DCR470E34
相位控制晶闸管
2011 DS6047-1四月（ LN28258 ）
特点
双面冷却
高浪涌能力
主要参数
V
DRM
I
T（ AV ）
I
TSM
的dV / dt *
的di / dt
3400 V
470 A
6300 A
1000 V / μs的
150 A / μs的
应用
高功率驱动器
高压电源
静态开关
*
较高的dV / dt可用的选项
电压额定值
第一部分和
订购
数
重复峰值
电压
V
DRM
和V
RRM
V
3400
3200
3000
2800
2600
2400
条件
DCR470E34
DCR470E32
DCR470E30
DCR470E28
DCR470E26
DCR470E24
T
vj
= -40 ° C至125°C ，
I
DRM
= I
RRM
= 30mA时
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时，
V
帝斯曼
＆放大器; V
RSM
=
V
DRM
＆放大器; V
RRM
+100V
分别
（见包的详细信息以获取更多信息）
较低的电压等级。
订购信息
订购时，选择所需的部件号
在电压等级选择表所示。
例如：
DCR470E34
注：请使用完整的部件号订购时
并引述任何今后的对应这个号码
关于您的订单。
图。 1封装外形
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DCR470E34
半导体
10000
9000
瞬时通态电流I
T
- (A)
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
3
6
9
12
15
瞬时通态电压，V
T
- (V)
18
V
TM
方程
V
TM
= A + BLN （我
T
） + C.I
T
+ D.√I
T
Tj=125°C
其中a = 1.15175
B =-0.0280537
C = 0.00170328
D =0.00327561
这些值是有效的对于T
j
= 125°C
图2最大&minimum通态特性
0.05
双侧冷却
t
R
thJC
t
½
R
THI
1
e
i
i
½
1
n
热阻抗第Z （J -C ） （ ° C / W）
0.04
0.03
i
τ
i
(s)
0.5391689
0.1940576
0.0219527
0.0021962
R
THI
（ C / KW ）
16.5
14.19235
7.412673
2.759765
1
2
0.01
3
4
0
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
100
0.02
图3最大（极限）瞬态热阻抗 - 结到外壳（ ° C / W）
4/9
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