DCR490J65
相位控制晶闸管
DS5830-2 2012年4月（ LN29418 ）
特点
双面冷却
高浪涌能力
主要参数
V
DRM
I
T（ AV ）
I
TSM
的dV / dt *
的di / dt
6500V
490A
6600A
1500V/s
200A/us
应用
高功率驱动器
高压电源
静态开关
*
较高的dV / dt可用的选项
电压额定值
第一部分和
订购
数
重复峰值
电压
V
DRM
和V
RRM
V
6500
6000
5500
条件
DCR490J65*
DCR490J60
DCR490J55
T
vj
= -40 ° C至125°C ，
I
DRM
= I
RRM
= 100mA时
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时，
V
帝斯曼
＆放大器; V
RSM
=
V
DRM
＆放大器; V
RRM
+ 100V
分别
外形类型代码：J-
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 1封装外形
较低的电压等级。
0
0
* 6200V @ -40℃ ， 6500V @ 0℃
订购信息
订购时，选择所需的部件号
在电压等级选择表所示。
例如：
DCR490J65
注：请使用完整的部件号订购时
并引述任何今后的对应这个号码
关于您的订单。
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DCR490J65
半导体
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
马克斯。断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
例
= 125°C
到67 ％的V
DRM
, T
j
= 125°C ，门打开
从67 ％V
DRM
2倍我
T（ AV ）
门源30V ， 10 ，
t
r
< 0.5μs的，T
j
= 125°C
50Hz的重复
不重复
分钟。
-
-
-
-
马克斯。
100
1500
100
200
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
T（ TO ）
阈值电压 - 低等级
阈值电压 - 高层
50A至400A在T
例
= 125°C
400A至1600A在T
例
= 125°C
50A至400A在T
例
= 125°C
400A至1600A在T
例
= 125°C
V
D
= 67% V
DRM
，门源30V ， 10
t
r
= 0.5μs的，T
j
= 25°C
-
-
-
-
-
0.912
1.108
2.157
1.647
3
V
V
m
m
s
r
T
通态斜率电阻 - 低级别
通态斜率电阻 - 高层
t
gd
延迟时间
t
q
打开-O FF时间
IT = 500A ，T
j
= 125°C ，V
R
= 100V,
的di / dt = 5A / μs的，
dV
DR
/ DT = 20V / μs的线性
550
1100
s
Q
S
I
RR
I
L
I
H
存储电荷
反向恢复电流
闭锁电流
保持电流
I
T
= 500A ，T
j
= 125°C ，的di / dt = 5A / μs的，
I
T
= 500A ，T
j
= 125°C ，的di / dt = 5A / μs的，
T
j
= 25 ° C，V
D
= 5V
T
j
= 25 ° C，R
克-K
=
,
I
TM
= 500A ，我
T
= 5A
1800
77
-
-
2600
90
3
300
C
A
A
mA
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半导体
16
15
14
130
(
o
C )
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
意味着功耗 - （千瓦）
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
500
1000
1500
2000
180
120
90
60
30
最大外壳温度，T
例
13
180
120
90
60
30
0
100 200 300 400 500 600 700 800
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
图3通态功耗 - 正弦波
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
图4最大允许情况下，
双面冷却 - 正弦波
最大的散热片温度，T
散热器
- (
o
C )
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
100
200
300
400
500
600
700
180
120
90
60
30
12
11
意味着功耗 - （千瓦）
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
500
1000
1500
2000
2500
特区
180
120
90
60
30
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
图6通态功耗 - 矩形波
图5.最大允许的散热器温度，
双面冷却 - 正弦波
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