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DCR820N65
相位控制晶闸管
初步信息
2008年DS5923-1.3月（ 26210号法律公告）
特点
双面冷却
高浪涌能力
主要参数
V
DRM
I
T（ AV ）
I
TSM
的dV / dt *
的di / dt
6500V
820A
12000A
1500V/s
200A/s
应用
中压软启动
高压电源
静态开关
电压额定值
第一部分和
订购
数
重复峰值
电压
V
DRM
和V
RRM
V
6500
6000
5500
5000
条件
*
较高的dV / dt可用的选项
DCR820N65*
DCR820N60
DCR820N55
DCR820N50
T
vj
= -40°至125°
C
C,
I
DRM
= I
RRM
=的200mA，
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时，
V
帝斯曼
＆放大器; V
RSM
=
V
DRM
＆放大器; V
RRM
+ 100V
分别
外形类型代码：N
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 1封装外形
较低的电压等级。
0
0
6200V @ -40℃ ， 6500V @ 0℃
订购信息
订购时，选择所需的部件号
在电压等级选择表所示。
例如：
DCR820N65
注：请使用完整的部件号订购时
并引述任何今后的对应这个号码
关于您的订单。
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DCR820N65
半导体
电流额定值
T
例
= 60° ，除非另有说明
C
符号
双侧冷却
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
T
参数
测试条件
马克斯。
单位
意思是通态电流
有效值
连续的（直接）通态电流
半波阻性负载
-
-
820
1288
1090
A
A
A
浪涌额定值
符号
I
TSM
It
2
参数
浪涌（非重复）通态电流
我吨融合
2
测试条件
10ms的半正弦波，T
例
= 125°
C
V
R
= 0
马克斯。
12.0
0.72
单位
kA
MA s
2
热学和力学额定值
符号
R
日（J -C ）
参数
热阻 - 结到管壳
测试条件
双侧冷却
单面冷却
DC
阳极DC
阴极DC
R
个（ C-H）
热电阻 - 案件散热器
锁模力23千牛
（带安装化合物）
T
vj
虚拟结温
导通状态（导通）
反向（阻塞）
T
英镑
F
m
存储温度范围
锁模力
双面
单面
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-55
20.0
马克斯。
0.0221
0.041
0.0516
0.004
0.008
135
125
125
25.0
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C / W
°
C
°
C
°
C
kN
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DCR820N65
半导体
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
马克斯。断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
例
= 125°
C
到67 ％的V
DRM
, T
j
= 125 °门打开
C,
从67 ％V
DRM
2倍我
T（ AV ）
门源30V ， 10 ，
t
r
< 0.5μs的，T
j
= 125°
C
50Hz的重复
不重复
分钟。
-
-
-
-
马克斯。
200
1500
100
200
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
T（ TO ）
阈值电压 - 低等级
阈值电压 - 高层
100A至870A在T
例
= 125°
C
870A至3000A在T
例
= 125°
C
100A至870A在T
例
= 125°
C
870A至3000A在T
例
= 125°
C
V
D
= 67% V
DRM
，门源30V ， 10
t
r
= 0.5μs的，T
j
= 25°
C
-
-
-
-
-
1.0
1.1847
1.1429
0.9472
3
V
V
m
m
s
r
T
通态斜率电阻 - 低级别
通态斜率电阻 - 高层
t
gd
延迟时间
t
q
打开-O FF时间
T
j
= 125°
PEAK
= 1000A ，T
p
= 1000US ，
C，我
V
RM
= 100V ，的di / dt = -5A / μs的，
dV
DR
/ DT = 20V /μs的线性关系2500V
600
1000
s
I
RR
Q
S
I
L
I
H
反向恢复电流
存储电荷
闭锁电流
保持电流
I
T
= 1000A ，T
p
= 1000US ，T
j
= 125°
C,
的di / dt = - 5A / μs的，V
R
= 100V
T
j
= 25° V
D
= 5V
C,
T
j
= 25° R
克-K
= , I
TM
= 500A ，我
T
= 5A
C,
90
2500
-
-
120
4000
3
300
A
C
A
mA
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DCR820N65
半导体
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
V
GD
I
GT
I
GD
参数
门极触发电压
门非触发电压
门极触发电流
门非触发电流
测试条件
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25°
C
在50 ％的V
DRM ，
T
例
= 125°
C
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25°
C
在50 ％的V
DRM ，
T
例
= 125°
C
马克斯。
1.5
0.4
250
15
单位
V
V
mA
mA
曲线
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
1.0
2.0
3.0
4.0
瞬时通态电压，V
T
- (V)
5.0
最小25°
C
25 °最大
C
125 °分
C
125 °最大
C
瞬时通态电流I
T
- (A)
图2最大&最低的通态特性
V
TM
方程
V
TM
= A + BLN （我
T
） + C.I
T
+ D 。我
T
哪里
A = 0.739446
B = 0.018199
C = 0.000769
D = 0.017564
这些值是有效的对于T
j
= 125 ° ，因为我
T
300A到3000A
C
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DCR820N65
半导体
16
14
125
最大外壳温度，T
例
( C )
意味着功耗 - （千瓦）
100
12
10
8
6
4
2
0
0
500
1000
1500
2000
2500
180
120
90
60
30
180
120
90
60
30
o
75
50
25
0
0
500
1000
1500
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
图3通态功耗 - 正弦波
图4最大允许情况下，
双面冷却 - 正弦波
最大的散热片温度，T
散热器
- ( ° C)
125
180
120
90
60
30
16
14
意味着功耗 - （千瓦）
100
12
10
8
6
4
2
75
50
25
特区
180
120
90
60
30
0
0
500
1000
1500
0
0
1000
2000
3000
4000
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
图5.最大允许的散热器温度，
双面冷却 - 正弦波
图6通态功耗 - 矩形波
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