DCR1800F18
半导体
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
马克斯。断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
例
= 125°C
到67 ％的V
DRM
, T
j
= 125°C ，门打开
从67 ％V
DRM
以2000A
门源30V ， 10 ，
t
r
< 0.5μs的，T
j
= 125°C
50Hz的重复
不重复
分钟。
-
1000
-
-
马克斯。
150
-
200
1000
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
T
V
T（ TO ）
r
T
t
gd
通态电压
阈值电压 - 低等级
通态斜率电阻 - 低级别
延迟时间
I
T
= 2000A ，T
例
= 125°C
T
例
= 125°C
T
例
= 125°C
V
D
= 67% V
DRM
，门源30V ， 10
t
r
= 0.5μs的，T
j
= 25°C
-
-
-
1.20
0.84
0.18
3.0
V
V
m
s
t
q
打开-O FF时间
T
j
= 125°C ，V
R
= 100V ，的di / dt = 10A / μs的，
dV
DR
/ DT = 20V /μs的线形到67 ％V
DRM
-
250
s
Q
S
I
RR
I
L
I
H
存储电荷
反向恢复电流
闭锁电流
保持电流
I
T
= 2000A ， TP = 1000US ，T
j
= 125°C,
的di / dt = 10A / μs的，
T
j
= 25°C,
T
j
= 25°C,
-
-
-
-
2500
150
1
200
C
A
A
mA
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
V
GD
I
GT
I
GD
参数
门极触发电压
门非触发电压
门极触发电流
门非触发电流
测试条件
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25°C
在40 ％的V
DRM ，
T
例
= 125°C
V
DRM
= 5V ，T
例
= 25°C
在40 ％的V
DRM ，
T
例
= 125°C
马克斯。
3
待定
300
待定
单位
V
V
mA
mA
3/9
www.dynexsemi.com
DCR1800F18
半导体
曲线
10000
9000
瞬时通态电流I
T
- (A)
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0.6
Tj=25°C
Tj=125°C
1.2
1.8
瞬时通态电压，V
T
- (V)
2.4
V
TM
方程
V
TM
= A + BLN （我
T
） + C.I
T
+ D.√I
T
其中A = 0.483282
B = 0.0343837
C = 0.000112062
D = 0.0052454
这些值是有效的对于T
j
= 125°C
图2最大&minimum通态特性
0.03
双侧冷却
t
R
thJC
t
½
R
THI
1
e
i
i
½
1
n
热阻抗第Z （J -C ） （ ° C / W）
0.02
i
1
0.01
2
3
4
0
0.001
0.01
0.1
时间（s）
1
10
100
τ
i
(s)
0.6894
0.0872
0.0217
0.0043
R
THI
（ C / KW ）
13.267
4.05
1.585
1.102
图3最大（极限）瞬态热阻抗 - 结到外壳（ ° C / W）
4/9
www.dynexsemi.com
QQ：2881677436 复制
