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DCR1475SY
DCR1475SY
相位控制晶闸管
超前信息
取代2000年1月版, DS4246-4.0
2001年DS4246-5.0月
应用
s
高功率驱动器
s
高压电源
s
直流电机控制
s
焊接
s
电池充电器
主要参数
V
DRM
I
T( AV )
I
TSM
DVDT *
的di / dt
3000V
2805A
46000A
1000V/
s
300A/
s
特点
s
双面冷却
s
高浪涌能力
*更高的dV / dt可用的选项
电压额定值
类型编号
重复峰值
电压
V
DRM
V
RRM
V
3000
2900
2800
2700
2600
2500
条件
DCR1475SY30
DCR1475SY29
DCR1475SY28
DCR1475SY27
DCR1475SY26
DCR1475SY25
T
vj
= 0至125℃ ,
I
DRM
= I
RRM
= 250毫安,
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时,
V
帝斯曼
&放大器; V
RSM
=
V
DRM
&放大器; V
RRM
+ 100V
分别
外形类型代码:Y
见包详细信息以获取更多信息。
(该DCR1475也是一个薄型封装,型号代码V.提供
请联系客户服务获取更多信息) 。
较低的电压等级。
订购信息
订购时,选择显示所需的部件号
额定电压选择表。
例如:
DCR1475SY29
注:请使用完整的部件号订购时
而报价在今后的任何对应关系这个数字与
您的订单。
图。 1封装外形
1/9
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DCR1475SY
电流额定值
T
= 60°C除非另有staed 。
符号
双侧冷却
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
2805
4406
4101
A
A
A
参数
条件
马克斯。
单位
单面冷却(阳极侧)
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
1850
2906
2508
A
A
A
电流额定值
T
= 80°C除非另有staed 。
符号
双侧冷却
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
2220
3490
3175
A
A
A
参数
条件
马克斯。
单位
单面冷却(阳极侧)
I
T( AV )
I
T( RMS )
I
T
意思是通态电流
有效值
连续的(直接)通态电流
半波阻性负载
-
-
1420
2230
1850
A
A
A
2/9
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DCR1475SY
浪涌额定值
符号
I
TSM
I
2
t
I
TSM
I
2
t
参数
浪涌(非重复)通态电流
I
2
吨融合
浪涌(非重复)通态电流
I
2
吨融合
条件
10ms的半正弦;牛逼
= 125
o
C
V
R
= 50% V
RRM
- 1/4正弦
10ms的半正弦;牛逼
= 125
o
C
V
R
= 0
马克斯。
36.8
6.7 x 10
6
46.0
10.6 x 10
6
单位
kA
A
2
s
kA
A
2
s
热学和机械数据
符号
参数
条件
双侧冷却
R
日(J -C )
热阻 - 结到管壳
单面冷却
阴极DC
锁模力43.0kN
与安装复合
导通状态(导通)
T
vj
虚拟结温
反向(阻塞)
T
英镑
-
存储温度范围
锁模力
-
–55
41.0
125
125
49.0
o
分钟。
dc
阳极DC
-
-
-
-
-
-
马克斯。
0.0095
0.019
0.019
0.002
0.004
135
单位
o
C / W
o
C / W
C / W
C / W
C / W
o
o
双面
单面
o
R
个( C-H)
热电阻 - 案件散热器
o
C
C
C
o
kN
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DCR1475SY
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
参数
反向峰值和关态电流
断态电压上升的最大线性速度
条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
= 125
o
C
到67 %的V
DRM
T
j
= 125
o
C
从67 %V
DRM
以1000A
门源20V , 10Ω
t
r
< 0.5μs的。牛逼
j
= 125C
在T
vj
= 125
o
C
在T
vj
= 125
o
C
V
D
= 67% V
DRM
,门源30V , 15Ω
上升时间0.5μs的,T
j
= 25
o
C
T
j
= 25
o
C,V
D
= 5V
T
j
= 25
o
C,R
克 - K
=
重复, 50赫兹
不重复
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
100
30
马克斯。
250
1000
150
300
0.885
0.191
2.0
300
100
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
m
s
mA
mA
s
的di / dt
率通态电流上升
V
T( TO )
r
T
t
gd
I
L
I
H
t
q
阈值电压
通态斜率电阻
延迟时间
闭锁电流
保持电流
打开-O FF时间
I
T
= 800A ,T
p
为1ms ,T
j
= 125C,
V
RM
= 50V ,二
RR
/ DT = 20A / μs的,
V
DR
= 67% V
DRM
, DV
DR
/ DT = 20V / μs的线性
400
-
门极触发特性和额定值
符号
V
GT
I
GT
V
GD
V
FGM
V
FGN
V
RGM
I
FGM
P
GM
P
G( AV )
参数
门极触发电压
门极触发电流
门非触发电压
峰值正向栅极电压
峰值正向栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值正向栅电流
峰值功率门
平均功耗门
阳极相对于阴极为正的
见附表,门特性曲线
条件
V
DRM
= 5V ,T
= 25
o
C
V
DRM
= 5V ,T
= 25
o
C
在V
DRM
T
= 125
o
C
阳极相对于阴极为正的
阳极负相对于阴极
马克斯。
4.0
400
0.25
30
0.25
5
30
150
10
单位
V
mA
V
V
V
V
A
W
W
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DCR1475SY
曲线
7000
脉冲的条件下测定
6000
瞬时通态电流I
T
- (A)
6000
半波
dc
5000
6相
3相
意味着功耗 - (W )
2.5
5000
T
j
= 125C :最小。
4000
4000
T
j
= 125C :最大。
3000
3000
2000
2000
1000
1000
0
0.5
1.0
1.5
2.0
瞬时通态电压,V
T
- (V)
0
0
1000
2000
3000
意思是通态电流I
T( AV )
- (A)
4000
图2最大(极限)的通态特性
V
TM
公式: -
V
TM
= A + BLN (我
T
) + C.I
T
+ D.√I
T
A = 14.007
B = –2.911
C = –0.001
D = 0.25
这些值是有效的对于T
j
= 125℃下我
T
500A到6000A
哪里
图3耗散曲线
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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