃ ,
I
DRM
= I
RRM
= 50mA时
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时,
V
帝斯曼
&放大器; V
RSM
=
V
DRM
&放大器; V
RRM
+ 100V
分别
外形类型代码: G.
见包详细信息以获取更多信息。
图。 1封装外形
较低的电压等级。
订购信息
订购时,选择显示所需的部件号
额定电压选择表。
例如:
DCR820SG62
注:请使用完整的部件号订购时
而报价在今后的任何对应关系这个数字与
您的订单。
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DCR820SG
电流额定值
T
= 60℃ ,除非另有说明
符号
双侧冷却
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
387
608
567
A
A
A
参数
条件
马克斯。
单位
单面冷却(阳极侧)
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
260
408
357
A
A
A
电流额定值
T
= 80°C ,除非另有说明
符号
双侧冷却
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
310
485
447
A
A
A
参数
条件
马克斯。
单位
单面冷却(阳极侧)
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
204
321
279
A
A
A
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DCR820SG
浪涌额定值
符号
I
TSM
I
2
t
I
TSM
I
2
t
参数
浪涌(非重复)通态电流
I
2
吨融合
浪涌(非重复)通态电流
I
2
吨融合
条件
10ms的半正弦;牛逼
= 125
o
C
V
R
= 50% V
RRM
- 1/4正弦
10ms的半正弦;牛逼
= 125
o
C
V
R
= 0
马克斯。
4.8
115 x 10
3
6.0
180 x 10
3
单位
kA
A
2
s
kA
A
2
s
热学和机械数据
符号
参数
条件
双侧冷却
R
日(J -C )
热阻 - 结到管壳
单面冷却
阴极DC
锁模力12.0kN
与安装复合
导通状态(导通)
T
vj
虚拟结温
反向(阻塞)
T
英镑
-
存储温度范围
锁模力
-
–55
10.8
125
150
13.2
o
分钟。
dc
阳极DC
-
-
-
-
-
-
马克斯。
0.032
0.064
0.064
0.008
0.016
135
单位
o
C / W
o
C / W
C / W
C / W
C / W
o
o
双面
单面
o
R
个( C-H)
热电阻 - 案件散热器
o
C
C
C
o
kN
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DCR820SG
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
参数
反向峰值和关态电流
断态电压上升的最大线性速度
条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
= 125
o
C
到67 %的V
DRM
T
j
= 125
o
C.
从67 %V
DRM
至1000A ,
门源10V , 5Ω
t
r
0.5μs的。牛逼
j
= 125
o
C.
在T
vj
= 125
o
C
在T
vj
= 125
o
C
V
D
= 67% V
DRM
,门源20V , 10Ω
上升时间0.5μs的,T
j
= 25
o
C
T
j
= 25
o
C,V
D
= 20V.
T
j
= 25
o
C,V
D
= 5V ,我
T
= 5A ,我
TM
= 500A
I
T
= 500A ,T
p
为1ms ,T
j
= 125C,
V
RM
= 100V ,二
RR
/ DT = 10A / μs的,
dV
DR
/ DT = 25V / μs至3000V
I
T
= 320A , -dI
T
/ DT = 6A /微秒
50Hz的重复
不重复
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
30
马克斯。
50
1000
50
100
1.6
3.5
3.3
1
120
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
m
s
A
mA
s
的di / dt
率通态电流上升
V
T( TO )
r
T
t
gd
I
L
I
H
t
q
阈值电压
通态斜率电阻
延迟时间
闭锁电流
保持电流
打开-O FF时间
500
1200
Q
S
存储电荷 - 三角逼近
通过I
RR
和25%的余
RR
600
1500
C
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
参数
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
峰值正向栅极电压
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值功率门
平均功耗门
阳极相对于阴极为正的
参见图8 / 9门特性曲线和表格
条件
V
DRM
= 5V ,T
= 25
o
C
V
DRM
= 5V ,T
= 25
o
C
在V
DRM
T
= 125
o
C
阳极相对于阴极为正的
阳极负相对于阴极
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
3.0
300
0.25
30
0.25
5
10
100
5
单位
V
mA
V
V
V
V
A
W
W
I
GT
V
GD
V
FGM
V
FGN
V
RGM
I
FGM
P
GM
P
G( AV )
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曲线
1500
T
j
= 125C
600
T
j
= 125C
1250
500
瞬时通态电流I
T
- (A)
瞬时通态电流I
T
- (A)
1000
400
750
300
500
200
250
100
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
瞬时通态电压,V
T
- (V)
7.0
0
1
1.5
2.5
3
3.5
2.0
瞬时通态电压,V
T
- (V)
4
图2最大(极限)的通态特性
图3最大(极限)的通态特性
V
TM
公式: -
V
TM
= A + BLN (我
T
) + C.I
T
+ D.√I
T
A = -0.759775
B = 0.639225
C = 0.004376
D = -0.092153
这些值是有效的对于T
j
= 125℃下我
T
100A到1500A
哪里
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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