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直流分量CO 。 , LTD 。
R
DC8550
分立半导体
作者PNP外延平面型晶体管技术规格
描述
设计用于便携式2W输出放大器使用
收音机在B类推挽操作。
TO-92
.190(4.83)
.170(4.33)
.190(4.83)
.170(4.33)
2典型值
2典型值
o
o
钉扎
1 - 发射极
2 - 基
3 - 集电极
绝对最大额定值
(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
总功率耗散(T
C
=25 C)
结温
储存温度
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
P
D
T
J
T
英镑
等级
-40
-25
-6
-1.5
-500
1
2
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
mA
W
W
o
o
.500
(12.70)
.022(0.56)
.014(0.36)
.100
典型值
(2.54)
.148(3.76)
.132(3.36)
.022(0.56)
.014(0.36)
.050
典型值
(1.27)
3 2 1
.050
o
o
5
典型值。
5
典型值。
( 1.27 ) TYP
尺寸以英寸(毫米)
C
C
电气特性
o
特征
(在25℃环境温度额定值除非另有说明)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
(1)
-40
-25
-6
-
-
-
-
-
45
85
40
100
2%
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
-
-
-
-0.1
-0.1
-0.5
-1.2
-1
-
500
-
-
单位
V
V
V
A
A
V
V
V
-
-
-
兆赫
测试条件
I
C
=-100A
I
C
=-2mA
I
E
=-100A
V
CB
=-35V
V
EB
=-6V
I
C
= -0.8A ,我
B
=-80mA
I
C
= -0.8A ,我
B
=-80mA
I
C
= -10mA ,V
CE
=-1V
I
C
= -5mA ,V
CE
=-1V
I
C
= -100mA ,V
CE
=-1V
I
C
= -800mA ,V
CE
=-1V
I
C
= -50mA ,V
CE
= -10V , F = 100MHz的
集电极 - 基极击穿Volatge
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿Volatge
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压上
直流电流增益
(1)
(1)
(1)
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE(上)
h
FE1
h
FE2
h
FE3
跃迁频率
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
f
T
380μs ,占空比
分类h及
FE2
范围
B
85~160
C
120~200
D
160~300
E
250~500
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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