DCR1840Y85
相位控制晶闸管
初步信息
DS5767-1.2 2005年5月（ LN23936 ）
特点
双面冷却
高浪涌能力
主要参数
V
DRM
I
T（ AV ）
I
TSM
的dV / dt *
的di / dt
8500V
1840A
25000A
1500V/s
300A/s
应用
高功率驱动器
高压电源
静态开关
*
较高的dV / dt可用的选项
电压额定值
第一部分和
订购
数
重复峰值
电压
V
DRM
和V
RRM
V
8500
8000
7500
7000
条件
DCR1840Y85
DCR1840Y80
DCR1840Y75
DCR2220Y70
T
vj
= -40 ° C至125°C ，
I
DRM
= I
RRM
= 300毫安，
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时，
V
帝斯曼
＆放大器; V
RSM
=
V
DRM
＆放大器; V
RRM
+ 100V
分别
较低的电压等级。
订购信息
订购时，选择所需的部件号
在电压等级选择表所示。
例如：
外形类型代码：Y
DCR1840Y85
（见包的详细信息以获取更多信息）
注：请使用完整的部件号订购时
并引述任何今后的对应这个号码
关于您的订单。
图。 1封装外形
1/9
www.dynexsemi.com
DCR1840Y85
半导体
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
马克斯。断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
例
= 125° C
到67 ％的V
DRM
, T
j
= 125°C ，门打开
从67 ％V
DRM
2倍我
T（ AV ）
门源30V ， 10 ，
t
r
< 0.5μs的，T
j
= 125° C
50Hz的重复
不重复
分钟。
-
-
-
-
马克斯。
300
1500
150
300
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
T（ TO ）
阈值电压 - 低等级
阈值电压 - 高层
100A to1000A在T
例
= 125° C
1000A到7200A在T
例
= 125° C
100A至1000A在T
例
= 125° C
1000A到7200A在T
例
= 125° C
V
D
= 67% V
DRM
，门源30V ， 10
t
r
= 0.5μs的，T
j
= 25° C
-
-
-
-
待定
0.9
1.3
0.888
0.55
待定
V
V
m
m
s
r
T
通态斜率电阻 - 低级别
通态斜率电阻 - 高层
t
gd
延迟时间
t
q
打开-O FF时间
T
j
= 125°C ，V = 200V ，的di / dt = 1A / μs的，
R
dV
DR
/ DT = 20V / μs的线性
-
1200
s
Q
S
I
L
I
H
存储电荷
闭锁电流
保持电流
I
T
= 2000A ，T
j
= 125°C ， di / dt的 - 1A / μs的，
T
j
= 25 ° C，V = 5V
D
T
j
= 25℃ ，R =
∞,
I
TM
= 500A ，我
T
= 5A
克-K
4800
待定
待定
8000
待定
待定
C
mA
mA
3/9
www.dynexsemi.com
DCR1840Y85
半导体
10
9
130
120
180
120
90
60
30
最大外壳温度，T
例
(
o
C )
2500
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
意味着功耗 - （千瓦）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
500
1000
1500
2000
180
120
90
60
30
0
500
1000
1500
2000
2500
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
图3通态功耗 - 正弦波
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
图4最大允许情况下，
双面冷却 - 正弦波
130
最大的散热片温度，T
散热器
- ( C )
12
180
120
90
60
30
o
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
500
1000
1500
11
10
意味着功耗 - （千瓦）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
特区
180
120
90
60
30
2000
2500
0
0
500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
图5.最大允许的散热器温度，
双面冷却 - 正弦波
图6通态功耗 - 矩形波
5/9
www.dynexsemi.com
QQ：2880707522 复制
