DCR1110F52
相位控制晶闸管
初步信息
DS5965-1 2010年8月（ LN27372 ）
特点
双面冷却
高浪涌能力
主要参数
V
DRM
I
T（ AV ）
I
TSM
的dV / dt *
的di / dt
5200V
1107A
14800A
1500V/s
800A/s
应用
高功率驱动器
高压电源
静态开关
*
较高的dV / dt可用的选项
电压额定值
第一部分和
订购
数
重复峰值
电压
V
DRM
和V
RRM
V
5200
5000
条件
DCR1110F52*
DCR1110F50
T
vj
= -40 ° C至125°C ，
I
DRM
= I
RRM
= 100mA时
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时，
V
帝斯曼
＆放大器; V
RSM
=
V
DRM
＆放大器; V
RRM
+ 100V
分别
外形类型代码：F
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 1封装外形
较低的电压等级。
o
o
* 5000V @ -40℃ ， 5200V @ 0℃
订购信息
订购时，选择所需的部件号
在电压等级选择表所示。
例如：
DCR1110F52
注：请使用完整的部件号订购时
并引述任何今后的对应这个号码
关于您的订单。
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DCR1110F52
半导体
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
马克斯。断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
例
= 125°C
到67 ％的V
DRM
, T
j
= 125°C ，门打开
从67 ％V
DRM
2倍我
T（ AV ）
门源30V ， 10 ，
t
r
< 0.5μs的，T
j
= 125°C
50Hz的重复
不重复
分钟。
-
-
-
-
马克斯。
100
1500
200
800
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
T（ TO ）
阈值电压 - 低等级
阈值电压 - 高层
300A至750A在T
例
= 125°C
750A至4000A在T
例
= 125°C
300A至750A在T
例
= 125°C
750A至4000A在T
例
= 125°C
V
D
= 67% V
DRM
，门源30V ， 10
t
r
= 0.5μs的，T
j
= 25°C
-
-
-
-
-
0.948
1.078
0.783
0.610
3
V
V
m
m
s
r
T
通态斜率电阻 - 低级别
通态斜率电阻 - 高层
t
gd
延迟时间
t
q
打开-O FF时间
T
j
= 125°C ，V
R
= 100V ，的di / dt = 5A / μs的，
dV
DR
/ DT = 20V /μs的线性关系2000V
-
1000
s
Q
S
I
RR
I
L
I
H
存储电荷
反向恢复电流
闭锁电流
保持电流
I
T
= 1000A ， TP = 1000US ，T
j
= 125°C,
的di / dt = 5A / μs的，
T
j
= 25 ° C，V
D
= 5V
T
j
= 25 ° C，R
克-K
=
,
I
TM
= 500A ，我
T
= 5A
2200
90
-
-
3800
115
3
300
C
A
A
mA
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