【DCR2950W65相位控制晶闸管初步信息2011 DS5871-3日（ LN28551 ）特点双面】,IC型号DCR2950W55,DCR2950W55 PDF资料,DCR2950W55经销商,ic,电子元器件-51电子网

DCR2950W65

相位控制晶闸管

初步信息

2011 DS5871-3日（ LN28551 ）

特点

双面冷却

高浪涌能力

主要参数

DRM

T（ AV ）

TSM

的dV / dt *

的di / dt

6500V

2945A

38500A

1500V/s

300A/s

应用

高功率驱动器

高压电源

静态开关

较高的dV / dt可用的选项

电压额定值

第一部分和

订购

数

重复峰值

电压

DRM

和V

RRM

6500

6000

5500

5000

条件

DCR2950W65*

DCR2950W60

DCR2950W55

DCR2950W50

= -40 ° C至125°C ，

DRM

= I

RRM

= 300毫安，

DRM

, V

RRM

= 10ms时，

帝斯曼

＆放大器; V

RSM

DRM

＆放大器; V

RRM

+ 100V

分别

较低的电压等级。

* 6200V @ -40℃ ， 6500V @ 0℃

外形类型代码：W

（见包的详细信息以获取更多信息）

图。 1封装外形

订购信息

订购时，选择所需的部件号

在电压等级选择表所示。

例如：

DCR2950W65

注：请使用完整的部件号订购时

并引述任何今后的对应这个号码

关于您的订单。

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DCR2950W65

半导体

电流额定值

例

= 60 ° C除非另有说明

符号

双侧冷却

T（ AV ）

T（ RMS ）

参数

测试条件

马克斯。

单位

意思是通态电流

有效值

连续的（直接）通态电流

半波阻性负载

2945

4629

4430

浪涌额定值

符号

TSM

参数

浪涌（非重复）通态电流

我吨融合

测试条件

10ms的半正弦波，T

例

= 125° C

= 0

马克斯。

38.85

7.55

单位

MA s

热学和力学额定值

符号

日（J -C ）

参数

热阻 - 结到管壳

测试条件

双侧冷却

单面冷却

阳极DC

阴极DC

个（ C-H）

热电阻 - 案件散热器

锁模力76.0kN

（带安装化合物）

英镑

虚拟结温

存储温度范围

锁模力

堵V

DRM

VRRM

双面

单面

分钟。

-55

68.0

马克斯。

0.00631

0.01115

0.01453

0.0014

0.0028

125

84.0

单位

° C / W

°C

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DCR2950W65

半导体

动态特性

符号

RRM

DRM

dv / dt的

的di / dt

参数

反向峰值和关态电流

马克斯。断态电压上升率直线

率通态电流上升

测试条件

在V

RRM

DRM

, T

例

= 125° C

到67 ％的V

DRM

, T

= 125°C ，门打开

从67 ％V

DRM

2倍我

T（ AV ）

门源30V ， 10 ，

< 0.5μs的，T

= 125° C

50Hz的重复

不重复

分钟。

马克斯。

300

1500

150

300

单位

V / μs的

A / μs的

T（ TO ）

阈值电压 - 低等级

阈值电压 - 高层

500 2400A在T

例

= 125° C

2400 7200A在T

例

= 125° C

500A至2400A在T

例

= 125° C

2400A到7200A在T

例

= 125° C

= 67% V

DRM

，门源30V ， 10

= 0.5μs的，T

= 25° C

0.94

1.13

0.343

0.264

通态斜率电阻 - 低级别

通态斜率电阻 - 高层

延迟时间

打开-O FF时间

= 125°C ，V

= 200V ，的di / dt = 1A / μs的，

/ DT = 20V / μs的线性

1200

存储电荷

闭锁电流

保持电流

= 2000A ，T

= 125°C ， di / dt的 - 1A / μs的，

= 25 ° C，V

= 5V

= 25 ° C，R

克-K

= 500A ，我

= 5A

2800

6400

300

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DCR2950W65

半导体

门极触发特性和额定值

符号

参数

门极触发电压

门非触发电压

门极触发电流

门非触发电流

测试条件

DRM

= 5V ，T

例

= 25° C

在50 ％的V

DRM ，

例

= 125°C

DRM

= 5V ，T

例

= 25° C

在50 ％的V

DRM ，

例

= 125°C

马克斯。

1.5

0.4

250

单位

曲线

7000

瞬时通态电流I

- (A)

6000

5000

4000

分钟125C

3000

2000

1000

0.5

1.5

最大125°C

分25C

最高25℃

2.5

3.5

瞬时通态电压V

- (V)

图2最大&最低的通态特性

方程

= A + BLN （我

） + C.I

+ D.√I

A = 0.914146

B = -0.03808

C = 0.00016

D = 0.015311

这些值是有效的对于T

= 125°C ，因为我

500A到7200A

哪里

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DCR2950W65

半导体

1000

2000

3000

4000

5000

180

120

130

120

最大外壳温度，T

例

(

C )

110

100

1000

180

120

意味着功耗 - （千瓦）

意思是通态电流I

T（ AV ）

- (A)

2000

3000

4000

5000

意思是通态电流I

T（ AV ）

- (A)

图3通态功耗 - 正弦波

图4最大允许情况下，

双面冷却 - 正弦波

130

最大的散热片温度，T

散热器

- (

C )

120

110

100

1000

2000

3000

意味着功耗 - （千瓦）

180

120

特区

180

120

4000

意思是通态电流I

T（ AV ）

- (A)

1000

2000

3000

4000

5000

6000

7000

意思是通态电流I

T（ AV ）

- (A)

图5.最大允许的散热器温度，

双面冷却 - 正弦波

图6通态功耗 - 矩形波

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