DCR650G34
相位控制晶闸管
2011 DS6053-1四月（ LN28264 ）
特点
双面冷却
高浪涌能力
主要参数
V
DRM
I
T（ AV ）
I
TSM
的dV / dt *
的di / dt
3400 V
650 A
8400 A
1000 V / μs的
150 A / μs的
应用
高功率驱动器
高压电源
静态开关
*
较高的dV / dt可用的选项
电压额定值
第一部分和
订购
数
重复峰值
电压
V
DRM
和V
RRM
V
3400
3200
3000
2800
条件
DCR650G34
DCR650G32
DCR650G30
DCR650G28
T
vj
= -40 ° C至125°C ，
I
DRM
= I
RRM
= 60毫安，
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时，
V
帝斯曼
＆放大器; V
RSM
=
V
DRM
＆放大器; V
RRM
+100V
分别
大纲类型编号：G
（见包的详细信息以获取更多信息）
较低的电压等级。
订购信息
订购时，选择所需的部件号
在电压等级选择表所示。
例如：
DCR650G34
注：请使用完整的部件号订购时
并引述任何今后的对应这个号码
关于您的订单。
图。 1封装外形
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DCR650G34
半导体
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
马克斯。断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
例
= 125°C
到67 ％的V
DRM
, T
j
= 125°C ，门打开
从67 ％V
DRM
以1000A
门源30V ， 10 ，
t
r
< 0.5μs的，T
j
= 125°C
50Hz的重复
不重复
分钟。
-
1000
-
-
马克斯。
60
-
150
1000
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
T
V
T（ TO ）
r
T
t
gd
通态电压
阈值电压
通态斜率电阻
延迟时间
I
T
= 1500A ，T
例
= 125°C
T
例
= 125°C
T
例
= 125°C
V
D
= 67% V
DRM
，门源30V ， 10
t
r
= 0.5μs的，T
j
= 25°C
-
-
-
2.49
1.03
0.97
3.0
V
V
m
s
t
q
打开-O FF时间
T
j
= 125°C ，V
R
= 100V ，的di / dt = 10A / μs的，
-
dV
DR
/ DT = 20V /μs的线形到67 ％V
DRM
600
s
Q
S
I
RR
I
L
I
H
存储电荷
反向恢复电流
闭锁电流
保持电流
I
T
= 1000A ， TP = 1000US ，T
j
= 125°C,
的di / dt = 10A / μs的，
T
j
= 25°C,
T
j
= 25°C,
-
-
-
-
2700
130
1
200
C
A
A
mA
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
V
GD
I
GT
I
GD
参数
门极触发电压
门非触发电压
门极触发电流
门非触发电流
测试条件
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25°C
在40 ％的V
DRM ，
T
例
= 125°C
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25°C
在40 ％的V
DRM ，
T
例
= 125°C
马克斯。
3
待定
300
待定
单位
V
V
mA
mA
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DCR650G34
半导体
曲线
10000
9000
瞬时通态电流I
T
- (A)
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
Tj=25°C
Tj=125°C
2
4
6
8
瞬时通态电压，V
T
- (V)
10
V
TM
方程
V
TM
= A + BLN （我
T
） + C.I
T
+ D.√I
T
其中A = -0.0428549
B = 0.247397
C = 0.00121884
D = -0.0282878
这些值是有效的对于T
j
= 125°C
图2最大&minimum通态特性
0.04
双侧冷却
t
R
thJC
t
½
R
THI
1
e
i
i
½
1
n
热阻抗第Z （J -C ） （ ° C / W）
0.03
0.02
i
1
2
τ
i
(s)
0.7085781
0.1435833
0.0361520
0.0021308
R
THI
（ C / KW ）
19.71901
4.240625
7.963806
3.043661
0.01
3
4
0
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
100
图3最大（极限）瞬态热阻抗 - 结到外壳（ ° C / W）
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