DCR1430X34
相位控制晶闸管
2011 DS6049-1四月( LN28260 )
特点
双面冷却
高浪涌能力
主要参数
V
DRM
I
T( AV )
I
TSM
的dV / dt *
的di / dt
3400 V
1430 A
19200 A
1000 V / μs的
200 A / μs的
应用
高功率驱动器
高压电源
静态开关
*
较高的dV / dt可用的选项
电压额定值
第一部分和
订购
数
重复峰值
电压
V
DRM
和V
RRM
V
3400
3200
3000
2800
2600
2400
条件
DCR1430X34
DCR1430X32
DCR1430X30
DCR1430X28
DCR1430X26
DCR1430X24
T
vj
= -40 ° C至125°C ,
I
DRM
= I
RRM
= 150毫安,
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时,
V
帝斯曼
&放大器; V
RSM
=
V
DRM
&放大器; V
RRM
+100V
分别
外形类型代码:X
(见包的详细信息以获取更多信息)
较低的电压等级。
订购信息
订购时,选择所需的部件号
在电压等级选择表所示。
例如:
DCR1430X34
注:请使用完整的部件号订购时
并引述任何今后的对应这个号码
关于您的订单。
图。 1封装外形
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DCR1430X34
半导体
曲线
10000
9000
瞬时通态电流I
T
- (A)
8000
7000
6000
5000
4000
3000
V
TM
方程
V
TM
= A + BLN (我
T
) + C.I
T
+ D.√I
T
2000
1000
0
1
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
瞬时通态电压,V
T
- (V)
5
Tj=125°C
其中a = 1.05905
B =-0.000377103
C = 0.000347583
D = 0.00022273
这些值是有效的对于T
j
= 125°C
图2最大&minimum通态特性
0.02
双侧冷却
t
R
thJC
t
½
R
THI
1
e
i
i
½
1
n
热阻抗第Z (J -C ) ( ° C / W)
0.015
0.01
i
1
2
3
4
τ
i
(s)
0.6894
0.0872
0.0217
0.0043
R
THI
( C / KW )
12.267
3.55
1.485
1.002
0.005
0
0.001
0.01
0.1
时间(s)
1
10
100
图3最大(极限)瞬态热阻抗 - 结到外壳( ° C / W)
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DCR1430X34
半导体
3000
130
120
最大外壳温度,T
例
- (°C)
110
100
2500
意味着功耗 - (W )
2000
90
80
1500
70
60
50
40
30
20
10
0
0
180
120
90
60
30
1000
180
120
90
60
30
500
0
0
300
600
900
1200
意思是通态电流I
T( AV )
- (A)
1500
200 400 600 800 1000 1200 1400
意思是通态电流I
T( AV )
- (A)
图4通态功耗 - 正弦波
图5.最大允许的情况下,
双面冷却 - 正弦波
130
120
110
最大外壳温度,温度上限 - ( ° C)
3000
2500
意味着功耗 - (W )
100
90
80
70
2000
60
50
40
30
特区
180
120
90
60
30
1500
1000
特区
180
120
90
60
30
0
300
600
900
1200
意思是通态电流I
T( AV )
- (A)
1500
20
10
0
0
500
0
200 400 600 800 1000 1200 1400
意思是通态电流I
T( AV )
- (A)
图6最大允许情况下,
双面冷却 - 矩形波
图7通态功耗 - 矩形波
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